SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa
SQJ910AEP-T2_GE3 Vishay Siliconix SQJ910AEP-T2_GE3 0.5433
RFQ
ECAD 7378 0.00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Dual Sqj910 Mosfet (Óxido de metal) 48W (TC) Powerpak® SO-8 Dual descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 742-SQJ910AEP-T2_GE3TR EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 30V 30A (TC) 7mohm @ 12a, 10v 2.5V @ 250 µA 39NC @ 10V 1869pf @ 15V -
SQD45P03-12-T4_GE3 Vishay Siliconix SQD45P03-12-T4_GE3 0.6597
RFQ
ECAD 7337 0.00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Sqd45 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 742-SQD45P03-12-T4_GE3TR EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 30 V 50A (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 15a, 10v 2.5V @ 250 µA 83 NC @ 10 V ± 20V 3495 pf @ 15 V - 71W (TC)
SQD100N02_3M5L4GE3 Vishay Siliconix SQD100N02_3M5L4GE3 0.6209
RFQ
ECAD 5786 0.00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Sqd100 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 742-SQD100N02_3M5L4GE3TR EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 20 V 100A (TC) 4.5V, 10V 3.5mohm @ 30a, 10v 2.5V @ 250 µA 110 NC @ 10 V ± 20V 5500 pf @ 10 V - 83W (TC)
SQJ431EP-T2_GE3 Vishay Siliconix SQJ431EP-T2_GE3 0.9356
RFQ
ECAD 1591 0.00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 SQJ431 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 742-SQJ431EP-T2_GE3TR EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 200 V 12a (TC) 6V, 10V 213mohm @ 3.8a, 10v 3.5V @ 250 µA 106 NC @ 10 V ± 20V 4355 pf @ 25 V - 83W (TC)
SIHFU9220-GE3 Vishay Siliconix Sihfu9220-ge3 0.9400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Sihfu9220 Mosfet (Óxido de metal) Un 251AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 200 V 3.6a (TC) 10V 1.5ohm @ 2.2a, 10v 4V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 20V 3400 pf @ 25 V - 2.5W (TA), 42W (TC)
SQC40016E_DFFR Vishay Siliconix Sqc40016e_dffr 2.1000
RFQ
ECAD 9527 0.00000000 Vishay Siliconix - Una granela Activo - - - SQC40016 - - - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 742-SQC40016E_DFFR EAR99 8541.29.0095 1 - - - - - - - -
SQD30N05-20L_T4GE3 Vishay Siliconix SQD30N05-20L_T4GE3 0.4851
RFQ
ECAD 9765 0.00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Sqd30 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 742-SQD30N05-20L_T4GE3TR EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 55 V 30A (TC) 4.5V, 10V 20mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA 18 NC @ 5 V ± 20V 1175 pf @ 25 V - 50W (TC)
SQD40N10-25-T4_GE3 Vishay Siliconix SQD40N10-25-T4_GE3 0.6985
RFQ
ECAD 7688 0.00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Sqd40 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 742-SQD40N10-25-T4_GE3TR EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 40A (TC) 4.5V, 10V 25mohm @ 40a, 10v 2.5V @ 250 µA 70 NC @ 10 V ± 20V 3380 pf @ 25 V - 136W (TC)
SIS472BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SIS472BDN-T1-GE3 0.6400
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® 1212-8 SIS472 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® 1212-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 15.3a (TA), 38.3a (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 10a, 10v 2.4V @ 250 µA 21.5 NC @ 10 V +20V, -16V 1000 pf @ 15 V - 3.2W (TA), 19.8W (TC)
SIHLZ34S-GE3 Vishay Siliconix Sihlz34s-ge3 0.6631
RFQ
ECAD 2012 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Sihlz34 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 742-SiHLZ34S-GE3TR EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 30A (TC) 4V, 5V 50mohm @ 18a, 5V 2V @ 250 µA 35 NC @ 5 V ± 10V 1600 pf @ 25 V - 3.7W (TA), 88W (TC)
SQJ456EP-T2_GE3 Vishay Siliconix SQJ456EP-T2_GE3 1.1340
RFQ
ECAD 7725 0.00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Sqj456 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 742-SQJ456EP-T2_GE3TR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 32A (TC) 6V, 10V 26mohm @ 9.3a, 10v 3.5V @ 250 µA 63 NC @ 10 V ± 20V 3342 pf @ 25 V - 83W (TC)
SQJ460AEP-T2_GE3 Vishay Siliconix SQJ460AEP-T2_GE3 0.5433
RFQ
ECAD 3105 0.00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Sqj460 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 742-SQJ460AEP-T2_GE3TR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 58a (TC) 4.5V, 10V 8.7mohm @ 10.7a, 10v 2.5V @ 250 µA 106 NC @ 10 V ± 20V 2654 pf @ 30 V - 68W (TC)
SQJA46EP-T2_GE3 Vishay Siliconix SQJA46EP-T2_GE3 0.5627
RFQ
ECAD 5332 0.00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Sqja46 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 742-SQJA46EP-T2_GE3TR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 60A (TC) 10V 3mohm @ 10a, 10v 3.5V @ 250 µA 105 NC @ 10 V ± 20V 5000 pf @ 25 V - 68W (TC)
SIGC04T60EX1SA2 Infineon Technologies SIGC04T60EX1SA2 -
RFQ
ECAD 2116 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Morir SIGC04 Estándar Morir descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1 - Parada de Campo de Trinchera 600 V 6 A 18 A 1.9V @ 15V, 6a - -
IRGC15B60KB Infineon Technologies IRGC15B60KB -
RFQ
ECAD 9544 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto - Montaje en superficie Morir Estándar Morir descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 1 - Escrutinio 600 V 15 A 1.35V @ 15V, 3A - -
SIGC08T60EX1SA1 Infineon Technologies SIGC08T60EX1SA1 -
RFQ
ECAD 1822 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Morir SIGC08 Estándar Morir descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1 - Parada de Campo de Trinchera 600 V 15 A 45 A 1.9V @ 15V, 15a - -
IRGC100B60KB Infineon Technologies IRGC100B60KB -
RFQ
ECAD 6394 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto - Montaje en superficie Morir IRGC100 Estándar Morir descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 1 - Escrutinio 600 V 100 A 2.1V @ 15V, 100A - -
63-9019 Infineon Technologies 63-9019 -
RFQ
ECAD 5942 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto - - - - - - - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 1 - - - - -
SIGC15T60EX1SA4 Infineon Technologies SIGC15T60EX1SA4 -
RFQ
ECAD 1494 0.00000000 Infineon Technologies Trenchstop ™ Una granela Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Morir SIGC15 Estándar Morir descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1 - Parada de Campo de Trinchera 600 V 30 A 90 A 1.9V @ 15V, 30a - -
IRGC4067EFX7SA1 Infineon Technologies IRGC4067EFX7SA1 -
RFQ
ECAD 3834 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo - Montaje en superficie Morir IRGC4067 Estándar Morir - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1 - - 600 V 240 A - - -
IRG4CC50WC Infineon Technologies IRG4CC50WC -
RFQ
ECAD 4254 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie Morir IRG4CC Estándar Morir descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 1 - 33 ns - 600 V 27 A - - -
IRGC100B120UB Infineon Technologies IRGC100B120UB -
RFQ
ECAD 4883 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto - Montaje en superficie Morir IRGC100 Estándar Morir descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 1 - Escrutinio 1200 V 100 A 3.5V @ 15V, 100A - -
IRG4CC80SB Infineon Technologies IRG4CC80SB -
RFQ
ECAD 6542 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie Morir IRG4CC Estándar Morir descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 1 - - 600 V - - -
IRGC4275B Infineon Technologies IRGC4275B -
RFQ
ECAD 9442 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Morir Estándar Morir descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 1 400V, 200a, 5ohm, 15V - 650 V 1.9V @ 15V, 200a - 380 NC 130ns/280ns
IGC10T65U8QX1SA1 Infineon Technologies IGC10T65U8QX1SA1 -
RFQ
ECAD 8806 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Activo - - - IGC10 - - - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1 - - - - -
IRGC20B60KB Infineon Technologies IRGC20B60KB -
RFQ
ECAD 8528 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Obsoleto - Montaje en superficie Morir Estándar Morir descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 1 - Escrutinio 600 V 20 A 1.3V @ 15V, 4A - -
MRF24G300HSR5 NXP USA Inc. MRF24G300HSR5 136.8900
RFQ
ECAD 153 0.00000000 NXP USA Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 125 V Montaje en superficie Ni-780S-4L MRF24 2.4GHz ~ 2.5GHz Mosfet Ni-780S-4L descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 2 Canal N (Dual) - 300W 15.3db - 48 V
MMRF5017HS-1GHZ NXP USA Inc. MMRF5017HS-1GHZ -
RFQ
ECAD 5591 0.00000000 NXP USA Inc. * Banda Descontinuado en sic MMRF5017 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1
A3G22H400-04SR3 NXP USA Inc. A3G22H400-04SR3 122.6564
RFQ
ECAD 8801 0.00000000 NXP USA Inc. * Tape & Reel (TR) Activo A3G22 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 250
A3T18H408W24SR3 NXP USA Inc. A3T18H408W24SR3 -
RFQ
ECAD 8075 0.00000000 NXP USA Inc. * Tape & Reel (TR) Obsoleto A3T18 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 250
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock