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Transistores (100539)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Condición de PrueBa | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Stgb30m65df2 | 3.3700 |  | 59 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Stgb30 | Estándar | 258 W | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V, 30a, 10ohm, 15V | 140 ns | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 60 A | 120 A | 2V @ 15V, 30a | 300 µJ (Encendido), 960 µJ (apagado) | 80 NC | 31.6ns/115ns | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | DMN33D8LT-13 | 0.3600 | | 255 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-523 | DMN33 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-523 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | N-canal | 30 V | 115MA (TA) | 2.5V, 4V | 5ohm @ 10mA, 4V | 1.5V @ 100 µA | 0.55 NC @ 10 V | ± 20V | 48 pf @ 5 V | - | 240MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Zxtn4004kqtc | 0.6200 | | 400 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Zxtn4004 | 3.8 W | Un 252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 150 V | 1 A | 500NA | NPN | 250 MV @ 5 Ma, 100 Ma | 100 @ 150mA, 250mv | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STH290N4F6-6 | - | | 9144 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | STH290 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Stl220n6f7 | 3.5300 | | 2 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ f7 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | Stl220 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerflat ™ (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 120a (TC) | 10V | 1.4mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | 100 NC @ 10 V | ± 20V | 6600 pf @ 25 V | - | 4.8W (TA), 187W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| STGF30V60DF | - | | 2704 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Activo | Stgf30 | - | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STGW80H65FB-4 | - | | 7255 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-4 | STGW80 | Estándar | 469 W | TO-247-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 80a, 10ohm, 15V | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 120 A | 240 A | 2v @ 15V, 80a | 2.1MJ (Encendido), 1.5mj (apaguado) | 414 NC | 84ns/280ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Stgwa60v60df | 5.6200 | | 2949 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Stgwa60 | Estándar | 375 W | TO-247 LARGOS LARGOS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 60A, 4.7ohm, 15V | 74 ns | Parada de Campo de Trinchera | 600 V | 80 A | 240 A | 2.3V @ 15V, 60A | 750 µJ (Encendido), 550 µJ (apaguado) | 334 NC | 60ns/208ns | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | VS-GB55NA120UX | - | | 6073 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Hexfred® | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GB55 | 431 W | Estándar | Sot-227 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 160 | Soltero | Escrutinio | 1200 V | 84 A | 50 µA | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VS-GB75NA60UF | - | | 4811 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GB75 | 447 W | Estándar | Sot-227 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 160 | Soltero | Escrutinio | 600 V | 109 A | 2V @ 15V, 35a | 50 µA | No | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| VS-GT105LA120UX | - | | 3465 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | GT105 | 463 W | Estándar | Sot-227 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 160 | Soltero | Escrutinio | 1200 V | 134 A | 75 µA | No | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FDMS86568-F085 | - | | 2873 | 0.00000000 | onde | Automotriz, AEC-Q101, Powertrench® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | FDMS86 | Mosfet (Óxido de metal) | Power56 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 80a (TC) | 10V | 3.5mohm @ 80a, 10v | 4V @ 250 µA | 71 NC @ 10 V | ± 20V | 4335 pf @ 30 V | - | 214W (TJ) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | AOK20B65M2 | 3.8200 | | 121 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | Alpha IGBT ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | AOK20 | Estándar | 227 W | To-247 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 785-1752 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 20a, 15ohm, 15V | 292 ns | - | 650 V | 40 A | 60 A | 2.15V @ 15V, 20a | 580 µJ (Encendido), 280 µJ (apagado) | 46 NC | 26ns/123ns | |||||||||||||||||||||||||||||
| AOK40B65M3 | 4.2100 | | 72 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | Alpha IGBT ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | AOK40 | Estándar | 300 W | To-247 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 785-1755 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 40A, 7.5ohm, 15V | 365 ns | - | 650 V | 80 A | 120 A | 2.45V @ 15V, 40A | 1.3MJ (Encendido), 500 µJ (apaguado) | 59 NC | 40ns/125ns | |||||||||||||||||||||||||||||
| AOKS40B65H1 | 3.9100 | | 124 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | Alpha IGBT ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | AOKS40 | Estándar | 300 W | To-247 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 785-1760 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 40A, 7.5ohm, 15V | - | 650 V | 80 A | 120 A | 2.4V @ 15V, 40A | 1.27MJ (Encendido), 460 µJ (apagado) | 63 NC | 41ns/130ns | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | AOT20B65M1 | 1.5339 | | 1363 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | Alpha IGBT ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | AOT20 | Estándar | 227 W | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 785-1764 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V, 20a, 15ohm, 15V | 322 ns | - | 650 V | 40 A | 60 A | 2.15V @ 15V, 20a | 470 µJ (Encendido), 270 µJ (apagado) | 46 NC | 26ns/122ns | |||||||||||||||||||||||||||||
| AOTF10B65M2 | 1.8700 | | 219 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | Alpha IGBT ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | AOTF10 | Estándar | 30 W | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 785-1767 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V, 10a, 30ohm, 15V | 262 ns | - | 650 V | 20 A | 30 A | 2V @ 15V, 10a | 180 µJ (Encendido), 130 µJ (apaguado) | 24 NC | 12ns/91ns | |||||||||||||||||||||||||||||
| AOTF5B65M1 | 1.4400 | | 907 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | Alpha IGBT ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | AOTF5 | Estándar | 25 W | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 785-1773 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V, 5A, 60OHM, 15V | 195 ns | - | 650 V | 10 A | 15 A | 1.98V @ 15V, 5A | 80 µJ (Encendido), 70 µJ (apaguado) | 14 NC | 8.5ns/106ns | |||||||||||||||||||||||||||||
 | AOB15B65M1 | 2.3600 | | 2392 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | Alpha IGBT ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | AOB15 | Estándar | 214 W | TO-263 (D2PAK) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | 400V, 15a, 20ohm, 15V | 317 ns | - | 650 V | 30 A | 45 A | 2.15V @ 15V, 15a | 290 µJ (encendido), 200 µJ (apagado) | 32 NC | 13ns/116ns | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | AON6358 | 0.9100 | | 5363 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowersMD, Pistas Plans | AON63 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-DFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 42a (TA), 85A (TC) | 4.5V, 10V | 2.2mohm @ 20a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 47 NC @ 10 V | ± 20V | 2200 pf @ 15 V | - | 6.2W (TA), 48W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Auirf1010zstrl | 2.2781 | | 9578 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 55 V | 75A (TC) | 7.5mohm @ 75a, 10v | 4V @ 250 µA | 95 NC @ 10 V | 2840 pf @ 25 V | - | 140W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BLF7G27L-140,112 | - | | 4349 | 0.00000000 | AMpleon USA Inc. | - | Banda | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | Sot-502a | BLF7G27 | 2.5Ghz ~ 2.7GHz | Ldmos | Sot502a | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 934064593112 | EAR99 | 8541.29.0075 | 20 | 28A | 1.3 A | 30W | 16.5dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BLF7G27LS-140,112 | - | | 2553 | 0.00000000 | AMpleon USA Inc. | - | Banda | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | Sot-502b | BLF7G27 | 2.5Ghz ~ 2.7GHz | Ldmos | Sot502b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 20 | 28A | 1.3 A | 30W | 16.5dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BLS6G2731S-130,112 | 560.8050 | | 3746 | 0.00000000 | AMpleon USA Inc. | - | Banda | No hay para Nuevos Diseños | 60 V | Monte del Chasis | SOT-922-1 | BLS6 | 2.7GHz ~ 3.1GHz | Ldmos | CDFM2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 20 | 33a | 100 mA | 130W | 12dB | - | 32 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN013-100ES, 127 | - | | 9801 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 68a (TC) | 10V | 13.9mohm @ 15a, 10v | 4V @ 1MA | 59 NC @ 10 V | ± 20V | 3195 pf @ 50 V | - | 170W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN3R4-30PL, 127 | 1.9500 | | 8 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | PSMN3R4 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 30 V | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 3.4mohm @ 10a, 10v | 2.15V @ 1MA | 64 NC @ 10 V | ± 20V | 3907 pf @ 12 V | - | 114W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Si4176dy-t1-e3 | - | | 1880 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4176 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 12a (TC) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 8.3a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 490 pf @ 15 V | - | 2.4W (TA), 5W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4178DY-T1-E3 | - | | 6560 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4178 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 12a (TC) | 4.5V, 10V | 21mohm @ 8.4a, 10v | 2.8V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 25V | 405 pf @ 15 V | - | 2.4W (TA), 5W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4804CDY-T1-E3 | - | | 3564 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4804 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.1W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 8A | 22mohm @ 7.5a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 23nc @ 10V | 865pf @ 15V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STP260N6F6 | - | | 1000 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Deepgate ™, Stripfet ™ VI | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | STP260 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 120a (TC) | 10V | 3mohm @ 60a, 10v | 4V @ 250 µA | 183 NC @ 10 V | ± 20V | 11400 pf @ 25 V | - | 300W (TC) |
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