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Transistores (100539)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Real - PrueBa | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Figura de ruido | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - PrueBa | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AONR36366 | 0.6400 |  | 58 | 0.00000000 | Alpha y Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | AONR363 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-DFN-EP (3x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 30 V | 30A (TA), 34A (TC) | 4.5V, 10V | 3.5mohm @ 20a, 10v | 2.1V @ 250 µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 1835 pf @ 15 V | - | 5W (TA), 28W (TC) | |||||||||||||||||||
 | CP398X-CPDM303-CT20 | - | | 3771 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | - | - | - | CP398 | - | - | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
| Cp398x-ctldm303n-wn | - | | 8638 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | CP398 | Mosfet (Óxido de metal) | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 30 V | 3.6a (TA) | 2.5V, 4.5V | 78mohm @ 1.8a, 2.5V | 1.2V @ 250 µA | 13 NC @ 4.5 V | 12V | 590 pf @ 10 V | - | - | |||||||||||||||||||
| CP373-CMPDM303NH-WN | - | | 4345 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | Mosfet (Óxido de metal) | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0040 | 1 | N-canal | 30 V | 3.6a (TA) | 2.5V, 4.5V | 78mohm @ 1.8a, 2.5V | 1.2V @ 250 µA | 13 NC @ 4.5 V | 12V | 590 pf @ 10 V | - | - | |||||||||||||||||||||
 | Mrf101an-start | - | | 9286 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 133 V | A Través del Aguetero | Un 220-3 | MRF101 | 1.8MHz ~ 250MHz | Ldmos | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 10 µA | 100 mA | 115W | 21.1db | - | 50 V | |||||||||||||||||||||||
| CP692-MPS4992-WN | - | | 2021 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | descascar | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 9,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 6985-BC556B | - | | 2300 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO | BC556 | 625 MW | TO-92 (TO-226) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 65 V | 100 mA | 100na | PNP | 650mv @ 5 mm, 100 mapa | 180 @ 2mA, 5V | 280MHz | |||||||||||||||||||||||
 | FQPF9P25-T | - | | 9243 | 0.00000000 | onde | QFET® | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | FQPF9 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220F-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal P | 250 V | 6a (TC) | 10V | 620mohm @ 3a, 10v | 5V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 30V | 1180 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||||||||||||||||
 | CG2H80120D-GP4 | 176.9330 | | 1408 | 0.00000000 | Wolfspeed, Inc. | Ganancia | Banda | Activo | 84 V | Morir | CG2H80120 | 8GHz | Hemt | Morir | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0040 | 10 | 28A | 120W | 12dB | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||
 | GTVA126001EC-V1-R0 | 845.6000 | | 30 | 0.00000000 | Wolfspeed, Inc. | Ganancia | Tape & Reel (TR) | Activo | 125 V | Monte del Chasis | H-36248-2 | GTVA126001 | 1.2GHz ~ 1.4GHz | Hemt | H-36248-2 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 100 mA | 600W | 20dB | - | 50 V | ||||||||||||||||||||||||
 | IPB110P06LMATMA1 | 5.4300 | | 159 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IPB110 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO263-3-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 60 V | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 100a, 10v | 2V @ 5.55 Ma | 281 NC @ 10 V | ± 20V | 8500 pf @ 30 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||
 | ISP13DP06NMSATMA1 | 0.9000 | | 7726 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | ISP13DP06 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT223 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 2.8a (TA) | - | - | - | ± 20V | - | - | |||||||||||||||||||||
 | ISP25DP06NMXTSA1 | 0.8600 | | 6 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | ISP25DP06 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT223-4 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 60 V | 1.9a (TA) | 10V | 250mohm @ 1.9a, 10v | 4V @ 270 µA | 10.8 NC @ 10 V | ± 20V | 420 pf @ 30 V | - | 1.8W (TA), 4.2W (TC) | |||||||||||||||||||
| ISP26DP06NMSATMA1 | 0.6700 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | ISP26DP06 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-SOT223 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 1.9a (TA) | - | - | - | ± 20V | - | - | |||||||||||||||||||||
 | IPD06P003NSAUMA1 | - | | 4206 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD06P | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3-313 | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001863526 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 60 V | 22a (TC) | 10V | 65mohm @ 22a, 10v | 4V @ 1.04mA | 39 NC @ 10 V | ± 20V | 1600 pf @ 30 V | - | 83W (TC) | |||||||||||||||||||
| IPD06P004NSAUMA1 | - | | 1157 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IPD06P | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO252-3-313 | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SP001863518 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 60 V | 16.4a (TC) | 10V | 90mohm @ 16.4a, 10V | 4V @ 710 µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 1100 pf @ 30 V | - | 63W (TC) | |||||||||||||||||||
 | BC846S-TP | 0.3800 | | 3718 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | BC846 | 200MW | Sot-363 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 65V | 100mA | 15NA (ICBO) | 2 NPN (dual) | 300mv @ 5 Ma, 100 Ma | 110 @ 2mA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||
 | Fmmt491-tp | 0.3800 | | 3901 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Fmmt491 | 500 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 V | 1 A | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 100 mm, 1a | 100 @ 500 mA, 5V | 150MHz | |||||||||||||||||||||||
| Fmmt591-tp | 0.3800 | | 2 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Fmmt591 | 500 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 V | 1 A | 100NA (ICBO) | PNP | 600mv @ 100 mm, 1a | 100 @ 500 mA, 5V | 150MHz | |||||||||||||||||||||||
 | MCQ4828A-TP | 0.9100 | | 43 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | MCQ4828 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.25W (TA) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 4.5a (TA) | 56mohm @ 4.5a, 10V | 3V @ 250 µA | 10.5nc @ 10V | 540pf @ 30V | - | |||||||||||||||||||||
 | BLC10G18XS-551AVZ | 96.0500 | | 48 | 0.00000000 | AMpleon USA Inc. | - | Banda | Descontinuado en sic | 65 V | Montaje en superficie | SOT-1258-4 | BLC10 | 1.805GHz ~ 1.88GHz | Ldmos | SOT1258-4 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 20 | Fuente Común Dual | 2.8 µA | 750 Ma | 550W | 16.1db | - | 32 V | ||||||||||||||||||||||
 | CMS45P03H8-HF | - | | 3455 | 0.00000000 | Tecnología de Collip | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | CMS45 | Mosfet (Óxido de metal) | DFN5X6 (PR-Pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 9.6a (TA), 45A (TC) | 4.5V, 10V | 15mohm @ 30a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 22 NC @ 4.5 V | ± 20V | 2215 pf @ 15 V | - | 2W (TA), 45W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | NTB150N65S3HF | 5.3700 | | 3568 | 0.00000000 | onde | FRFET®, Superfet® III | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | NTB150 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak-3 (A-263-3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 650 V | 24a (TC) | 10V | 150mohm @ 12a, 10v | 5V @ 540 µA | 43 NC @ 10 V | ± 30V | 1985 pf @ 400 V | - | 192W (TC) | |||||||||||||||||||
 | NTMFS5C604NLT1G-UIL3 | 6.6200 | | 9721 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn, 5 cables | NTMFS5 | Mosfet (Óxido de metal) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 60 V | 40a (TA), 287a (TC) | 4.5V, 10V | 1.2mohm @ 50A, 10V | 2V @ 250 µA | 120 NC @ 10 V | ± 20V | 8900 pf @ 25 V | - | 3.9W (TA), 200W (TC) | |||||||||||||||||||
 | NTTFS003N04 CTAG | - | | 1149 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | NTTFS003 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-WDFN (3.3x3.3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 40 V | 22a (TA), 103A (TC) | 10V | 3.5mohm @ 50A, 10V | 3.5V @ 60 µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 1600 pf @ 25 V | - | 3.2W (TA), 69W (TC) | |||||||||||||||||||
| Nttfs5c460nltag | 1.4100 | | 1530 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | NTTFS5 | 8-WDFN (3.3x3.3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 19A (TA), 74A (TC) | 4.8mohm @ 35a, 10v | 2V @ 40 µA | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | Nvmys2d1n04cltwg | 0.9304 | | 4288 | 0.00000000 | onde | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-1023, 4-LFPAK | Nvmys2 | Mosfet (Óxido de metal) | LFPAK4 (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 29a (TA), 132a (TC) | 4.5V, 10V | 2.5mohm @ 50A, 10V | 2V @ 90 µA | 50 NC @ 10 V | ± 20V | 3100 pf @ 25 V | - | 3.9W (TA), 83W (TC) | |||||||||||||||||||
| Nvtfs5c460nltag | 1.3500 | | 5207 | 0.00000000 | onde | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Nvtfs5 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-WDFN (3.3x3.3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 40 V | 19A (TA), 74A (TC) | 4.5V, 10V | 4.8mohm @ 35a, 10v | 2V @ 40 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | |||||||||||||||||||
| Nvtfs5c460nlwftag | 0.8764 | | 6237 | 0.00000000 | onde | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Nvtfs5 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-WDFN (3.3x3.3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 40 V | 19A (TA), 74A (TC) | 4.5V, 10V | 4.8mohm @ 35a, 10v | 2V @ 40 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | |||||||||||||||||||
 | SIS108DN-T1-GE3 | 0.9100 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SIS108 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 V | 6.7a (TA), 16a (TC) | 7.5V, 10V | 34mohm @ 4a, 10v | 4V @ 250 µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 545 pf @ 40 V | - | 3.2W (TA), 24W (TC) |
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