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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Condición de PrueBa | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NTMFS4C025NT1G | 1.1400 | ![]() | 639 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn, 5 cables | NTMFS4 | Mosfet (Óxido de metal) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 30 V | 20A (TA), 69A (TC) | 4.5V, 10V | 3.41mohm @ 30a, 10V | 2.1V @ 250 µA | 26 NC @ 10 V | ± 20V | 1683 pf @ 15 V | - | 2.55W (TA), 30.5W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC184C_J35Z | - | ![]() | 8199 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | BC184 | 350 MW | Un 92-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 30 V | 500 mA | 15NA (ICBO) | NPN | 250 MV @ 5 Ma, 100 Ma | 250 @ 2mA, 5V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Stp33n60dm2 | 5.2100 | ![]() | 7950 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Mdmesh ™ dm2 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Stp33 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 497-16352-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 24a (TC) | 10V | 130mohm @ 12a, 10v | 5V @ 250 µA | 43 NC @ 10 V | ± 25V | 1870 pf @ 100 V | - | 190W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMDXB950UPEZ | 0.3700 | ![]() | 46 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-xfdfn almohadilla exposición | PMDXB950 | Mosfet (Óxido de metal) | 265MW | DFN1010B-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 5,000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 500mA | 1.4ohm @ 500 mA, 4.5V | 950MV @ 250 µA | 2.1NC @ 4.5V | 43pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
STP30N65M5 | 6.6600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Mdmesh ™ v | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Stp30 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 V | 22a (TC) | 10V | 139mohm @ 11a, 10v | 5V @ 250 µA | 64 NC @ 10 V | ± 25V | 2880 pf @ 100 V | - | 140W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ixtq22n50p | 6.3000 | ![]() | 209 | 0.00000000 | Ixys | Polar | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Ixtq22 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3p | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 500 V | 22a (TC) | 10V | 270mohm @ 11a, 10v | 5.5V @ 250 µA | 50 NC @ 10 V | ± 30V | 2630 pf @ 25 V | - | 350W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRLSL4030PBF | 4.5600 | ![]() | 7490 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRLSL4030 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 180A (TC) | 4.5V, 10V | 4.3mohm @ 110a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 130 NC @ 4.5 V | ± 16V | 11360 pf @ 50 V | - | 370W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ixfp26n65x3 | 6.2394 | ![]() | 4428 | 0.00000000 | Ixys | - | Tubo | Activo | IXFP26 | - | 238-IXFP26N65X3 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RJK03M4DPA-WS#J5A | - | ![]() | 8508 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Banda | Obsoleto | - | 559-RJK03M4DPA-WS#J5A | Obsoleto | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Nttfs5826nltag | 0.8500 | ![]() | 7800 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | NTTFS5826 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-WDFN (3.3x3.3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 60 V | 8a (TA) | 4.5V, 10V | 24mohm @ 7.5a, 10v | 3V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 850 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 19W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MCH6644-C-TL-E | 0.1000 | ![]() | 75 | 0.00000000 | onde | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPD25DP06NMATMA1 | 0.9800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD25DP06 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3-313 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 60 V | 6.5a (TC) | 10V | 250mohm @ 6.5a, 10V | 4V @ 270 µA | 10.6 NC @ 10 V | ± 20V | 420 pf @ 30 V | - | 28W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FJY4007R | 0.0200 | ![]() | 4058 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | FJY400 | 200 MW | SOT-523F | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5MA, 5V | 200 MHz | 22 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UPA376T1P-E1-A#YK1 | - | ![]() | 2050 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Banda | Obsoleto | UPA376 | - | - | 559 UPA2376T1P-E1-A#YK1 | Obsoleto | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SI3429EDV-T1-GE3 | 0.4700 | ![]() | 2398 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3429 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 8a (TA), 8a (TC) | 1.8V, 4.5V | 21mohm @ 4a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 118 NC @ 10 V | ± 8V | 4085 pf @ 50 V | - | 4.2W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SI9933BDY-T1-E3 | - | ![]() | 3154 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si9933 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.1w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 3.6a | 60mohm @ 4.7a, 4.5V | 1.4V @ 250 µA | 9NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Ixbx25n250 | 44.2800 | ![]() | 9462 | 0.00000000 | Ixys | Bimosfet ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Variatura a 247-3 | Ixbx25 | Estándar | 300 W | MÁS247 ™ -3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 621487 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | - | 1.6 µs | - | 2500 V | 55 A | 180 A | 3.3V @ 15V, 25A | - | 103 NC | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLF6G10LS-260PRN, 1 | - | ![]() | 4283 | 0.00000000 | AMpleon USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 V | Montaje en superficie | Sot-539b | BLF6G10 | 917.5MHz ~ 962.5MHz | Ldmos | Sot539b | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 934064451118 | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | Fuente Común Dual | 64a | 1.8 A | 40W | 22dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PCG20N60A4W | - | ![]() | 6515 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 488-PCG20N60A4W | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FAM65HR51DS2 | - | ![]() | 8785 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | FAM65 | 135 W | Estándar | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 12 | Inversor de Medio Puente | - | 650 V | 33 A | - | No | 4.86 NF @ 400 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF3808StrrPBF | - | ![]() | 9626 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hexfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001570154 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 75 V | 106a (TC) | 10V | 7mohm @ 82a, 10v | 4V @ 250 µA | 220 NC @ 10 V | ± 20V | 5310 pf @ 25 V | - | 200W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NP45N06VUK-E1-AY | 1.2500 | ![]() | 5887 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 175 ° C | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | NP45N06 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 263-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 45a (TC) | 10V | 9.6mohm @ 23a, 10v | 4V @ 250 µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 2540 pf @ 25 V | - | 1.8W (TA), 75W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IQFH99N06NM5ATMA1 | 2.4512 | ![]() | 1165 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
PMBT6428,215 | 0.1800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | PMBT6428 | 250 MW | To-236ab | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 10NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 250 @ 100 µA, 5V | 700MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IKQ120N60TAXKSA1 | - | ![]() | 2136 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Trenchstop ™ | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IKQ120n | Estándar | 833 W | PG-TO247-3-46 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 240 | 400V, 120a, 3ohm, 15V | 280 ns | Parada de Campo de Trinchera | 600 V | 160 A | 480 A | 2V @ 15V, 120a | 4.1MJ (Encendido), 2.8MJ (apaguado) | 772 NC | 33ns/310ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STH240N10F7-6 | 4.5400 | ![]() | 3421 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ f7 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) | STH240 | Mosfet (Óxido de metal) | H2PAK-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 497-15312-2 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 100 V | 180A (TC) | 10V | 2.5mohm @ 60a, 10V | 4.5V @ 250 µA | 160 NC @ 10 V | ± 20V | 11550 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN100A | - | ![]() | 7864 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | PN100 | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 2832-PN100A | EAR99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 45 V | 500 mA | 50NA | NPN | 400mv @ 20 mm, 200 mA | 300 @ 10mA, 1V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Irfl024npbf | - | ![]() | 7709 | 0.00000000 | Rectificador internacional | Hexfet® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Afectados de Alcanzar | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 55 V | 2.8a (TA) | 10V | 75mohm @ 2.8a, 10V | 4V @ 250 µA | 18.3 NC @ 10 V | ± 20V | 400 pf @ 25 V | - | 1W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SFT1443-TL-W | - | ![]() | 3598 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SFT1443 | Mosfet (Óxido de metal) | DPAK/TP-FA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 700 | N-canal | 100 V | 9a (TA) | 4V, 10V | 225mohm @ 3a, 10v | 2.6V @ 1MA | 9.8 NC @ 10 V | ± 20V | 490 pf @ 20 V | - | 1W (TA), 19W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SIDR668DP-T1-RE3 | 2.9700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8DC | descascar | 1 (ilimitado) | 742-sidr668dp-t1-re3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 23.2a (TA), 95A (TC) | 7.5V, 10V | 4.8mohm @ 20a, 10v | 3.4V @ 250 µA | 108 NC @ 10 V | ± 20V | 5400 pf @ 50 V | - | 6.25W (TA), 125W (TC) |
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