SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC
DMN3026LVTQ-13 Diodes Incorporated DMN3026LVTQ-13 0.1418
RFQ
ECAD 4875 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 DMN3026 Mosfet (Óxido de metal) TSOT-26 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10,000 N-canal 30 V 6.6a (TA) 4.5V, 10V 23mohm @ 6.5a, 10v 2V @ 250 µA 12.5 NC @ 10 V ± 20V 643 pf @ 15 V - 1.2W (TA)
DMN63D1L-13 Diodes Incorporated DMN63D1L-13 0.0340
RFQ
ECAD 4964 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN63 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 60 V 380MA (TA) 5V, 10V 2ohm @ 500 mA, 10V 2.5V @ 1MA 0.3 NC @ 4.5 V ± 20V 30 pf @ 25 V - 370MW (TA)
BLF882U Ampleon USA Inc. BLF882U 129.9750
RFQ
ECAD 2527 0.00000000 AMpleon USA Inc. - Banda No hay para Nuevos Diseños 104 V Monte del Chasis Sot-502a BLF882 705MHz Ldmos Sot502a descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 20 - 100 mA 200W 20.6db - 50 V
DMP3008SFGQ-7 Diodes Incorporated DMP3008SFGQ-7 1.2100
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMP3008 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 Canal P 30 V 8.6a (TA) 4.5V, 10V 17mohm @ 10a, 10v 2.1V @ 250 µA 47 NC @ 10 V ± 20V 2230 pf @ 15 V - 900MW (TA)
DMP3008SFGQ-13 Diodes Incorporated DMP3008SFGQ-13 1.2100
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMP3008 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 30 V 8.6a (TA) 4.5V, 10V 17mohm @ 10a, 10v 2.1V @ 250 µA 47 NC @ 10 V ± 20V 2230 pf @ 15 V - 900MW (TA)
DMNH10H028SK3-13 Diodes Incorporated DMNH10H028SK3-13 0.5880
RFQ
ECAD 2569 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMNH10 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 55A (TC) 10V 28mohm @ 20a, 10v 3.3V @ 250 µA 36 NC @ 10 V ± 20V 2245 pf @ 50 V - 2W (TA)
DMP510DL-7 Diodes Incorporated DMP510DL-7 0.3300
RFQ
ECAD 69 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMP510 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 50 V 180MA (TA) 5V 10ohm @ 100 mapa, 5V 2v @ 1 mapa ± 30V 24.6 pf @ 25 V - 310MW (TA)
2N7002 BK PBFREE Central Semiconductor Corp 2N7002 BK PBFree 0.0959
RFQ
ECAD 9092 0.00000000 Central de semiconductores - Caja Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3,500 N-canal 60 V 115MA (TC) 5V, 10V 7.5ohm @ 500 mA, 10V 2.5V @ 250 µA 0.59 NC @ 4.5 V 40V 50 pf @ 25 V - 350MW (TA)
SSM6K504NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K504NU, LF 0.3800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor y Almacenamiento U-Mosvii Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 6 wdfn SSM6K504 Mosfet (Óxido de metal) 6-udfnb (2x2) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 9a (TA) 4.5V, 10V 19.5mohm @ 4a, 10v 2.5V @ 100 µA 4.8 NC @ 4.5 V ± 20V 620 pf @ 15 V - 1.25W (TA)
IXA220I650NA IXYS Ixa220i650na -
RFQ
ECAD 7676 0.00000000 Ixys - Tubo Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Ixa220 625 W Estándar Sot-227b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 Soltero PT 650 V 225 A 100 µA No
IXB80IF600NA IXYS IXB80IF600NA -
RFQ
ECAD 6574 0.00000000 Ixys - Tubo Activo - Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita IXB80IF600 Estándar Sot-227b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 - NPT, PT 600 V 120 A - - -
IXBL20N300C IXYS IXBL20N300C -
RFQ
ECAD 1340 0.00000000 Ixys Bimosfet ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Isoplusi5-pak ™ IXBL20 Estándar 417 W Isoplusi5-pak ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 1500V, 20a, 3ohm, 15V 864 ns - 3000 V 50 A 430 A 6V @ 15V, 20a 23MJ (Encendido), 2.6MJ (apaguado) 425 NC 33ns/370ns
IXBT12N300HV IXYS IXBT12N300HV 37.6500
RFQ
ECAD 4241 0.00000000 Ixys Bimosfet ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA IXBT12 Estándar 160 W TO-268HV (IXBT) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 1250V, 12a, 10ohm, 15V 1.4 µs - 3000 V 30 A 100 A 3.2V @ 15V, 12A - 62 NC 64ns/180ns
IXFP18N60X IXYS IXFP18N60X 6.6443
RFQ
ECAD 9868 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Ultra X Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IXFP18 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 18a (TC) 10V 230mohm @ 9a, 10v 4.5V @ 1.5MA 35 NC @ 10 V ± 30V 1440 pf @ 25 V - 320W (TC)
IXFP230N075T2 IXYS IXFP230N075T2 7.1800
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Trencht2 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IXFP230 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 75 V 230A (TC) 10V 4.2mohm @ 50A, 10V 4V @ 1MA 178 NC @ 10 V ± 20V 10500 pf @ 25 V - 480W (TC)
IXGT6N170AHV IXYS IXGT6N170AHV 14.5227
RFQ
ECAD 4663 0.00000000 Ixys - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Ixgt6n170 Estándar 75 W TO-268HV (IXGT) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 850V, 6A, 33OHM, 15V - 1700 V 6 A 14 A 7V @ 15V, 3a 590 µJ (Encendido), 180 µJ (apagado) 18.5 NC 46ns/220ns
IXXH150N60C3 IXYS IXXH150N60C3 12.4200
RFQ
ECAD 3343 0.00000000 Ixys GenX3 ™, XPT ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-247-2 Ixxh150 Estándar 1360 W Un 247ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 75a, 2ohm, 15V PT 600 V 300 A 150 A 2.5V @ 15V, 150a 3.4mj (Encendido), 1.8mj (apagado) 200 NC 34ns/120ns
IXXH30N60B3 IXYS Ixxh30n60b3 5.0815
RFQ
ECAD 8055 0.00000000 Ixys GenX3 ™, XPT ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ixxh30 Estándar 270 W TO-247AD (IXXH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 24a, 10ohm, 15V PT 600 V 60 A 115 A 1.85V @ 15V, 24a 550 µJ (Encendido), 500 µJ (apaguado) 39 NC 23ns/97ns
IXYP20N65C3D1 IXYS Ixyp20n65c3d1 3.8400
RFQ
ECAD 1413 0.00000000 Ixys GenX3 ™, XPT ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Ixyp20 Estándar 200 W Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 400V, 20a, 20ohm, 15V 135 ns PT 650 V 50 A 105 A 2.5V @ 15V, 20a 430 µJ (Encendido), 350 µJ (apaguado) 30 NC 19ns/80ns
VMM90-09P IXYS VMM90-09P -
RFQ
ECAD 9080 0.00000000 Ixys * Caja Activo VMM90 - - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2 -
MAGX-000912-650L00 MACOM Technology Solutions MAGX-000912-650L00 -
RFQ
ECAD 8638 0.00000000 SOLUCTIONES TECNOLÓGICAS DE MACOM - Una granela Obsoleto - 960MHz ~ 1.22GHz Hemt - descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1465-1766 EAR99 8541.29.0075 1 33a 500 mA 650W 20.5dB - 50 V
C3M0280090J Wolfspeed, Inc. C3M0280090J 6.5900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Wolfspeed, Inc. C3M ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-263-8, D²PAK (7 cables + Pestaña), TO-263CA C3M0280090 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) Un 263-7 descascar Cumplimiento de Rohs 3 (168 Horas) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 900 V 11a (TC) 15V 360mohm @ 7.5a, 15V 3.5V @ 1.2MA 9.5 NC @ 15 V +18V, -8V 150 pf @ 600 V - 50W (TC)
CAS325M12HM2 Wolfspeed, Inc. CAS325M12HM2 -
RFQ
ECAD 2308 0.00000000 Wolfspeed, Inc. Z-REC ™ Una granela Obsoleto 175 ° C (TJ) Módulo CAS325 CARBURO DE SILICIO (SIC) 3000W Módulo descascar Cumplimiento de Rohs No Aplicable EAR99 8541.29.0095 1 2 Canales N (Medio Puente) 1200V (1.2kv) 444a (TC) 4.3mohm @ 400a, 20V 4V @ 105MA 1127nc @ 20V 19500pf @ 1000V -
CGHV60040D-GP4 Wolfspeed, Inc. CGHV60040D-GP4 51.4890
RFQ
ECAD 140 0.00000000 Wolfspeed, Inc. Ganancia Banda Activo 150 V Morir CGHV60040 6GHz Hemt Morir descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0075 10 - 65 Ma 40W 17dB - 50 V
PTFA080551E-V4-R0 Wolfspeed, Inc. PTFA080551E-V4-R0 54.9642
RFQ
ECAD 5872 0.00000000 Wolfspeed, Inc. - Banda No hay para Nuevos Diseños 65 V Monte del Chasis H-36265-2 PTFA080551 869MHz ~ 960MHz Ldmos H-36265-2 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 10 µA 450 Ma 55W 18.5dB - 28 V
PTFA091201E-V4-R0 Wolfspeed, Inc. PTFA091201E-V4-R0 -
RFQ
ECAD 3907 0.00000000 Wolfspeed, Inc. - Banda Obsoleto 65 V 2-Flatpack, Aletas, Con Bridas 920MHz ~ 960MHz Ldmos H-36248-2 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 10 µA 750 Ma 120W 19dB - 28 V
DMN10H700S-7 Diodes Incorporated DMN10H700S-7 0.4200
RFQ
ECAD 31 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN10 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 100 V 700 mA (TA) 6V, 10V 700mohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250 µA 4.6 NC @ 10 V ± 20V 235 pf @ 50 V - 400MW (TA)
DMNH6012SPS-13 Diodes Incorporated DMNH6012SPS-13 0.5513
RFQ
ECAD 6134 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMNH6012 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 50A (TC) 10V 11mohm @ 50a, 10v 4V @ 250 µA 35.2 NC @ 10 V ± 20V 1926 pf @ 30 V - 1.6w (TA)
DMT3020LFDB-7 Diodes Incorporated DMT3020LFDB-7 0.6300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMT3020 Mosfet (Óxido de metal) 700MW U-DFN2020-6 (TUPO B) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 30V 7.7a 20mohm @ 9a, 10v 3V @ 250 µA 7NC @ 10V 393pf @ 15V -
SPD04N60S5BTMA1 Infineon Technologies SPD04N60S5BTMA1 -
RFQ
ECAD 6862 0.00000000 Infineon Technologies Coolmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SPD04N Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP000313946 EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 4.5A (TC) 10V 950mohm @ 2.8a, 10V 5.5V @ 200 µA 22.9 NC @ 10 V ± 20V 580 pf @ 25 V - 50W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock