SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
NTMFS4C025NT1G onsemi NTMFS4C025NT1G 1.1400
RFQ
ECAD 639 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NTMFS4 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 30 V 20A (TA), 69A (TC) 4.5V, 10V 3.41mohm @ 30a, 10V 2.1V @ 250 µA 26 NC @ 10 V ± 20V 1683 pf @ 15 V - 2.55W (TA), 30.5W (TC)
BC184C_J35Z onsemi BC184C_J35Z -
RFQ
ECAD 8199 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BC184 350 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 30 V 500 mA 15NA (ICBO) NPN 250 MV @ 5 Ma, 100 Ma 250 @ 2mA, 5V 150MHz
STP33N60DM2 STMicroelectronics Stp33n60dm2 5.2100
RFQ
ECAD 7950 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ dm2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp33 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-16352-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 24a (TC) 10V 130mohm @ 12a, 10v 5V @ 250 µA 43 NC @ 10 V ± 25V 1870 pf @ 100 V - 190W (TC)
PMDXB950UPEZ Nexperia USA Inc. PMDXB950UPEZ 0.3700
RFQ
ECAD 46 0.00000000 Nexperia USA Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-xfdfn almohadilla exposición PMDXB950 Mosfet (Óxido de metal) 265MW DFN1010B-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 5,000 2 Canal P (Dual) 20V 500mA 1.4ohm @ 500 mA, 4.5V 950MV @ 250 µA 2.1NC @ 4.5V 43pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
STP30N65M5 STMicroelectronics STP30N65M5 6.6600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Stmicroelectronics Mdmesh ™ v Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp30 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 22a (TC) 10V 139mohm @ 11a, 10v 5V @ 250 µA 64 NC @ 10 V ± 25V 2880 pf @ 100 V - 140W (TC)
IXTQ22N50P IXYS Ixtq22n50p 6.3000
RFQ
ECAD 209 0.00000000 Ixys Polar Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 Ixtq22 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 500 V 22a (TC) 10V 270mohm @ 11a, 10v 5.5V @ 250 µA 50 NC @ 10 V ± 30V 2630 pf @ 25 V - 350W (TC)
IRLSL4030PBF Infineon Technologies IRLSL4030PBF 4.5600
RFQ
ECAD 7490 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IRLSL4030 Mosfet (Óxido de metal) Un 262 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 180A (TC) 4.5V, 10V 4.3mohm @ 110a, 10V 2.5V @ 250 µA 130 NC @ 4.5 V ± 16V 11360 pf @ 50 V - 370W (TC)
IXFP26N65X3 IXYS Ixfp26n65x3 6.2394
RFQ
ECAD 4428 0.00000000 Ixys - Tubo Activo IXFP26 - 238-IXFP26N65X3 50
RJK03M4DPA-WS#J5A Renesas Electronics America Inc RJK03M4DPA-WS#J5A -
RFQ
ECAD 8508 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * Banda Obsoleto - 559-RJK03M4DPA-WS#J5A Obsoleto 1
NTTFS5826NLTAG onsemi Nttfs5826nltag 0.8500
RFQ
ECAD 7800 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN NTTFS5826 Mosfet (Óxido de metal) 8-WDFN (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 60 V 8a (TA) 4.5V, 10V 24mohm @ 7.5a, 10v 3V @ 250 µA 25 NC @ 10 V ± 20V 850 pf @ 25 V - 3.1W (TA), 19W (TC)
MCH6644-C-TL-E onsemi MCH6644-C-TL-E 0.1000
RFQ
ECAD 75 0.00000000 onde * Una granela Activo - No Aplicable 1 (ilimitado) Vendedor indefinido EAR99 8541.21.0095 3.000
IPD25DP06NMATMA1 Infineon Technologies IPD25DP06NMATMA1 0.9800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies Optimos ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 IPD25DP06 Mosfet (Óxido de metal) PG-TO252-3-313 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 60 V 6.5a (TC) 10V 250mohm @ 6.5a, 10V 4V @ 270 µA 10.6 NC @ 10 V ± 20V 420 pf @ 30 V - 28W (TC)
FJY4007R Fairchild Semiconductor FJY4007R 0.0200
RFQ
ECAD 4058 0.00000000 Semiconductor de fairchild - Una granela Obsoleto Montaje en superficie SC-89, SOT-490 FJY400 200 MW SOT-523F descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 68 @ 5MA, 5V 200 MHz 22 kohms 47 kohms
UPA2376T1P-E1-A#YK1 Renesas Electronics America Inc UPA376T1P-E1-A#YK1 -
RFQ
ECAD 2050 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * Banda Obsoleto UPA376 - - 559 UPA2376T1P-E1-A#YK1 Obsoleto 1 -
SI3429EDV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3429EDV-T1-GE3 0.4700
RFQ
ECAD 2398 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 Si3429 Mosfet (Óxido de metal) 6-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 8a (TA), 8a (TC) 1.8V, 4.5V 21mohm @ 4a, 4.5V 1V @ 250 µA 118 NC @ 10 V ± 8V 4085 pf @ 50 V - 4.2W (TC)
SI9933BDY-T1-E3 Vishay Siliconix SI9933BDY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 3154 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si9933 Mosfet (Óxido de metal) 1.1w 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal P (Dual) 20V 3.6a 60mohm @ 4.7a, 4.5V 1.4V @ 250 µA 9NC @ 4.5V - Puerta de Nivel Lógico
IXBX25N250 IXYS Ixbx25n250 44.2800
RFQ
ECAD 9462 0.00000000 Ixys Bimosfet ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Variatura a 247-3 Ixbx25 Estándar 300 W MÁS247 ™ -3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 621487 EAR99 8541.29.0095 30 - 1.6 µs - 2500 V 55 A 180 A 3.3V @ 15V, 25A - 103 NC -
BLF6G10LS-260PRN,1 Ampleon USA Inc. BLF6G10LS-260PRN, 1 -
RFQ
ECAD 4283 0.00000000 AMpleon USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Montaje en superficie Sot-539b BLF6G10 917.5MHz ~ 962.5MHz Ldmos Sot539b descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 934064451118 EAR99 8541.29.0095 100 Fuente Común Dual 64a 1.8 A 40W 22dB - 28 V
PCG20N60A4W onsemi PCG20N60A4W -
RFQ
ECAD 6515 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-PCG20N60A4W EAR99 8541.29.0095 1
FAM65HR51DS2 onsemi FAM65HR51DS2 -
RFQ
ECAD 8785 0.00000000 onde - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero FAM65 135 W Estándar descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 12 Inversor de Medio Puente - 650 V 33 A - No 4.86 NF @ 400 V
IRF3808STRRPBF Infineon Technologies IRF3808StrrPBF -
RFQ
ECAD 9626 0.00000000 Infineon Technologies Hexfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado SP001570154 EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 75 V 106a (TC) 10V 7mohm @ 82a, 10v 4V @ 250 µA 220 NC @ 10 V ± 20V 5310 pf @ 25 V - 200W (TC)
NP45N06VUK-E1-AY Renesas Electronics America Inc NP45N06VUK-E1-AY 1.2500
RFQ
ECAD 5887 0.00000000 Renesas Electronics America Inc Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab NP45N06 Mosfet (Óxido de metal) Un 263-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 45a (TC) 10V 9.6mohm @ 23a, 10v 4V @ 250 µA 45 NC @ 10 V ± 20V 2540 pf @ 25 V - 1.8W (TA), 75W (TC)
IQFH99N06NM5ATMA1 Infineon Technologies IQFH99N06NM5ATMA1 2.4512
RFQ
ECAD 1165 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Activo - ROHS3 Cumplante 3.000
PMBT6428,215 Nexperia USA Inc. PMBT6428,215 0.1800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 PMBT6428 250 MW To-236ab descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 10NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 250 @ 100 µA, 5V 700MHz
IKQ120N60TAXKSA1 Infineon Technologies IKQ120N60TAXKSA1 -
RFQ
ECAD 2136 0.00000000 Infineon Technologies Automotive, AEC-Q101, Trenchstop ™ Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 IKQ120n Estándar 833 W PG-TO247-3-46 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 240 400V, 120a, 3ohm, 15V 280 ns Parada de Campo de Trinchera 600 V 160 A 480 A 2V @ 15V, 120a 4.1MJ (Encendido), 2.8MJ (apaguado) 772 NC 33ns/310ns
STH240N10F7-6 STMicroelectronics STH240N10F7-6 4.5400
RFQ
ECAD 3421 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ f7 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) STH240 Mosfet (Óxido de metal) H2PAK-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-15312-2 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 180A (TC) 10V 2.5mohm @ 60a, 10V 4.5V @ 250 µA 160 NC @ 10 V ± 20V 11550 pf @ 25 V - 300W (TC)
PN100A onsemi PN100A -
RFQ
ECAD 7864 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) PN100 625 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 2832-PN100A EAR99 8541.21.0075 10,000 45 V 500 mA 50NA NPN 400mv @ 20 mm, 200 mA 300 @ 10mA, 1V 250MHz
IRFL024NPBF International Rectifier Irfl024npbf -
RFQ
ECAD 7709 0.00000000 Rectificador internacional Hexfet® Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Afectados de Alcanzar EAR99 0000.00.0000 1 N-canal 55 V 2.8a (TA) 10V 75mohm @ 2.8a, 10V 4V @ 250 µA 18.3 NC @ 10 V ± 20V 400 pf @ 25 V - 1W (TA)
SFT1443-TL-W onsemi SFT1443-TL-W -
RFQ
ECAD 3598 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 SFT1443 Mosfet (Óxido de metal) DPAK/TP-FA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 700 N-canal 100 V 9a (TA) 4V, 10V 225mohm @ 3a, 10v 2.6V @ 1MA 9.8 NC @ 10 V ± 20V 490 pf @ 20 V - 1W (TA), 19W (TC)
SIDR668DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIDR668DP-T1-RE3 2.9700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8DC descascar 1 (ilimitado) 742-sidr668dp-t1-re3tr EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 23.2a (TA), 95A (TC) 7.5V, 10V 4.8mohm @ 20a, 10v 3.4V @ 250 µA 108 NC @ 10 V ± 20V 5400 pf @ 50 V - 6.25W (TA), 125W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock