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Transistores (100539)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Condición de PrueBa | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Voltaje - PrueBa | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID | Resistencia - RDS (ON) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | STP265N6F6AG | - |  | 3027 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Automotive, AEC-Q101, StripFet ™ F6 | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | STP265 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 497-15558-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 180A (TC) | 10V | 2.85mohm @ 60a, 10v | 4V @ 250 µA | 183 NC @ 10 V | ± 20V | 11800 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | Stw40n65m2 | 6.2500 | | 4759 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Mdmesh ™ m2 | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Stw40 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 497-15576-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 32A (TC) | 10V | 99mohm @ 16a, 10v | 4V @ 250 µA | 56.5 NC @ 10 V | ± 25V | 2355 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | FDMS86368-F085 | - | | 7187 | 0.00000000 | onde | Automotriz, AEC-Q101, Powertrench® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | FDMS86368 | Mosfet (Óxido de metal) | Power56 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 V | 80a (TC) | 10V | 4.5mohm @ 80a, 10v | 4V @ 250 µA | 75 NC @ 10 V | ± 20V | 4350 pf @ 40 V | - | 214W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | NDD03N40Z-1G | - | | 2777 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | NDD03 | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 400 V | 2.1a (TC) | 10V | 3.4ohm @ 600 mA, 10V | 4.5V @ 50 µA | 6.6 NC @ 10 V | ± 30V | 140 pf @ 50 V | - | 37W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
| NDDL01N60Z-1G | - | | 5034 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Nddl0 | Mosfet (Óxido de metal) | I-pak | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 600 V | 800 mA (TA) | 10V | 15ohm @ 400mA, 10V | 4.5V @ 50 µA | 4.9 NC @ 10 V | ± 30V | 92 pf @ 25 V | - | 26W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Nvmfs4c01nt1g | 4.9900 | | 9844 | 0.00000000 | onde | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn, 5 cables | Nvmfs4 | Mosfet (Óxido de metal) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 30 V | 49a (TA), 319a (TC) | 4.5V, 10V | 0.9mohm @ 30a, 10V | 2.2V @ 250 µA | 139 NC @ 10 V | ± 20V | 10144 pf @ 15 V | - | 3.84W (TA), 161W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | PCP1302-TD-H | - | | 7529 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | PCP1302 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-89/PCP-1 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 60 V | 3a (TA) | 4V, 10V | 266mohm @ 1.5a, 10V | 2.6V @ 1MA | 6.4 NC @ 10 V | ± 20V | 262 pf @ 20 V | - | 3.5W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | Smmbfj177lt1g | 0.4600 | | 1 | 0.00000000 | onde | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SMMBFJ177 | 225 MW | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 11PF @ 10V (VGS) | 30 V | 1.5 Ma @ 15 V | 800 MV @ 10 na | 300 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Ntlus4c12ntbg | - | | 1690 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-udfn almohadilla exposición | Ntlus4 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-udfn (2x2) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 6.8a (TA) | 3.3V, 10V | 9mohm @ 9a, 10v | 2.1V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 1172 pf @ 15 V | - | 630MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
| Ntmfs4c01nt1g | - | | 6071 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn, 5 cables | NTMFS4 | Mosfet (Óxido de metal) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 30 V | 47a (TA), 303A (TC) | 4.5V, 10V | 0.9mohm @ 30a, 10V | 2.2V @ 250 µA | 139 NC @ 10 V | ± 20V | 10144 pf @ 15 V | - | 3.2W (TA), 134W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| Ntmfs4c03nt1g | 2.0300 | | 2 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn, 5 cables | NTMFS4 | Mosfet (Óxido de metal) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 30 V | 30A (TA), 136A (TC) | 4.5V, 10V | 2.1mohm @ 30a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 45.2 NC @ 10 V | ± 20V | 3071 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA), 64W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | NDPL180N10BG | - | | 2637 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | NDPL18 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 180A (TA) | 10V, 15V | 3mohm @ 15V, 50a | 4V @ 1MA | 95 NC @ 10 V | ± 20V | 6950 pf @ 50 V | - | 2.1W (TA), 200W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Ndul09n150cg | - | | 6512 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | Ndul09 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-3PF-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 1500 V | 9a (TA) | 10V | 3ohm @ 3a, 10v | 4V @ 1MA | 114 NC @ 10 V | ± 30V | 2025 pf @ 30 V | - | 3W (TA), 78W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | Ngtb75n60swg | - | | 4324 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | NGTB75 | Estándar | 595 W | TO-247-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 75a, 10ohm, 15V | 80 ns | - | 600 V | 100 A | 200 A | 2V @ 15V, 75a | 1.5MJ (Encendido), 1MJ (Apaguado) | 310 NC | 110ns/270ns | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Stgwa40h120df2 | 6.9800 | | 8575 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Stgwa40 | Estándar | 468 W | TO-247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V, 40A, 10ohm, 15V | 488 ns | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 80 A | 160 A | 2.6V @ 15V, 40A | 1MJ (Encendido), 1.32MJ (apaguado) | 158 NC | 18ns/152ns | |||||||||||||||||||||||||||
 | DMP26M7UFG-13 | 0.3197 | | 1613 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | DMP26 | Mosfet (Óxido de metal) | PowerDI3333-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | DMP26M7UFG-13DI | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 18a (TA), 40a (TC) | 1.8V, 4.5V | 6.7mohm @ 15a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 156 NC @ 10 V | ± 10V | 5940 pf @ 10 V | - | 2.3W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||
 | Auirfn8405tr | 1.4978 | | 3725 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Auirfn8405 | Mosfet (Óxido de metal) | PQFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 40 V | 95A (TC) | 10V | 2mohm @ 50a, 10v | 3.9V @ 100 µA | 117 NC @ 10 V | ± 20V | 5142 pf @ 25 V | - | 3.3W (TA), 136W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | IRF7341GTRPBF | 2.2500 | | 20 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IRF734 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.4w | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 Canal N (Dual) | 55V | 5.1a | 50mohm @ 5.1a, 10v | 1V @ 250 µA (min) | 44nc @ 10V | 780pf @ 25V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| IRFH7184TRPBF | - | | 5846 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Fastirfet ™, hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | PQFN (5x6) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001570944 | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 100 V | 20A (TA), 128A (TC) | 10V | 4.8mohm @ 50A, 10V | 3.6V @ 150 µA | 54 NC @ 10 V | ± 20V | 2320 pf @ 50 V | - | 3.9W (TA), 156W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | IRGS4640DTRRPBF | - | | 8204 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Estándar | 250 W | D2pak | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001541990 | Obsoleto | 800 | 400V, 24a, 10ohm, 15V | 89 ns | - | 600 V | 65 A | 72 A | 1.9V @ 15V, 24a | 115 µJ (Encendido), 600 µJ (apaguado) | 75 NC | 41ns/104ns | |||||||||||||||||||||||||||||
 | IRLB4132PBF | 1.0200 | | 10 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRLB4132 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001558130 | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | N-canal | 30 V | 78a (TC) | 4.5V, 10V | 3.5mohm @ 40a, 10V | 2.35V @ 100 µA | 54 NC @ 4.5 V | ± 20V | 5110 pf @ 15 V | - | 140W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | IXTH52N65X | 10.0070 | | 6997 | 0.00000000 | Ixys | Ultra X | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IXTH52 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-247 (IXTH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 52a (TC) | 10V | 68mohm @ 26a, 10v | 5V @ 250 µA | 113 NC @ 10 V | ± 30V | 4350 pf @ 25 V | - | 660W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | NE3210S01 | - | | 1602 | 0.00000000 | Cela | - | Banda | Obsoleto | 4 V | 4-SMD | 12 GHz | Gaas HJ-Fet | SMD | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 15 Ma | 10 Ma | - | 13.5dB | 0.35db | 2 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FCH041N60F-F085 | 14.4700 | | 1306 | 0.00000000 | onde | Automotive, AEC-Q101, Superfet® II | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | FCH041 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 V | 76a (TC) | 10V | 41mohm @ 38a, 10v | 5V @ 250 µA | 347 NC @ 10 V | ± 20V | 10900 pf @ 25 V | - | 595W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | FGA6065Adf | - | | 4353 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | FGA6065 | Estándar | 306 W | Un 3pn | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | 400V, 60a, 6ohm, 15V | 110 ns | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 120 A | 180 A | 2.3V @ 15V, 60A | 2.46MJ (Encendido), 520 µJ (apaguado) | 84 NC | 25.6ns/71ns | |||||||||||||||||||||||||||
 | FCPF290N80 | 6.4900 | | 773 | 0.00000000 | onde | Powertrench® | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | FCPF290 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 800 V | 17a (TC) | 10V | 290mohm @ 8.5a, 10V | 4.5V @ 1.7MA | 75 NC @ 10 V | ± 20V | 3205 pf @ 100 V | - | 40W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| FCH104N60F-F085 | 6.3300 | | 298 | 0.00000000 | onde | Automotive, AEC-Q101, Superfet® II | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | FCH104 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 V | 37a (TC) | 10V | 104mohm @ 18.5a, 10V | 5V @ 250 µA | 139 NC @ 10 V | ± 20V | 4302 pf @ 100 V | - | 357W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | LN60A01EP-LF | - | | 8856 | 0.00000000 | Monolithic Power Systems Inc. | - | Tubo | Activo | -20 ° C ~ 125 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm), 7 cables | LN60A | Mosfet (Óxido de metal) | 1.3w | 8-PDIP-7B | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | 3 canales, Puerta Común | 600V | 80mera | 190ohm @ 10mA, 10V | 1.2V @ 250 µA | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | SSM6K411TU (TE85L, F | - | | 5581 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | U-Mosiv | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-smd, planos de cables | SSM6K411 | Mosfet (Óxido de metal) | UF6 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 10a (TA) | 2.5V, 4.5V | 12mohm @ 7a, 4.5V | 1.2V @ 1MA | 9.4 NC @ 4.5 V | ± 12V | 710 pf @ 10 V | - | 1W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | Stgb10m65df2 | 2.2700 | | 1 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Stgb10 | Estándar | 115 W | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V, 10a, 22ohm, 15V | 96 ns | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 20 A | 40 A | 2V @ 15V, 10a | 120 µJ (Encendido), 270 µJ (apaguado) | 28 NC | 19ns/91ns |
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