SIC
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Diodos (166326)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Tipo de diodo Voltaje - Reverso Máximo (Max) Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
CUS10I40A(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CUS10I40A (TE85L, QM -
RFQ
 ECAD 1671 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie SC-76, SOD-323 Cus10i40 Schottky US-Flat (1.25x2.5) descascar Cumplimiento de Rohs CUS10I40A (TE85LQM EAR99 8541.10.0080 4.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 490 MV @ 700 Ma 60 µA @ 40 V 150 ° C (Máximo) 1A 35pf @ 10V, 1 MHz
JAN1N4962 Semtech Corporation Jan1n4962 -
RFQ
 ECAD 3288 0.00000000 Corpacia semtech MIL-PRF-19500/356 Una granela Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Axial 1N4962 5 W Axial descascar Jan1n4962s EAR99 8541.10.0050 1 5 µA @ 11.4 V 15 V 3.5 ohmios
DB2431200L Panasonic Electronic Components DB2431200L -
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 ECAD 7128 0.00000000 Componentes Electrónicos de Panasonic - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie SOD-128 DB24312 Schottky Tminip2-F2-B - Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 510 MV @ 5 A 23 ns 300 µA @ 30 V 150 ° C (Máximo) 5A 74pf @ 10V, 1 MHz
1N4448,143 NXP USA Inc. 1N4448,143 -
RFQ
 ECAD 2857 0.00000000 NXP USA Inc. - Cinta de Corte (CT) Obsoleto A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N44 Estándar ALF2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 5,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 100 V 1 V @ 100 Ma 4 ns 25 na @ 20 V 200 ° C (Max) 200 MMA 4PF @ 0V, 1MHz
D2020L Littelfuse Inc. D2020L -
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 ECAD 9706 0.00000000 Littelfuse Inc. - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero TO20-3 PESTA AISLADA D2020 Estándar Pestaña aislada de 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 500 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.6 V @ 12.7 A 4 µs -40 ° C ~ 125 ° C 12.7a -
GC2X15MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC2X15MPS12-247 10.5555
RFQ
 ECAD 4584 0.00000000 Semiconductor genesico Sic schottky mps ™ Tubo Activo A Través del Aguetero TO-247-3 GC2X15 Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY TO-247-3 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1242-1333 EAR99 8541.10.0080 30 Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) 1 par Cátodo Común 1200 V 75a (DC) 1.8 V @ 15 A 0 ns 14 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C
SMBJ5353C/TR13 Microchip Technology SMBJ5353C/TR13 2.1900
RFQ
 ECAD 6774 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AA, SMB SMBJ5353 5 W SMBJ (DO-214AA) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 1 a 1 µA @ 11.5 V 16 V 2.5 ohmios
MMSZ5235BS-7 Diodes Incorporated MMSZ5235BS-7 -
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 ECAD 1342 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 MMSZ5235B 200 MW Sod-323 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 3 µA @ 5 V 6.8 V 5 ohmios
BZG05C39-HM3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C39-HM3-08 0.1172
RFQ
 ECAD 1942 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, BZG05C-M Tape & Reel (TR) Activo ± 5.13% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA BZG05C39 1.25 W DO-214AC (SMA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 1.2 v @ 200 ma 500 na @ 30 V 39 V 50 ohmios
SS1FL3HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Ss1fl3hm3/i 0.1069
RFQ
 ECAD 7198 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, ESMP® Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-219AB SS1FL3 Schottky DO-219AB (SMF) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 480 MV @ 1 A 200 µA @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C 1A 130pf @ 4V, 1MHz
R5030218FSWA Powerex Inc. R5030218FSWA -
RFQ
 ECAD 3887 0.00000000 Powerex Inc. - Una granela Activo Chasis, Soporte de semento DO-205AA, DO-8, semento R5030218 Polaridad Inversa Estándar DO-205AA (DO-8) descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.65 V @ 470 A 1.5 µs 45 Ma @ 200 V -40 ° C ~ 150 ° C 175a -
XBW1SS400-G Torex Semiconductor Ltd XBW1SS400-G 0.0478
RFQ
 ECAD 4776 0.00000000 Torex Semiconductor Ltd - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-79, SOD-523 XBW1SS400 Estándar Sod-523p descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0070 5,000 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad 80 V 1.2 V @ 100 Ma 4 ns 100 na @ 80 V 150 ° C 100mA 0.5pf @ 0V, 1MHz
JANTX1N750D-1 Microchip Technology Jantx1n750d-1 7.2600
RFQ
 ECAD 9057 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/127 Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N750 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 5 µA @ 1.5 V 4.7 V 19 ohmios
1PMT5923E3/TR7 Microsemi Corporation 1 PMT5923E3/TR7 -
RFQ
 ECAD 9685 0.00000000 Corpacia microsemi - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 20% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-216AA 1PMT5923 3 W DO-216AA descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 6.5 V 8.2 V 3.5 ohmios
BZT52-C15X Nexperia USA Inc. BZT52-C15X 0.2200
RFQ
 ECAD 8683 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo ± 6.1% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 BZT52 350 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 50 na @ 10.5 V 14.7 V 15 ohmios
MMXZ5254B-TP Micro Commercial Co MMXZ5254B-TP 0.2100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Micro Commercial Co - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SC-76, SOD-323 MMXZ5254 200 MW Sod-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 V @ 100 Ma 100 na @ 21 V 27 V 41 ohmios
JANTXV1N3028C-1 Microchip Technology Jantxv1n3028c-1 38.0400
RFQ
 ECAD 5414 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/115 Una granela Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N3028 1 W Do-41 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 16.7 V 22 V 23 ohmios
JANTX1N4489CUS Microsemi Corporation Jantx1n4489cus 38.7300
RFQ
 ECAD 4398 0.00000000 Corpacia microsemi Militar, MIL-PRF-19500/406 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Sq-melf, un 1N4489 1.5 W D-5A descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1 V @ 200 Ma 250 na @ 80 V 100 V 250 ohmios
MMSZ4683-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4683-HE3-08 0.0368
RFQ
 ECAD 4473 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) La Última Vez Que Compre ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie SOD-123 MMSZ4683 500 MW SOD-123 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 800 na @ 1 V 3 V
1N5522B Microchip Technology 1N5522B 1.9200
RFQ
 ECAD 5271 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/437 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N5522 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 2 µA @ 2 V 4.7 V 22 ohmios
SS36LW Taiwan Semiconductor Corporation SS36LW 0.4100
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOD-123W SS36 Schottky SOD-123W descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 10,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 700 MV @ 3 A 200 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
BZX584B6V8 Yangjie Technology BZX584B6V8 0.0200
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 Tecnología yangjie - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 150 MW Sod-523 - Cumplimiento de Rohs Alcanzar sin afectado 4617-BZX584B6V8TR EAR99 8,000 900 MV @ 10 Ma 2 µA @ 4 V 6.8 V 15 ohmios
GBU6B-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU6B-E3/45 2.2100
RFQ
 ECAD 5826 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-SIP, GBU GBU6 Estándar Gbu descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 20 1 v @ 6 a 5 µA @ 100 V 3.8 A Fase única 100 V
JANTX1N3821CUR-1 Microchip Technology Jantx1n3821cur-1 40.6950
RFQ
 ECAD 5910 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/115 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) 1N3821 1 W DO-213AB (Melf, LL41) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 100 µA @ 1 V 3.3 V 10 ohmios
SMAJ4749AHE3-TP Micro Commercial Co Smaj4749ahe3-tp 0.1150
RFQ
 ECAD 5648 0.00000000 Micro Commercial Co Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AC, SMA Smaj4749 1 W DO-214AC (SMA) descascar 353-SMAJ4749AHE3-TP EAR99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 100 Ma 5 µA @ 18.2 V 24 V 25 ohmios
SB190-T Diodes Incorporated SB190-T 0.1008
RFQ
 ECAD 2313 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial SB190 Schottky Do-41 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 5,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 800 MV @ 1 A 500 µA @ 90 V -65 ° C ~ 125 ° C 1A -
SBRT20M60SP5-7 Diodes Incorporated SBRT20M60SP5-7 0.8500
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Diodos incorporados Trenchsbr Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Powerdi ™ 5 SBRT20 Super Barrera Powerdi ™ 5 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.10.0080 1.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 570 MV @ 20 A 180 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 20A -
MBR8100D_R2_00001 Panjit International Inc. MBR8100D_R2_00001 0.3861
RFQ
 ECAD 3229 0.00000000 Panjit International Inc. - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MBR8100 Schottky Un 263 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 75,200 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 800 MV @ 8 A 50 µA @ 100 V -65 ° C ~ 175 ° C 8A -
1N4759CP/TR8 Microchip Technology 1N4759CP/TR8 2.2800
RFQ
 ECAD 3362 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N4759 1 W DO-204Al (DO-41) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.500 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 47.1 V 62 V 125 ohmios
AZ23B11-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B11-HE3_A-18 -
RFQ
 ECAD 8578 0.00000000 Vishay General Semiconductor - División de Diodos Automotive, AEC-Q101, AZ23 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 300 MW Sot-23-3 descascar 112-AZ23B11-HE3_A-18TR EAR99 8541.10.0050 1 1 par Ánodo Común 100 na @ 8 V 11 V 20 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

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