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| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Condición de PrueBa | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRG8CH10K10F | - |  | 1362 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | Irg8ch | Estándar | Morir | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | SP001537442 | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | 600V, 5A, 47OHM, 15V | - | 1200 V | 2V @ 15V, 5A | - | 30 NC | 20ns/160ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG8CH20K10D | - | | 1429 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | Irg8ch | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG8CH29K10D | - | | 8420 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | Irg8ch | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG8CH29K10F | - | | 5377 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | Irg8ch | Estándar | Morir | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | SP001536690 | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | 600V, 25A, 10ohm, 15V | - | 1200 V | 2V @ 15V, 25A | - | 160 NC | 40ns/245ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
| VS-GA200HS60S1 | - | | 9125 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Int-a-pak | GA200 | 830 W | Estándar | Int-a-pak | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 15 | Medio puente | - | 600 V | 480 A | 1.21V @ 15V, 200a | 1 MA | No | 32.5 NF @ 30 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | CSD18536KTT | 4.8700 | | 3392 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | Nexfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-263-4, D²PAK (3 cables + Pestaña), TO-263AA | CSD18536 | Mosfet (Óxido de metal) | Ddpak/to-263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 60 V | 200a (TA) | 4.5V, 10V | 1.6mohm @ 100a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 140 NC @ 10 V | ± 20V | 11430 pf @ 30 V | - | 375W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| PTFB260605ELV1XWSA1 | - | | 1245 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Banda | Obsoleto | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP000800738 | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJK5014DPK-00#T0 | - | | 2815 | 0.00000000 | onde | * | Una granela | Activo | RJK5014 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CAS325M12HM2 | - | | 2308 | 0.00000000 | Wolfspeed, Inc. | Z-REC ™ | Una granela | Obsoleto | 175 ° C (TJ) | Módulo | CAS325 | CARBURO DE SILICIO (SIC) | 3000W | Módulo | descascar | Cumplimiento de Rohs | No Aplicable | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 Canales N (Medio Puente) | 1200V (1.2kv) | 444a (TC) | 4.3mohm @ 400a, 20V | 4V @ 105MA | 1127nc @ 20V | 19500pf @ 1000V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 94-4849pbf | - | | 2029 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 75 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SUP70090E-GE3 | 3.0600 | | 56 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SUP70090 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 100 V | 50A (TC) | 7.5V, 10V | 8.9mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | 50 NC @ 10 V | ± 20V | 1950 pf @ 50 V | - | 125W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
 | IKD03N60RFATMA1 | 1.0300 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IKD03N60 | Estándar | 53.6 W | PG-TO252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 400V, 2.5A, 68OHM, 15V | 31 ns | Parada de Campo de Trinchera | 600 V | 6.5 A | 7.5 A | 2.5V @ 15V, 2.5a | 50 µJ (Encendido), 40 µJ (apaguado) | 17.1 NC | 10ns/128ns | |||||||||||||||||||||||||||
| IKD10N60RATMA1 | 1.6600 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Ikd10n | Estándar | 150 W | PG-TO252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 400V, 10a, 23ohm, 15V | Parada de Campo de Trinchera | 600 V | 20 A | 30 A | 2.1V @ 15V, 10a | 210 µJ (Encendido), 380 µJ (apagado) | 64 NC | 14NS/192NS | ||||||||||||||||||||||||||||
| IKD15N60RATMA1 | 1.9600 | | 30 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IKD15N60 | Estándar | 250 W | PG-TO252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 400V, 15a, 15ohm, 15V | Parada de Campo de Trinchera | 600 V | 30 A | 45 A | 2.1V @ 15V, 15a | 370 µJ (Encendido), 530 µJ (apagado) | 90 NC | 16ns/183ns | ||||||||||||||||||||||||||||
 | IGW40N60TPXKSA1 | 3.2500 | | 480 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop ™ | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IGW40N60 | Estándar | 246 W | PG-TO247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 40A, 10.1ohm, 15V | Parada de Campo de Trinchera | 600 V | 67 A | 120 A | 1.8V @ 15V, 40A | 1.06mj (Encendido), 610 µJ (apaguado) | 177 NC | 18ns/222ns | ||||||||||||||||||||||||||||
| Nttfs5cs70nltag | 2.0600 | | 1977 | 0.00000000 | onde | * | Tape & Reel (TR) | Activo | NTTFS5 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRF135S203 | 3.0000 | | 524 | 0.00000000 | Infineon Technologies | HEXFET®, StrongIrfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF135 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 135 V | 129a (TC) | 10V | 8.4mohm @ 77a, 10v | 4V @ 250 µA | 270 NC @ 10 V | ± 20V | 9700 pf @ 50 V | - | 441W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | Auirgf65a40d0 | - | | 7045 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolirigbt ™ | Tubo | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Auirgf65 | Un 247ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Auirgp65a40d0 | - | | 3050 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Coolirigbt ™ | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Auirgp65 | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRGIB4620DPBF | - | | 7180 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Estándar | 140 W | PG-to220-FP | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001545068 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 12a, 22ohm, 15V | 68 ns | Escrutinio | 600 V | 32 A | 36 A | 1.85V @ 15V, 12A | 185 µJ (Encendido), 355 µJ (apagado) | 25 NC | 31ns/83ns | ||||||||||||||||||||||||||||
| IRGIB4630DPBF | - | | 3864 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Estándar | 206 W | PG-to220-FP | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001548140 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V, 18a, 22ohm, 15V | 100 ns | Escrutinio | 600 V | 47 A | 54 A | 1.95V @ 15V, 18a | 95 µJ (Encendido), 350 µJ (apaguado) | 35 NC | 40ns/105ns | ||||||||||||||||||||||||||||
| J203-18 | - | | 5551 | 0.00000000 | Central de semiconductores | * | Una granela | Obsoleto | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 8536.69.4040 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TPH3208LD | - | | 5876 | 0.00000000 | Transformación | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-PowerDFN | Ganfet (Nitruro de Galio) | 4-PQFN (8x8) | descascar | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8541.29.0095 | 60 | N-canal | 650 V | 20A (TC) | 10V | 130mohm @ 13a, 8V | 2.6V @ 300 µA | 14 NC @ 8 V | ± 18V | 760 pf @ 400 V | - | 96W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| PTFB090901FA-V2-R0 | - | | 9332 | 0.00000000 | Wolfspeed, Inc. | - | Banda | Obsoleto | 65 V | Montaje en superficie | H-37265-2 | 960MHz | Ldmos | H-37265-2 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.33.0001 | 50 | - | 650 Ma | 25W | 19.5dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| PTFB182503EL-V1-R0 | 106.9166 | | 9522 | 0.00000000 | Wolfspeed, Inc. | - | Banda | No hay para Nuevos Diseños | 65 V | Monte del Chasis | H-33288-6 | PTFB182503 | 1.88GHz | Ldmos | H-33288-6 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.33.0001 | 50 | - | 1.85 A | 50W | 19dB | - | 30 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| PTFC260202FC-V1-R0 | - | | 8710 | 0.00000000 | Wolfspeed, Inc. | - | Banda | Obsoleto | 65 V | Monte del Chasis | H-37248-4 | PTFC260202 | 2.69 GHz | Ldmos | H-37248-4 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.33.0001 | 50 | Dual | - | 170 Ma | 5W | 20dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
| PXAC241702FC-V1-R0 | 92.8812 | | 3990 | 0.00000000 | Wolfspeed, Inc. | - | Banda | Activo | 65 V | Monte del Chasis | H-37248-4 | PXAC241702 | 2.4GHz | Ldmos | H-37248-4 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.33.0001 | 50 | - | 360 Ma | 28W | 16.5dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FDMS8350LET40 | 2.3785 | | 5032 | 0.00000000 | onde | Powertrench® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | FDMS8350 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-PQFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 49A (TA), 300A (TC) | 4.5V, 10V | 0.85mohm @ 47a, 10V | 3V @ 250 µA | 219 NC @ 10 V | ± 20V | 16590 pf @ 20 V | - | 3.33W (TA), 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | SSM3K37FS, LF | 0.2300 | | 122 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor y Almacenamiento | U-Mosiii | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TA) | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | SSM3K37 | Mosfet (Óxido de metal) | SSM | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 200MA (TA) | 1.5V, 4.5V | 2.2ohm @ 100 mm, 4.5V | 1V @ 1MA | ± 10V | 12 pf @ 10 V | - | 100MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BLC8G27LS-160AVHY | - | | 4014 | 0.00000000 | AMpleon USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 28 V | Monte del Chasis | SOT-1275-1 | 2.5Ghz ~ 2.69GHz | Ldmos | DFM6 | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 934960002518 | Obsoleto | 0000.00.0000 | 100 | - | 490 Ma | 31.6w | 14.5dB | - | 28 V |
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