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Transistores (100539)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Condición de PrueBa | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Voltaje - PrueBa | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID | Resistencia - RDS (ON) | Drenaje real (ID) - Max |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SiJ484DP-T1-GE3 | - |  | 7114 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SiJ484 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 6.3mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 1600 pf @ 15 V | - | 5W (TA), 27.7W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | Sir410DP-T1-GE3 | 1.0700 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir410 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 4.8mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 41 NC @ 10 V | ± 20V | 1600 pf @ 10 V | - | 4.2W (TA), 36W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| Sir494dp-t1-ge3 | 1.1500 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir494 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 12 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 1.2mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 150 NC @ 10 V | ± 20V | 6900 pf @ 6 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | SIS430DN-T1-GE3 | - | | 2395 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SIS430 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 25 V | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 5.1mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 1600 pf @ 12.5 V | - | 3.8W (TA), 52W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | SQ4850EY-T1_GE3 | 1.3700 | | 24 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SQ4850 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 12a (TC) | 4.5V, 10V | 22mohm @ 6a, 5V | 2.5V @ 250 µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 1250 pf @ 25 V | - | 6.8W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | SQM110P04-04L-GE3 | - | | 4477 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sqm110p | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 40 V | 120a (TC) | 4.5V, 10V | 4mohm @ 30a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 330 NC @ 10 V | ± 20V | 13980 pf @ 20 V | - | 375W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | SUD17N25-165-E3 | - | | 1751 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud17 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 250 V | 17a (TC) | 10V | 165mohm @ 14a, 10v | 4V @ 250 µA | 42 NC @ 10 V | ± 20V | 1950 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 136W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| SUD23N06-31L-E3 | - | | 7571 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud23 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 60 V | 23a (TC) | 4.5V, 10V | 31mohm @ 15a, 10v | 3V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 670 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 100W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| SUD40N04-10A-E3 | - | | 4825 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud40 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 40 V | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 10mohm @ 40a, 10v | 3V @ 250 µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 1700 pf @ 25 V | - | 71W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| Sud50n03-12p-E3 | - | | 6246 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 30 V | 17.5a (TA) | 4.5V, 10V | 12mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 42 NC @ 10 V | ± 20V | 1600 pf @ 25 V | - | 6.5W (TA), 46.8W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| SUD50N04-16P-E3 | - | | 6664 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 40 V | 9.8a (TA), 20a (TC) | 4.5V, 10V | 16mohm @ 15a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 60 NC @ 10 V | ± 16V | 1655 pf @ 20 V | - | 3.1W (TA), 35.7W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | DMG5802LFX-7 | 0.6000 | | 2 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-vfdfn almohadilla exposición | DMG5802 | Mosfet (Óxido de metal) | 980MW | W-DFN5020-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canales (dual) Drenaje Común | 24 V | 6.5a | 15mohm @ 6.5a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 31.3nc @ 10V | 1066.4pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||
 | IRFH8330TRPBF | - | | 9953 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | IRFH8330 | Mosfet (Óxido de metal) | PQFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 30 V | 17A (TA), 56A (TC) | 4.5V, 10V | 6.6mohm @ 20a, 10v | 2.35V @ 25 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 1450 pf @ 25 V | - | 3.3W (TA), 35W (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | IRLHS2242TRPBF | 0.5900 | | 22 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-Powervdfn | IRLHS2242 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-PQFN (2x2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | Canal P | 20 V | 7.2a (TA), 15a (TC) | 2.5V, 4.5V | 31mohm @ 8.5a, 4.5V | 1.1V @ 10 µA | 12 NC @ 10 V | ± 12V | 877 pf @ 10 V | - | 2.1W (TA), 9.6W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| IRLHS2242TR2PBF | - | | 7601 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | 6-Powervdfn | Mosfet (Óxido de metal) | 6-PQFN (2x2) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | Canal P | 20 V | 7.2a (TA), 15a (TC) | 31mohm @ 8.5a, 4.5V | 1.1V @ 10 µA | 12 NC @ 10 V | 877 pf @ 10 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | MCH3374-TL-E | - | | 4266 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | Montaje en superficie | SOT-23-3 Platos Platos | MCH3374 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70FL/MCPH3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 3a (TA) | 1.8v, 4V | 70mohm @ 1.5a, 4.5V | - | 5.6 NC @ 4.5 V | ± 8V | 405 pf @ 6 V | - | 1W (TA) | |||||||||||||||||||||||
 | MCH6431-TL-H | - | | 4208 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-smd, planos de cables | MCH64 | Mosfet (Óxido de metal) | 6 mcph | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 5A (TA) | 4V, 10V | 55mohm @ 2.5a, 10V | - | 5.6 NC @ 10 V | ± 20V | 280 pf @ 10 V | - | 1.5W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
 | Nvmfd5877nlt1g | - | | 2502 | 0.00000000 | onde | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Nvmfd5877 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.2W | 8-DFN (5x6) Bandera Dual (SO8FL-DUAL) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 6A | 39mohm @ 7.5a, 10v | 3V @ 250 µA | 20NC @ 10V | 540pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||
 | SCH1335-TL-H | - | | 6011 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | SCH133 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-SCH | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 5,000 | Canal P | 12 V | 2.5a (TA) | 1.8V, 4.5V | 112mohm @ 1a, 4.5V | - | 3.1 NC @ 4.5 V | ± 10V | 270 pf @ 6 V | - | 800MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||
| TF256th-5-TL-H | - | | 8298 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, Plano Plano | TF256 | 100 MW | 3-VTFP | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 8,000 | N-canal | 3.1pf @ 2v | 240 µA @ 2 V | 100 MV @ 1 µA | 1 MA | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tig056bf | - | | 3835 | 0.00000000 | onde | - | Bolsa | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | TIG056 | Estándar | 30 W | To20fi (ls) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | 320V, 240a, 10ohm, 15V | - | 430 V | 240 A | 5V @ 15V, 240a | - | 46ns/140ns | |||||||||||||||||||||||||||
 | TIG058E8-TL-H | 0.8200 | | 449 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | TIG058 | Estándar | 8-ECH | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | - | - | 400 V | 150 A | 5.6V @ 4V, 100A | - | - | |||||||||||||||||||||||||||
 | 3LN01SS-TL-H | - | | 6388 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | 3LN01 | Mosfet (Óxido de metal) | SMCP | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 8,000 | N-canal | 30 V | 150MA (TA) | 1.5V, 4V | 3.7ohm @ 80mA, 4V | - | 1.58 NC @ 10 V | ± 10V | 7 pf @ 10 V | - | 150MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||
 | 3LP01C-TB-H | - | | 6489 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 3LP01 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-59-3/CP3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 100 mA (TA) | 1.5V, 4V | 10.4ohm @ 50 mm, 4v | - | 1.43 NC @ 10 V | ± 10V | 7.5 pf @ 10 V | - | 250MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||
| BFL4026 | - | | 2073 | 0.00000000 | onde | - | Bolsa | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | BFL40 | Mosfet (Óxido de metal) | To20fi (ls) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | N-canal | 900 V | 3.5a (TA) | 10V | 3.6ohm @ 2.5a, 10v | - | 33 NC @ 10 V | ± 30V | 650 pf @ 30 V | - | 2W (TA), 35W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
 | CPH6350-TL-E | - | | 1962 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | Sot-23-6 | CPH635 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-cph | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 6a (TA) | 4V, 10V | 43mohm @ 3a, 10v | - | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 600 pf @ 10 V | - | 1.6w (TA) | |||||||||||||||||||||||||
| CPH6442-TL-E | - | | 3129 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sot-23-6 | CPH644 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-cph | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 6a (TA) | 4V, 10V | 43mohm @ 3a, 10v | 2.6V @ 1MA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 1040 pf @ 20 V | - | 1.6w (TA) | ||||||||||||||||||||||||
 | EC3A04B-3-TL-H | - | | 6251 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-xfdfn | EC3A04 | 100 MW | ECSP1006-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 8,000 | N-canal | 30 V | 4pf @ 10V | 1.2 Ma @ 10 V | 180 MV @ 1 µA | 200 ohmios | 10 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||
 | ECH8657-TL-H | 0.6600 | | 13 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | ECH8657 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.5w | 8-ECH | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 35V | 4.5a | 59mohm @ 2a, 10v | - | 4.5nc @ 10V | 230pf @ 20V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||
 | MRFE6VP8600HSR5 | - | | 3050 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 130 V | Monte del Chasis | NI-1230S | Mrfe6 | 860MHz | Ldmos | NI-1230S | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | 5A991G | 8541.29.0075 | 50 | Dual | - | 1.4 A | 125W | 19.3db | - | 50 V |
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