SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Resistencia - RDS (ON) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
IKA08N65H5XKSA1 International Rectifier Ika08n65h5xksa1 -
RFQ
ECAD 2861 0.00000000 Rectificador internacional Trenchstop ™ 5 Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Estándar 31.2 W PG-to20-3-111 - Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-IKA08N65H5XKSA1-600047 1 400V, 4A, 48OHM, 15V 40 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 10.8 A 24 A 2.1V @ 15V, 8a 70 µJ (Encendido), 30 µJ (apaguado) 22 NC 11ns/115ns
RE1L002SNTL Rohm Semiconductor RE1L002SNTL 0.4000
RFQ
ECAD 52 0.00000000 Semiconductor rohm - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-89, SOT-490 RE1L002 Mosfet (Óxido de metal) EMT3F (SOT-416FL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 250 mA (TA) 10V 2.4ohm @ 250 mA, 10V 2.3V @ 1MA ± 20V 15 pf @ 25 V - 150MW (TA)
GP2T080A120U SemiQ GP2T080A120U 11.8700
RFQ
ECAD 414 0.00000000 Semiq - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 GP2T080A Sicfet (CARBURO DE SILICIO) TO-247-3 descascar 1 (ilimitado) 1560-GP2T080A120U EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1200 V 35A (TC) 20V 100mohm @ 20a, 20V 4V @ 10mA 58 NC @ 20 V +25V, -10V 1377 pf @ 1000 V - 188W (TC)
IAUS300N08S5N011TATMA1 Infineon Technologies IAUS300N08S5N011TATMA1 8.9100
RFQ
ECAD 5880 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ 5 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Módulo de 16-POWERSOP Mosfet (Óxido de metal) PG-HDSOP-16-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.800 N-canal 80 V 300A (TJ) 6V, 10V 1.1mohm @ 100a, 10v 3.8V @ 275 µA 231 NC @ 10 V ± 20V 16250 pf @ 40 V - 375W (TC)
DMN2500UFB4-7B Diodes Incorporated DMN2500UFB4-7B -
RFQ
ECAD 7480 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-xfdfn DMN2500 Mosfet (Óxido de metal) X2-DFN1006-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMN2500UFB4-7BDI EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 810MA (TA) 1.8V, 4.5V 400mohm @ 600mA, 4.5V 1V @ 250 µA 0.737 NC @ 4.5 V ± 6V 60.67 pf @ 16 V - 460MW (TA)
PHB20NQ20T,118 Nexperia USA Inc. PHB20NQ20T, 118 -
RFQ
ECAD 5594 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 200 V 20A (TC) 10V 130mohm @ 10a, 10v 4V @ 1MA 65 NC @ 10 V ± 20V 2470 pf @ 25 V - 150W (TC)
SCT2280KEHRC11 Rohm Semiconductor SCT2280KEHRC11 15.1500
RFQ
ECAD 450 0.00000000 Semiconductor rohm Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 SCT2280 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) To-247n descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 846-SCT2280KEHRC11 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1200 V 14a (TC) 18V 364mohm @ 4a, 18V 4V @ 1.4MA 36 NC @ 400 V +22V, -6V 667 pf @ 800 V - 108W (TC)
FQI6N60CTU onsemi Fqi6n60ctu -
RFQ
ECAD 7708 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Fqi6 Mosfet (Óxido de metal) I2pak (TO-262) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 5.5a (TC) 10V 2ohm @ 2.75a, 10v 4V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 30V 810 pf @ 25 V - 125W (TC)
BUK7535-100A,127 Nexperia USA Inc. BUK7535-100A, 127 -
RFQ
ECAD 2960 0.00000000 Nexperia USA Inc. Trenchmos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 41a (TC) 10V 35mohm @ 25A, 10V 4V @ 1MA ± 20V 2535 pf @ 25 V - 149W (TC)
PMDPB30XN/S711115 NXP USA Inc. PMDPB30XN/S711115 -
RFQ
ECAD 5269 0.00000000 NXP USA Inc. * Una granela Activo descascar No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0095 3.000
AONS32106 Alpha & Omega Semiconductor Inc. Aons32106 0.2379
RFQ
ECAD 2124 0.00000000 Alpha y Omega Semiconductor Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowersMD, Pistas Plans Aons321 Mosfet (Óxido de metal) 8-DFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 785-Aons32106tr EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 V 20A (TA), 20A (TC) 2.5V, 4.5V 5.3mohm @ 20a, 4.5V 1.25V @ 250 µA 45 NC @ 4.5 V ± 12V 3300 pf @ 10 V - 5W (TA), 36W (TC)
FS150R17PE4BOSA1 Infineon Technologies FS150R17PE4BOSA1 365.9067
RFQ
ECAD 5138 0.00000000 Infineon Technologies ECONOPACK ™ 4 Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C Monte del Chasis Módulo FS150R17 835 W Estándar Módulo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 6 Inversor trifásico Parada de Campo de Trinchera 1700 V 150 A 2.3V @ 15V, 150a 1 MA Si 13.5 NF @ 25 V
KSC945CYTA onsemi Ksc945cyta 0.3900
RFQ
ECAD 33 0.00000000 onde - Cinta de Corte (CT) Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales KSC945 250 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 50 V 150 Ma 100NA (ICBO) NPN 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 120 @ 1 MMA, 6V 300MHz
IRFP351 Harris Corporation IRFP351 2.0300
RFQ
ECAD 323 0.00000000 Harris Corporation - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) To-247 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.29.0095 1 N-canal 350 V 16a (TC) 10V 300mohm @ 8.9a, 10v 4V @ 250 µA 130 NC @ 10 V ± 20V 2000 pf @ 25 V - 180W (TC)
DSS4240V-7 Diodes Incorporated DSS4240V-7 0.4000
RFQ
ECAD 396 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 DSS4240 600 MW SOT-563 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 40 V 2 A 100na NPN 400mv @ 200MA, 2a 300 @ 500 mA, 5V 150MHz
PSMN5R4-25YLD,115 Nexperia USA Inc. PSMN5R4-25YLD, 115 0.8000
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Nexperia USA Inc. * Una granela Activo - 0000.00.0000 1
IXFX140N60X3 IXYS IXFX140N60X3 25.1893
RFQ
ECAD 5279 0.00000000 Ixys - Tubo Activo Ixfx140 - 238-IXFX140N60X3 30
NTE36 NTE Electronics, Inc NTE36 5.1900
RFQ
ECAD 296 0.00000000 NTE Electronics, Inc - Bolsa Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 100 W Un 3p descascar ROHS3 Cumplante 2368-NTE36 EAR99 8541.29.0095 1 140 V 12 A 100 µA NPN 2.5V @ 500mA, 5A 60 @ 1a, 5v 15MHz
FDC6312P onsemi FDC6312P 0.6800
RFQ
ECAD 8539 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 FDC6312 Mosfet (Óxido de metal) 700MW Supersot ™ -6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 20V 2.3a 115mohm @ 2.3a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 7NC @ 4.5V 467pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
SQ3456BEV-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ3456BEV-T1_GE3 0.6900
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 SQ3456 Mosfet (Óxido de metal) 6-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 7.8a (TC) 4.5V, 10V 35mohm @ 6a, 10v 2.5V @ 250 µA 10 NC @ 10 V ± 20V 370 pf @ 15 V - 4W (TC)
IXGR50N60B IXYS IXGR50N60B -
RFQ
ECAD 1840 0.00000000 Ixys Hiperfast ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ixgr50 Estándar 250 W Isoplus247 ™ descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 480V, 50A, 2.7OHM, 15V - 600 V 75 A 200 A 2.5V @ 15V, 50A 3MJ (apaguado) 110 NC 50ns/110ns
IMW65R107M1HXKSA1 Infineon Technologies IMW65R107M1HXKSA1 10.9000
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Infineon Technologies Coolsic ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IMW65R107 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) PG-TO247-3-41 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 20A (TC) 18V 142mohm @ 8.9a, 18V 5.7V @ 3MA 15 NC @ 18 V +23V, -5V 496 pf @ 400 V - 75W (TC)
CPH5703-TL-E onsemi CPH5703-TL-E 0.3300
RFQ
ECAD 9 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0075 3.000
PJF60R290E_T0_00001 Panjit International Inc. PJF60R290E_T0_00001 1.1079
RFQ
ECAD 2265 0.00000000 Panjit International Inc. - Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero PJF60R290E Mosfet (Óxido de metal) ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 3757-PJF60R290E_T0_00001 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 1.7a (TA), 15a (TC) 10V 290mohm @ 6.5a, 10V 4V @ 250 µA 40 NC @ 10 V ± 20V 1013 pf @ 25 V - 60W (TC)
PJX8805_R1_00001 Panjit International Inc. PJX8805_R1_00001 0.1185
RFQ
ECAD 8661 0.00000000 Panjit International Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 PJX8805 Mosfet (Óxido de metal) 300MW (TA) SOT-563 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 3757-PJX8805_R1_00001TR EAR99 8541.21.0095 4.000 2 Canal P (Dual) 30V 500 mA (TA) 390mohm @ 500 mA, 4.5V 1.3V @ 250 µA 1.6nc @ 4.5V 137pf @ 15V -
SQM40020E_GE3 Vishay Siliconix SQM40020E_GE3 2.4400
RFQ
ECAD 5592 0.00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SQM40020 Mosfet (Óxido de metal) TO-263 (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 40 V 100A (TC) 10V 2.33mohm @ 20a, 10v 3.5V @ 250 µA 130 NC @ 10 V ± 20V 8000 pf @ 25 V - 150W (TC)
MMBFJ175 Fairchild Semiconductor Mmbfj175 -
RFQ
ECAD 5205 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Mmbfj1 225 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 0000.00.0000 1 Canal P - 30 V 7 Ma @ 15 V 3 V @ 10 na 125 ohmios
2SD1851-TB-E-SY Sanyo 2SD1851-TB-E-SY 0.1000
RFQ
ECAD 219 0.00000000 Sanyo * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0095 3.000
FDS6680S Fairchild Semiconductor Fds6680s 0.5200
RFQ
ECAD 42 0.00000000 Semiconductor de fairchild Powertrench® Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 11.5a (TA) 4.5V, 10V 11mohm @ 11.5a, 10v 3V @ 250 µA 24 NC @ 5 V ± 20V 2010 pf @ 15 V - 2.5W (TA)
IRF3717PBF Infineon Technologies IRF3717PBF -
RFQ
ECAD 9683 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001564392 EAR99 8541.29.0095 95 N-canal 20 V 20A (TA) 4.5V, 10V 4.4mohm @ 20a, 10v 2.45V @ 250 µA 33 NC @ 4.5 V ± 20V 2890 pf @ 10 V - 2.5W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock