SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE
EPC2202 EPC EPC2202 2.9100
RFQ
ECAD 65 0.00000000 EPC Automotive, AEC-Q101, Egan® Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Morir Ganfet (Nitruro de Galio) Morir descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0040 2.500 N-canal 80 V 18a (TA) 5V 17mohm @ 11a, 5V 2.5V @ 3MA 4 NC @ 5 V +5.75V, -4V 415 pf @ 50 V - -
T-TD1R4N60P 11 IXYS T-TD1R4N60P 11 -
RFQ
ECAD 1217 0.00000000 Ixys - Tubo Obsoleto - - - - - - 1 (ilimitado) T-TD1R4N60P11 EAR99 8541.29.0095 1 - - - - - - - -
AO3401 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO3401 0.0964
RFQ
ECAD 4887 0.00000000 Alpha y Omega Semiconductor Inc. - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, Variante Sot-23-3 AO34 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 30 V 4A (TA) 2.5V, 10V 50mohm @ 4a, 10v 1.3V @ 250 µA 14 NC @ 10 V ± 12V 645 pf @ 15 V - 1.4W (TA)
AO3407 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO3407 -
RFQ
ECAD 1666 0.00000000 Alpha y Omega Semiconductor Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, Variante Sot-23-3 AO34 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 30 V 4.1a (TA) 4.5V, 10V 52mohm @ 4.1a, 10V 2.4V @ 250 µA 11 NC @ 10 V ± 20V 520 pf @ 15 V - 1.4W (TA)
AO3404 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO3404 -
RFQ
ECAD 3326 0.00000000 Alpha y Omega Semiconductor Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, Variante Sot-23-3 AO34 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 5A (TA) 4.5V, 10V 31mohm @ 5a, 10v 2.4V @ 250 µA 6.3 NC @ 10 V ± 20V 310 pf @ 15 V - 1.4W (TA)
AO3409L_102 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO3409L_102 -
RFQ
ECAD 5244 0.00000000 Alpha y Omega Semiconductor Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, Variante Sot-23-3 AO34 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 30 V 2.6a (TA) 4.5V, 10V 130mohm @ 2.6a, 10V 3V @ 250 µA 9 NC @ 10 V ± 20V 370 pf @ 15 V - 1.4W (TA)
AO3413L Alpha & Omega Semiconductor Inc. Ao3413l -
RFQ
ECAD 5604 0.00000000 Alpha y Omega Semiconductor Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, Variante Sot-23-3 AO34 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 3a (TA) 1.8V, 4.5V 97mohm @ 3a, 4.5V 1V @ 250 µA 6.1 NC @ 4.5 V ± 8V 540 pf @ 10 V - 1.4W (TA)
AO3413L_101 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO3413L_101 -
RFQ
ECAD 3376 0.00000000 Alpha y Omega Semiconductor Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, Variante Sot-23-3 AO34 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 3a (TA) 1.8V, 4.5V 97mohm @ 3a, 4.5V 1V @ 250 µA 6.1 NC @ 4.5 V ± 8V 540 pf @ 10 V - 1.4W (TA)
AO3416L_103 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO3416L_103 -
RFQ
ECAD 3755 0.00000000 Alpha y Omega Semiconductor Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, Variante Sot-23-3 AO34 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 V 6.5a (TA) 1.8V, 4.5V 22mohm @ 6.5a, 4.5V 1V @ 250 µA 16 NC @ 4.5 V ± 8V 1160 pf @ 10 V - 1.4W (TA)
AO3422L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO3422L -
RFQ
ECAD 7011 0.00000000 Alpha y Omega Semiconductor Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-SMD, Variante Sot-23-3 AO34 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 55 V 2.1a (TA) 2.5V, 4.5V 160mohm @ 2.1a, 4.5V 2V @ 250 µA 3.3 NC @ 4.5 V ± 12V 300 pf @ 25 V - 1.25W (TA)
AO4441L_001 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4441L_001 -
RFQ
ECAD 6126 0.00000000 Alpha y Omega Semiconductor Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) AO44 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 60 V 4A (TA) 4.5V, 10V 100mohm @ 4a, 10v 3V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 20V 1120 pf @ 30 V - 3.1W (TA)
AO4498L Alpha & Omega Semiconductor Inc. Ao4498l -
RFQ
ECAD 1723 0.00000000 Alpha y Omega Semiconductor Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) AO44 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 18a (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 18a, 10v 2.5V @ 250 µA 44.5 NC @ 10 V ± 20V 2300 pf @ 15 V - 3.1W (TC)
AO7400L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO7400L -
RFQ
ECAD 4128 0.00000000 Alpha y Omega Semiconductor Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto - - - AO740 - - - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 - - - - - - - -
AOD409_001 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD409_001 -
RFQ
ECAD 7144 0.00000000 Alpha y Omega Semiconductor Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 AOD40 Mosfet (Óxido de metal) TO-252 (DPAK) - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 60 V 26a (TC) 4.5V, 10V 40mohm @ 20a, 10v 2.4V @ 250 µA 54 NC @ 10 V ± 20V 3600 pf @ 30 V - 2.5W (TA), 60W (TC)
AON3814L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON3814L -
RFQ
ECAD 2369 0.00000000 Alpha y Omega Semiconductor Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano AON381 Mosfet (Óxido de metal) 2.5w 8-DFN (3x3) - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 canales (dual) Drenaje Común 20V 6a (TC) 17mohm @ 6a, 4.5V 1.1V @ 250 µA 13NC @ 4.5V 1100pf @ 10V -
AON6405L_102 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6405L_102 -
RFQ
ECAD 4094 0.00000000 Alpha y Omega Semiconductor Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowersMD, Pistas Plans AON640 Mosfet (Óxido de metal) 8-DFN (5x6) - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 30 V 15A (TA), 30A (TC) 4.5V, 10V 7mohm @ 20a, 10v 1.6V @ 250 µA 105 NC @ 10 V ± 20V 5500 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 83W (TC)
AON6448L Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6448L -
RFQ
ECAD 9911 0.00000000 Alpha y Omega Semiconductor Inc. Sdmos ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowersMD, Pistas Plans AON644 Mosfet (Óxido de metal) 8-DFN (5x6) - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 80 V 11a (TA), 65A (TC) 7V, 10V 9.6mohm @ 10a, 10v 3.7V @ 250 µA 53 NC @ 10 V ± 25V 3100 pf @ 40 V - 2.5W (TA), 83W (TC)
AOTF8T50PL Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOTF8T50PL -
RFQ
ECAD 2164 0.00000000 Alpha y Omega Semiconductor Inc. - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero AOTF8 Mosfet (Óxido de metal) Un 220F - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 8a (TC) 10V 810mohm @ 4a, 10v 5V @ 250 µA 19 NC @ 10 V ± 30V 905 pf @ 100 V - 28W (TC)
SI7190ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix SI7190AdP-T1-RE3 1.8800
RFQ
ECAD 34 0.00000000 Vishay Siliconix Thunderfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Si7190 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 250 V 4.3a (TA), 14.4a (TC) 7.5V, 10V 102mohm @ 4.3a, 10v 4V @ 250 µA 22.4 NC @ 10 V ± 20V 860 pf @ 100 V - 5W (TA), 56.8W (TC)
SIR140DP-T1-RE3 Vishay Siliconix Sir140DP-T1-RE3 2.1700
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Sir140 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 25 V 71.9a (TA), 100a (TC) 4.5V, 10V 0.67mohm @ 20a, 10v 2.1V @ 250 µA 170 NC @ 10 V +20V, -16V 8150 pf @ 10 V - 6.25W (TA), 104W (TC)
SIZ350DT-T1-GE3 Vishay Siliconix Siz350dt-t1-ge3 1.1300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN Siz350 Mosfet (Óxido de metal) 3.7W (TA), 16.7W (TC) 8-Power33 (3x3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 30V 18.5A (TA), 30A (TC) 6.75mohm @ 15a, 10v 2.4V @ 250 µA 20.3nc @ 10V 940pf @ 15V -
SIHB30N60AEL-GE3 Vishay Siliconix SiHB30N60AEL-GE3 5.9500
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Vishay Siliconix El Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SIHB30 Mosfet (Óxido de metal) TO-263 (d²pak) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 28a (TC) 10V 120mohm @ 15a, 10v 4V @ 250 µA 120 NC @ 10 V ± 30V 2565 pf @ 100 V - 250W (TC)
IXGM25N100A IXYS IXGM25N100A -
RFQ
ECAD 8874 0.00000000 Ixys - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A-204AE Ixgm25 Estándar 200 W A-204AE descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 20 800V, 25A, 33OHM, 15V 200 ns - 1000 V 50 A 100 A 4V @ 15V, 25A 5MJ (apaguado) 180 NC 100ns/500ns
IXGM40N60 IXYS Ixgm40n60 -
RFQ
ECAD 9699 0.00000000 Ixys - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A-204AE Ixgm40 Estándar 250 W A-204AE - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 20 480v, 40a, 22ohm, 15V 200 ns - 600 V 75 A 150 A 2.5V @ 15V, 40A - 250 NC 100ns/600ns
FII24N170AH1 IXYS FII24N170AH1 -
RFQ
ECAD 2751 0.00000000 Ixys - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero I4 -PAC ™ -4, AISLADO Fii24n17 140 W Estándar Isoplus I4-Pac ™ descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 Medio puente Escrutinio 1700 V 18 A 6V @ 15V, 16A 100 µA No 2.4 NF @ 25 V
CTLDM7120-M832DS BK Central Semiconductor Corp CTLDM7120-M832DS BK -
RFQ
ECAD 1124 0.00000000 Central de semiconductores - Una granela Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8-tdfn CTLDM7120 Mosfet (Óxido de metal) 1.65W TLM832DS descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1 2 Canal N (Dual) 20V 1a (TA) 100mohm @ 500 mA, 4.5V 1.2V @ 1MA 2.4nc @ 4.5V 220pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
DMP2110U-7 Diodes Incorporated DMP2110U-7 0.3700
RFQ
ECAD 551 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMP2110 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 3.5a (TA) 2.5V, 4.5V 80mohm @ 2.8a, 4.5V 1V @ 250 µA 6 NC @ 4.5 V ± 10V 443 pf @ 10 V - 800MW (TA)
DF450R17N2E4PB11BPSA1 Infineon Technologies DF450R17N2E4PB11BPSA1 197.5220
RFQ
ECAD 2017 0.00000000 Infineon Technologies - Banda La Última Vez Que Compre - - - DF450 - - - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 10 - - -
DF600R12N2E4PB11BPSA1 Infineon Technologies DF600R12N2E4PB11BPSA1 203.2280
RFQ
ECAD 5851 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo - - - DF600 - - - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 10 - - -
MVB50P03HDLT4G onsemi MVB50P03HDLT4G -
RFQ
ECAD 3058 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab MVB50 Mosfet (Óxido de metal) D²pak descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1 Canal P 30 V 50A (TC) 5V 25mohm @ 25A, 5V 2V @ 250 µA 100 NC @ 5 V ± 15V 4900 pf @ 25 V - 125W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock