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| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Condición de PrueBa | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Voltaje - PrueBa | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Drenaje real (ID) - Max |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Siha22n60ael-ge3 | - |  | 3849 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | El | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Siha22 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 21a (TC) | 10V | 180mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 82 NC @ 10 V | ± 30V | 1757 pf @ 100 V | - | 35W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N2896 | 17.3831 | | 2494 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Bolsa | Activo | - | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 1.8 W | TO-18 (TO-206AA) | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2n2896ms | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 90 V | 1 A | 10NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 15 Ma, 150 Ma | 60 @ 150mA, 10V | 120MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Jansr2n2484ub | 70.4104 | | 9876 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | - | - | 2N2484 | - | - | Alcanzar sin afectado | Jansr2n2484ubms | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AO6405_101 | - | | 5942 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-74, SOT-457 | AO640 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 5A (TA) | 4.5V, 10V | 52mohm @ 5a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 520 pf @ 15 V | - | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOTF16N50_001 | - | | 9754 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Tubo | Obsoleto | - | - | - | AOTF16 | Mosfet (Óxido de metal) | - | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOTF4N60_002 | - | | 2988 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Tubo | Obsoleto | - | - | - | AOTF4 | Mosfet (Óxido de metal) | - | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N2609 | 11.4114 | | 4430 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Bolsa | Activo | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 2N2609 | 300 MW | TO-18 (TO-206AA) | descascar | Alcanzar sin afectado | 2n2609ms | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | Canal P | 10pf @ 5V | 30 V | 2 Ma @ 5 V | 750 MV @ 1 A | 10 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GWS4621L | - | | 9101 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-xflga, CSP | GWS46 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.6W (TA) | 4-WLCSP (1.82x1.82) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canales (dual) Drenaje Común | 20V | 10.1a (TA) | 9.8mohm @ 3a, 4.5V | 1.5V @ 1MA | 11NC @ 4V | 1125pf @ 10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Blf879psin | - | | 5480 | 0.00000000 | AMpleon USA Inc. | - | Banda | Obsoleto | - | - | - | - | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 934067202112 | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BLP8G10S-45P | - | | 6634 | 0.00000000 | AMpleon USA Inc. | - | Banda | Obsoleto | 65 V | Montaje en superficie | SOT-1223-2 | BLP8 | 700MHz ~ 1 GHz | Ldmos | 4-HSOPF | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | Fuente Común Dual | 1.4 µA | 224 Ma | 45W | 20.8db | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCP68/ZLF | - | | 8834 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | 1.35 W | SOT-223 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 934070717135 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 20 V | 2 A | 100NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 200Ma, 2a | 160 @ 500mA, 1V | 170MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUK3F00-50WGFA, 518 | - | | 5952 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 935288102518 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUK9MFF-65PSS, 518 | - | | 1928 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Trenchplus | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 20-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Buk9m | Mosfet (Óxido de metal) | 4.75W (TC) | 20-SO | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 934063228518 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 Canal N (Dual) | 65V | 13.6a (TC) | 12.3mohm @ 10a, 10v | 2v @ 1 mapa | 40.2NC @ 5V | 3052pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPD95R2K0P7ATMA1 | 1.4400 | | 800 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ P7 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD95R2 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 950 V | 4A (TC) | 10V | 2ohm @ 1.7a, 10v | 3.5V @ 80 µA | 10 NC @ 10 V | ± 20V | 330 pf @ 400 V | - | 37W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPU95R1K2P7AKMA1 | 1.6400 | | 7198 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ P7 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IPU95R1 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO251-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | SP001792322 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 950 V | 6a (TC) | 10V | 1.2ohm @ 2.7a, 10v | 3.5V @ 140 µA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 478 pf @ 400 V | - | 52W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | RGTV00TS65GC11 | 6.2400 | | 6096 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | RGTV00 | Estándar | 276 W | To-247n | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 450 | 400V, 50A, 10ohm, 15V | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 95 A | 200 A | 1.9V @ 15V, 50A | 1.17MJ (Encendido), 940 µJ (apagado) | 104 NC | 41NS/142NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| RGW80TS65GC11 | 5.4600 | | 152 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | RGW80 | Estándar | 214 W | To-247n | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 40a, 10ohm, 15V | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 78 A | 160 A | 1.9V @ 15V, 40A | 760 µJ (Encendido), 720 µJ (apagado) | 110 NC | 44ns/143ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AOT460_001 | - | | 9931 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | AOT46 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 85A (TC) | 10V | 7.5mohm @ 30a, 10v | 4V @ 250 µA | 88 NC @ 10 V | ± 20V | 4560 pf @ 30 V | - | 268W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Sizf916dt-t1-ge3 | 1.6400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Sizf916 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.4W (TA), 26.6W (TC), 4W (TA), 60W (TC) | 8PowerPair® (6x5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 23a (TA), 40a (TC) | 4mohm @ 10a, 10v, 1.25mohm @ 10a, 10v | 2.4V @ 250 µA, 2.2V @ 250 µA | 22nc @ 10V, 95nc @ 10V | 1060pf @ 15V, 4320pf @ 15V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Nvd5867nlt4g | - | | 7335 | 0.00000000 | onde | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | NVD586 | Mosfet (Óxido de metal) | Dpak-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 6a (TA), 22a (TC) | 4.5V, 10V | 39mohm @ 11a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 675 pf @ 25 V | - | 3.3W (TA), 43W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SQJA37EP-T1_GE3 | 0.9000 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqja37 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 9.2mohm @ 6a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 100 NC @ 10 V | ± 20V | 4900 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STH47N60DM6-2AG | 7.2900 | | 6574 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | STH47 | Mosfet (Óxido de metal) | H2PAK-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 36A (TC) | 10V | 80mohm @ 18a, 10v | 4.75V @ 250 µA | 55 NC @ 10 V | ± 25V | 2350 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IKW15N120BH6XKSA1 | 3.8300 | | 9709 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop ™ | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IKW15N120 | Estándar | 200 W | PG-TO247-3-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V, 15a, 22ohm, 15V | 340 ns | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 30 A | 60 A | 2.3V @ 15V, 15a | 700 µJ (Encendido), 550 µJ (apaguado) | 92 NC | 18ns/240ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IKY75N120CS6XKSA1 | 12.3300 | | 139 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Trenchstop ™ | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-4 | IKY75N120 | Estándar | 880 W | PG-TO247-4-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V, 75a, 4ohm, 15V | 205 ns | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 150 A | 300 A | 2.15V @ 15V, 75a | 2.2MJ (Encendido), 2.95MJ (apaguado) | 530 NC | 32NS/300NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Rd3l050snfratl | 1.6800 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RD3L050 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 5A (TA) | 4V, 10V | 109mohm @ 5a, 10v | 3V @ 1MA | 8 NC @ 10 V | ± 20V | 290 pf @ 10 V | - | 15W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SJ599 (0) -Z-E1-AZ | - | | 8768 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | descascar | ROHS3 Cumplante | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 20A (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK3483 (0) -Z-E1-AY | - | | 4404 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | Vendedor indefinido | Obsoleto | 0000.00.0000 | 3.000 | 28a (TJ) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| N0300P-T1B-AT | - | | 3272 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | descascar | ROHS3 Cumplante | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 4.5a (TJ) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NP22N055SLE-E2-AY | - | | 7988 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | descascar | ROHS3 Cumplante | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 22a (TJ) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Np48n055zhe (1) wu | - | | 6539 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | Vendedor indefinido | Obsoleto | 0000.00.0000 | 3.000 | 48a (TC) |
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