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Diodos (166326)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1M130ZHB0G | - |  | 4601 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1m130 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 5 µA @ 98.8 V | 130 V | 700 ohmios | ||||||||||
| 1N4761A B0G | - | | 6848 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Una granela | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4761 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 5 µA @ 56 V | 75 V | 175 ohmios | ||||||||||
 | 1N5395GHB0G | - | | 7308 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 1N5395 | Estándar | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1 V @ 1.5 A | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||
 | TS50P05G C2G | - | | 1778 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS50P05 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 v @ 25 a | 10 µA @ 600 V | 50 A | Fase única | 600 V | |||||||||
| TS50P06G C2G | - | | 7395 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS50P06 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 v @ 25 a | 10 µA @ 800 V | 50 A | Fase única | 800 V | |||||||||
| TS50P06GHC2G | - | | 2378 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS50P06 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 v @ 25 a | 10 µA @ 800 V | 50 A | Fase única | 800 V | |||||||||
| TS50P06GH | 2.1231 | | 4489 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS50P06 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 v @ 25 a | 10 µA @ 800 V | 50 A | Fase única | 800 V | |||||||||
| TS50P07G C2G | - | | 5015 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS50P07 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 v @ 25 a | 10 µA @ 1000 V | 50 A | Fase única | 1 kV | |||||||||
| TS6P01GHD2G | - | | 5407 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS6P01 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 v @ 6 a | 10 µA @ 50 V | 6 A | Fase única | 50 V | |||||||||
| TS6P02G D2G | - | | 7853 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS6P02 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 v @ 6 a | 10 µA @ 100 V | 6 A | Fase única | 100 V | |||||||||
| TS6P02GHD2G | - | | 9360 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS6P02 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 v @ 6 a | 10 µA @ 100 V | 6 A | Fase única | 100 V | |||||||||
| TS6P03G D2G | - | | 5873 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS6P03 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 v @ 6 a | 10 µA @ 200 V | 6 A | Fase única | 200 V | |||||||||
| TS6P04G D2G | - | | 2683 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS6P04 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 v @ 6 a | 10 µA @ 400 V | 6 A | Fase única | 400 V | |||||||||
| TS6P05GHC2G | - | | 9788 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS6P05 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 v @ 6 a | 10 µA @ 600 V | 6 A | Fase única | 600 V | |||||||||
| TS6P07GHC2G | - | | 3681 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS6P07 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 v @ 6 a | 10 µA @ 1000 V | 6 A | Fase única | 1 kV | |||||||||
| TS8P01GHD2G | - | | 8676 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS8P01 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 v @ 8 a | 10 µA @ 50 V | 8 A | Fase única | 50 V | |||||||||
| TS8P02G C2G | - | | 2472 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS8P02 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 v @ 8 a | 10 µA @ 100 V | 8 A | Fase única | 100 V | |||||||||
| TS8P02GHC2G | - | | 8393 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS8P02 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 v @ 8 a | 10 µA @ 100 V | 8 A | Fase única | 100 V | |||||||||
| TS8P03G C2G | - | | 1558 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS8P03 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 v @ 8 a | 10 µA @ 200 V | 8 A | Fase única | 200 V | |||||||||
| TS8P03G D2G | - | | 6294 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS8P03 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 v @ 8 a | 10 µA @ 200 V | 8 A | Fase única | 200 V | |||||||||
| TS8P03GHC2G | - | | 3230 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS8P03 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 v @ 8 a | 10 µA @ 200 V | 8 A | Fase única | 200 V | |||||||||
| TS8P03GHD2G | - | | 8175 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS8P03 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 v @ 8 a | 10 µA @ 200 V | 8 A | Fase única | 200 V | |||||||||
| TS8P04GH | - | | 7919 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS8P04 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 v @ 8 a | 10 µA @ 400 V | 8 A | Fase única | 400 V | |||||||||
| Ts8p06g | 1.0245 | | 6043 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS8P06 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 v @ 8 a | 10 µA @ 800 V | 8 A | Fase única | 800 V | |||||||||
| TS8P07G C2G | - | | 3364 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-6P | TS8P07 | Estándar | TS-6P | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 v @ 8 a | 10 µA @ 1000 V | 8 A | Fase única | 1 kV | |||||||||
 | TSS4B02GHC2G | - | | 8078 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-4B | TSS4B02 | Estándar | TS4B | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 980 MV @ 4 A | 5 µA @ 100 V | 4 A | Fase única | 100 V | |||||||||
| TSS4B03G C2G | - | | 1395 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-4B | TSS4B03 | Estándar | TS4B | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 980 MV @ 4 A | 5 µA @ 200 V | 4 A | Fase única | 200 V | |||||||||
| TSS4B03GHD2G | - | | 8319 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-4B | TSS4B03 | Estándar | TS4B | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 980 MV @ 4 A | 5 µA @ 200 V | 4 A | Fase única | 200 V | |||||||||
| TSS4B04G C2G | - | | 5157 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, TS-4B | TSS4B04 | Estándar | TS4B | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.3 v @ 4 a | 5 µA @ 400 V | 4 A | Fase única | 400 V | |||||||||
 | Ur4KB60-B | 0.5982 | | 9044 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-ESIP | Ur4kb60 | Estándar | D3K | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | 1 v @ 2 a | 10 µA @ 600 V | 4 A | Fase única | 600 V |
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