SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
IXGH16N170A IXYS Ixgh16n170a 13.6900
RFQ
ECAD 3326 0.00000000 Ixys - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ixgh16 Estándar 190 W Un 247ad descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 850V, 16A, 10ohm, 15V Escrutinio 1700 V 16 A 40 A 5V @ 15V, 11a 900 µJ (apaguado) 65 NC 36NS/160NS
IXGH16N170AH1 IXYS IXGH16N170AH1 -
RFQ
ECAD 5451 0.00000000 Ixys - Caja Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ixgh16 Estándar 190 W Un 247ad descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 850V, 16A, 10ohm, 15V 230 ns Escrutinio 1700 V 16 A 40 A 5V @ 15V, 11a 900 µJ (apaguado) 65 NC 36NS/160NS
IXGH30N120BD1 IXYS Ixgh30n120bd1 -
RFQ
ECAD 9646 0.00000000 Ixys - Tubo Activo - A Través del Aguetero TO-247-3 Ixgh30 Estándar Un 247ad - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 - - 1200 V 50 A - - -
IXGH40N60B2D1 IXYS IXGH40N60B2D1 -
RFQ
ECAD 5176 0.00000000 Ixys Hiperfast ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ixgh40 Estándar 300 W Un 247ad descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 3.3OHM, 15V 25 ns PT 600 V 75 A 200 A 1.7V @ 15V, 30a 400 µJ (apaguado) 100 NC 18ns/130ns
IXGH60N60C2 IXYS IXGH60N60C2 -
RFQ
ECAD 1789 0.00000000 Ixys Hiperfast ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Ixgh60 Estándar 480 W Un 247ad descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 50A, 2ohm, 15V PT 600 V 75 A 300 A 2.5V @ 15V, 50A 480 µJ (apaguado) 146 NC 18ns/95ns
STD90N02L-1 STMicroelectronics STD90N02L-1 -
RFQ
ECAD 1527 0.00000000 Stmicroelectronics Stripfet ™ III Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Std90 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 25 V 60A (TC) 5V, 10V 6mohm @ 30a, 10v 1.8V @ 250 µA 22 NC @ 5 V ± 20V 2050 pf @ 16 V - 70W (TC)
STGD10NC60KT4 STMicroelectronics Stgd10nc60kt4 -
RFQ
ECAD 5653 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Stgd10 Estándar 60 W Dpak descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 390V, 5a, 10ohm, 15V - 600 V 20 A 30 A 2.5V @ 15V, 5A 55 µJ (Encendido), 85 µJ (apaguado) 19 NC 17ns/72ns
DCP56-13 Diodes Incorporated DCP56-13 -
RFQ
ECAD 4812 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA DCP56 1 W SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2.500 80 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150mA, 2V 200MHz
PD55003STR-E STMicroelectronics PD55003Str-E -
RFQ
ECAD 1427 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Obsoleto 40 V Powerso-10 Almohadilla Inferior Expunesta PD55003 500MHz Ldmos Powerso-10RF (Plomo Recto) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 600 2.5a 50 Ma 3W 17dB - 12.5 V
FDD86326 onsemi FDD86326 2.1800
RFQ
ECAD 3825 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 FDD863 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 80 V 8a (TA), 37a (TC) 6V, 10V 23mohm @ 8a, 10v 4V @ 250 µA 19 NC @ 10 V ± 20V 1035 pf @ 50 V - 3.1W (TA), 62W (TC)
NTMFS4899NFT1G onsemi Ntmfs4899nft1g -
RFQ
ECAD 5787 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables NTMFS4899 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 30 V 10.4a (TA), 75a (TC) 4.5V, 10V 5mohm @ 30a, 10v 2.5V @ 1MA 25 NC @ 10 V ± 20V 1600 pf @ 12 V - 920MW (TA), 48W (TC)
ALD1117PAL Advanced Linear Devices Inc. Ald1117pal 5.7000
RFQ
ECAD 54 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. - Tubo Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) ALD1117 Mosfet (Óxido de metal) 500MW 8 pdip descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1014-1048 EAR99 8541.21.0095 50 2 par de canal p (dual) emparejado 10.6v - 1800OHM @ 5V 1V @ 1µA - 3pf @ 5V -
ALD114804PCL Advanced Linear Devices Inc. ALD114804PCL 6.9740
RFQ
ECAD 3506 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. EPAD® Tubo Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) A Través del Aguetero 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) ALD114804 Mosfet (Óxido de metal) 500MW 16 PDIP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1014-1055 EAR99 8541.21.0095 50 4 Canales n, par emparejado 10.6v 12 Ma, 3 Ma 500OHM @ 3.6V 360mv @ 1µA - 2.5pf @ 5V MODO DE AGOTAMENTO
ALD114835SCL Advanced Linear Devices Inc. ALD114835SCL 6.9000
RFQ
ECAD 290 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. EPAD® Tubo Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) Montaje en superficie 16-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) ALD114835 Mosfet (Óxido de metal) 500MW 16-soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1014-1060 EAR99 8541.21.0095 50 4 Canales n, par emparejado 10.6v 12 Ma, 3 Ma 540ohm @ 0V 3.45V @ 1 µA - 2.5pf @ 5V MODO DE AGOTAMENTO
ALD110800SCL Advanced Linear Devices Inc. ALD110800SCL 4.5124
RFQ
ECAD 7900 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. Epad®, Umbral Cero ™ Tubo Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) Montaje en superficie 16-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) ALD110800 Mosfet (Óxido de metal) 500MW 16-soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1014-1019 EAR99 8541.21.0095 50 4 Canales n, par emparejado 10.6v - 500OHM @ 4V 20mv @ 1µA - 2.5pf @ 5V -
ALD110802SCL Advanced Linear Devices Inc. ALD110802SCL 5.8548
RFQ
ECAD 7664 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. EPAD® Tubo Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) Montaje en superficie 16-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) ALD110802 Mosfet (Óxido de metal) 500MW 16-soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1014-1021 EAR99 8541.21.0095 50 4 Canales n, par emparejado 10.6v - 500OHM @ 4.2V 220MV @ 1µA - 2.5pf @ 5V -
ALD110808SCL Advanced Linear Devices Inc. ALD110808SCL 4.9140
RFQ
ECAD 1445 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. EPAD® Tubo Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) Montaje en superficie 16-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) ALD110808 Mosfet (Óxido de metal) 500MW 16-soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1014-1027 EAR99 8541.21.0095 50 4 Canales n, par emparejado 10.6v 12 Ma, 3 Ma 500OHM @ 4.8V 820mv @ 1µA - 2.5pf @ 5V -
ALD110900ASAL Advanced Linear Devices Inc. Ald110900Sal 6.8200
RFQ
ECAD 22 0.00000000 Advanced Linear Devices Inc. Epad®, Umbral Cero ™ Tubo Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) ALD110900 Mosfet (Óxido de metal) 500MW 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1014-1031 EAR99 8541.21.0095 50 2 par de canal n (dual) emparejado 10.6v - 500OHM @ 4V 10mv @ 1µA - 2.5pf @ 5V -
FDMC7692 onsemi FDMC7692 0.9600
RFQ
ECAD 160 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN FDMC76 Mosfet (Óxido de metal) 8-MLP (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 13.3a (TA), 16a (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 13.3a, 10v 3V @ 250 µA 29 NC @ 10 V ± 20V 1680 pf @ 15 V - 2.3W (TA), 29W (TC)
FDMS7660AS onsemi FDMS7660As 1.6700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 onde Powertrench®, Syncfet ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn FDMS7660 Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 26a (TA), 42a (TC) 4.5V, 10V 2.4mohm @ 25A, 10V 3V @ 1MA 90 NC @ 10 V ± 20V 6120 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 83W (TC)
FDMS7670AS onsemi FDMS7670As 1.2900
RFQ
ECAD 182 0.00000000 onde Powertrench®, Syncfet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn FDMS7670 Mosfet (Óxido de metal) 8-PQFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 22a (TA), 42A (TC) 4.5V, 10V 3mohm @ 21a, 10v 3V @ 1MA 66 NC @ 10 V ± 20V 4225 pf @ 15 V - 2.5W (TA), 65W (TC)
FGB3236-F085 onsemi FGB3236-F085 1.8066
RFQ
ECAD 5013 0.00000000 onde Automotive, AEC-Q101, EcoSpark® Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FGB3236 Lógica 187 W D²pak (A 263) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 300V, 1KOHM, 5V - 360 V 44 A 1.4V @ 4V, 6A - 20 NC -/5.4 µs
FQA24N50F_F109 onsemi FQA24N50F_F109 -
RFQ
ECAD 2501 0.00000000 onde FRFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FQA2 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 500 V 24a (TC) 10V 200mohm @ 12a, 10v 5V @ 250 µA 120 NC @ 10 V ± 30V 4500 pf @ 25 V - 290W (TC)
FQA28N50_F109 onsemi FQA28N50_F109 -
RFQ
ECAD 6882 0.00000000 onde QFET® Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3, SC-65-3 FQA2 Mosfet (Óxido de metal) Un 3p descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 500 V 28.4a (TC) 10V 160mohm @ 14.2a, 10v 5V @ 250 µA 140 NC @ 10 V ± 30V 5600 pf @ 25 V - 310W (TC)
FQD6N60CTM-WS onsemi Fqd6n60ctm-ws -
RFQ
ECAD 7740 0.00000000 onde QFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Fqd6n60 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 4A (TC) 10V 2ohm @ 2a, 10v 4V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 30V 810 pf @ 25 V - 80W (TC)
FDG6301N-F085 onsemi FDG6301N-F085 -
RFQ
ECAD 6016 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 FDG6301 Mosfet (Óxido de metal) 300MW SC-88 (SC-70-6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 25V 220 mm 4ohm @ 220 mm, 4.5V 1.5V @ 250 µA 0.4nc @ 4.5V 9.5pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
FDMC7664 onsemi FDMC7664 -
RFQ
ECAD 1085 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN FDMC76 Mosfet (Óxido de metal) 8-MLP (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 18.8a (TA), 24a (TC) 4.5V, 10V 4.2mohm @ 18.8a, 10V 3V @ 250 µA 76 NC @ 10 V ± 20V 4865 pf @ 15 V - 2.3W (TA), 45W (TC)
MRF8P23080HSR3 NXP USA Inc. MRF8P23080HSR3 -
RFQ
ECAD 7619 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Montaje en superficie Ni-780S-4L MRF8 2.3GHz Ldmos Ni-780S-4L descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 935321471128 EAR99 8541.29.0075 250 Dual - 280 Ma 16W 14.6db - 28 V
MRF8S21140HR5 NXP USA Inc. MRF8S21140HR5 -
RFQ
ECAD 6340 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Monte del Chasis Sot-957a MRF8 2.14 GHz Ldmos NI-780H-2L - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 50 - 970 Ma 34W 17.9dB - 28 V
MRF8P20100HSR5 NXP USA Inc. MRF8P20100HSR5 -
RFQ
ECAD 5508 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic 65 V Montaje en superficie Ni-780S-4L MRF8 2.03GHz Ldmos Ni-780S-4L - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 50 Dual - 400 mA 20W 16dB - 28 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock