SIC
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Transistores (100539)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
SIHG24N80AEF-GE3 Vishay Siliconix SiHG24N80AEF-GE3 4.8700
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Vishay Siliconix EF Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Mosfet (Óxido de metal) To47ac - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 742-SiHG24N80AEF-GE3 EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 800 V 20A (TC) 10V 195mohm @ 10a, 10v 4V @ 250 µA 90 NC @ 10 V ± 30V 1889 pf @ 100 V - 208W (TC)
SISA14BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISA14BDN-T1-GE3 0.7100
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Gen IV Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® 1212-8 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® 1212-8 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 21a (TA), 72a (TC) 4.5V, 10V 5.38mohm @ 10a, 10v 2.2V @ 250 µA 22 NC @ 10 V +20V, -16V 917 pf @ 15 V - 3.8W (TA), 45W (TC)
BLS9G2731LS-400 Ampleon USA Inc. BLS9G2731LS-400 -
RFQ
 ECAD 2939 0.00000000 AMpleon USA Inc. - Banda Activo 65 V Monte del Chasis Sot-502b 2.7GHz ~ 3.1GHz Ldmos Sot502b descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1603-BLS9G2731LS-400 1 4 µA 400 mA 400W 13dB - 32 V
BLC8G27LS-60AVH Ampleon USA Inc. BLC8G27LS-60AVH -
RFQ
 ECAD 5188 0.00000000 AMpleon USA Inc. - Una granela Obsoleto 65 V Monte del Chasis SOT-1275-1 2.3GHz ~ 2.69GHz Ldmos DFM6 - Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 1 Fuente Común Dual 1.2 µA 240 Ma 60W 15dB - 28 V
PJP60R620E_T0_00001 Panjit International Inc. PJP60R620E_T0_00001 0.7138
RFQ
 ECAD 6845 0.00000000 Panjit International Inc. - Tubo No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 PJP60R Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 3757-PJP60R620E_T0_00001 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 1.2a (TA), 7a (TC) 10V 620mohm @ 2.4a, 10V 4V @ 250 µA 21 NC @ 10 V ± 20V 457 pf @ 25 V - 2W (TA), 78W (TC)
PJE8438_R1_00001 Panjit International Inc. PJE8438_R1_00001 0.4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-523 PJE8438 Mosfet (Óxido de metal) SOT-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 3757-PJE8438_R1_00001DKR EAR99 8541.21.0095 4.000 N-canal 50 V 360MA (TA) 1.8v, 10v 1.45ohm @ 500 mA, 10V 1V @ 250 µA 0.95 NC @ 4.5 V ± 20V 36 pf @ 25 V - 300MW (TA)
PJW5P06A-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJW5P06A-AU_R2_000A1 0.6400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA PJW5P06 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 60 V 5A (TA) 4.5V, 10V 68mohm @ 5a, 10v 2.5V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 20V 879 pf @ 30 V - 3.1W (TA)
PJQ4446P-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ4446P-AU_R2_000A1 0.8700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Panjit International Inc. Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn PJQ4446 Mosfet (Óxido de metal) DFN3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 3757-PJQ4446P-AU_R2_000A1TR EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 40 V 10.5a (TA), 48a (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 8a, 10v 2.5V @ 250 µA 22 NC @ 10 V ± 20V 1258 pf @ 25 V - 2.4W (TA), 50W (TC)
C4H2327N110AZ Ampleon USA Inc. C4H2327N110AZ 47.3500
RFQ
 ECAD 185 0.00000000 AMpleon USA Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 50 V Montaje en superficie 6-vdfn exposición almohadilla 2.3GHz ~ 2.69GHz - 6-DFN (7x6.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 - - - 15dB -
FDS4465-PG onsemi FDS4465-PG -
RFQ
 ECAD 2489 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-FDS4465-PGTR EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 20 V 13.5a (TA) 1.8V, 4.5V 8.5mohm @ 13.5a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 120 NC @ 4.5 V ± 8V 8237 pf @ 10 V - 1.2W (TA)
FDC638P-P onsemi FDC638P-P -
RFQ
 ECAD 7160 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 FDC638 Mosfet (Óxido de metal) Supersot ™ -6 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-FDC638P-PTR EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 4.5a (TA) 2.5V, 4.5V 48mohm @ 4.5a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 14 NC @ 4.5 V ± 8V 1160 pf @ 10 V - 1.6w (TA)
FDC2512-P onsemi FDC2512-P -
RFQ
 ECAD 9207 0.00000000 onde Powertrench® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 FDC2512 Mosfet (Óxido de metal) Supersot ™ -6 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 488-FDC2512-PTR EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 150 V 1.4a (TA) 6V, 10V 425mohm @ 1.4a, 10V 4V @ 250 µA 11 NC @ 10 V ± 20V 344 pf @ 75 V - 800MW (TA)
2N7002KWA-TP Micro Commercial Co 2N7002KWA-TP 0.3600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Micro Commercial Co - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 2N7002 Mosfet (Óxido de metal) Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 340MA 4.5V, 10V 5ohm @ 500 mA, 10V 2V @ 250 µA ± 20V 40 pf @ 10 V - 200MW
SI2312A-TP Micro Commercial Co SI2312A-TP 0.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micro Commercial Co - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Si2312 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 353-SI2312A-TPTR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 20 V 5A 2.5V, 4.5V 25mohm @ 3.4a, 4.5V 900MV @ 250 µA ± 8V 865 pf @ 10 V - 1.2w
SI3134KL3A-TP Micro Commercial Co Si3134kl3a-tp 0.3400
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Micro Commercial Co - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-101, SOT-883 SI3134 Mosfet (Óxido de metal) DFN1006-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 20 V 750 MAPA 1.8V, 4.5V 300mohm @ 500 mA, 4.5V 1.1V @ 250 µA 0.8 NC @ 4.5 V ± 12V 33 pf @ 16 V - 900MW
MSJU11N65A-TP Micro Commercial Co MSJU11N65A-TP 1.7600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micro Commercial Co - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 MSJU11 Mosfet (Óxido de metal) DPAK (A 252) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 353-MSJU11N65A-TPTR EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 650 V 11A 10V 380mohm @ 3.2a, 10V 4V @ 250 µA 21 NC @ 10 V ± 30V 763 pf @ 25 V - 83.3W (TC)
SL3007-TP Micro Commercial Co SL3007-TP 0.5000
RFQ
 ECAD 9078 0.00000000 Micro Commercial Co - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 SL3007 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3l descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 30 V 7A 4.5V, 10V 25mohm @ 7a, 10v 2.5V @ 250 µA 30 NC @ 10 V ± 20V 1500 pf @ 15 V - 1.9w
SI3139KDWA-TP Micro Commercial Co Si3139kdwa-tp 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micro Commercial Co - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 SI3139 Mosfet (Óxido de metal) 150MW (TA) Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 20V 600mA 850mohm @ 500 mA, 4.5V 1.1V @ 250 µA 0.86nc @ 4.5V 40pf @ 16V -
MCAC38N10Y-TP Micro Commercial Co MCAC38N10Y-TP 0.8700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micro Commercial Co - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn MCAC38N10Y Mosfet (Óxido de metal) DFN5060 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 100 V 38a 4.5V, 10V 17.5mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA 16 NC @ 10 V ± 20V 1051 pf @ 50 V - 59W (TJ)
MCQ18N03-TP Micro Commercial Co MCQ18N03-TP 0.7600
RFQ
 ECAD 7804 0.00000000 Micro Commercial Co - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) MCQ18N03 Mosfet (Óxido de metal) 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 353-MCQ18N03-TPTR EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 30 V 18A 4.5V, 10V 5mohm @ 18a, 10v 2.5V @ 250 µA 42 NC @ 10 V ± 20V 1950 pf @ 15 V - 2.5w
SIL2324A-TP Micro Commercial Co SIL2324A-TP 0.5100
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 Micro Commercial Co - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 SIL2324 Mosfet (Óxido de metal) 1.5w Sot-23-6l descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 100V 2a 280mohm @ 2a, 10v 2V @ 250 µA 4.8nc @ 4.5V 520pf @ 15V -
PJD85N03-AU_L2_000A1 Panjit International Inc. PJD85N03-AU_L2_000A1 0.4455
RFQ
 ECAD 2393 0.00000000 Panjit International Inc. Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 PJD85 Mosfet (Óxido de metal) Un 252 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 3757-PJD85N03-AU_L2_000A1TR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 16A (TA), 85A (TC) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA 23 NC @ 4.5 V ± 20V 2436 pf @ 25 V - 2W (TA), 58W (TC)
PJW7N06A_R2_00001 Panjit International Inc. PJW7N06A_R2_00001 0.5400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Panjit International Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA PJW7N06 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 6.6a (TC) 4.5V, 10V 34mohm @ 6a, 10v 2.5V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 20V 1173 pf @ 25 V - 3.1W (TC)
PJF7NA80_T0_00001 Panjit International Inc. PJF7NA80_T0_00001 -
RFQ
 ECAD 8035 0.00000000 Panjit International Inc. - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero PJF7NA80 Mosfet (Óxido de metal) ITO-220AB - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 3757-PJF7NA80_T0_00001 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 800 V 7a (TA) 10V 1.55ohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250 µA 23 NC @ 10 V ± 30V 1082 pf @ 25 V - 50W (TC)
PBHV9110DA_R1_00001 Panjit International Inc. PBHV9110DA_R1_00001 0.4400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 PBHV9110 1.25 W Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 3757-PBHV9110DA_R1_00001DKR EAR99 8541.29.0095 3.000 100 V 1 A 500NA (ICBO) PNP 600mv @ 100 mm, 1a 100 @ 500 mA, 5V 100MHz
PJF2NA70_T0_00001 Panjit International Inc. PJF2NA70_T0_00001 -
RFQ
 ECAD 9272 0.00000000 Panjit International Inc. - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero PJF2NA70 Mosfet (Óxido de metal) ITO-220AB - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 3757-PJF2NA70_T0_00001 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 700 V 2a (TA) 10V 6.5ohm @ 1a, 10v 4V @ 250 µA 7.8 NC @ 10 V ± 30V 260 pf @ 25 V - 28W (TC)
PJQ5448_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5448_R2_00001 -
RFQ
 ECAD 6875 0.00000000 Panjit International Inc. - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn PJQ5448 Mosfet (Óxido de metal) DFN5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 3757-PJQ5448_R2_00001CT EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 9.6a (TA), 50A (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA 10 NC @ 4.5 V ± 20V 1040 pf @ 20 V - 2W (TA), 54W (TC)
PJD60R620E_L2_00001 Panjit International Inc. PJD60R620E_L2_00001 0.6218
RFQ
 ECAD 6590 0.00000000 Panjit International Inc. - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 PJD60 Mosfet (Óxido de metal) Un 252 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 3757-PJD60R620E_L2_00001TR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 600 V 1.2a (TA), 7a (TC) 10V 620mohm @ 2.4a, 10V 4V @ 250 µA 21 NC @ 10 V ± 20V 457 pf @ 25 V - 2W (TA), 78W (TC)
PJL9606_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9606_R2_00001 0.2830
RFQ
 ECAD 9967 0.00000000 Panjit International Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) PJL9606 Mosfet (Óxido de metal) 1.7w (TA) 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 3757-PJL9606_R2_00001TR EAR99 8541.29.0095 2.500 N y p-canal complementario 30V 7a (TA), 6a (TC) 19mohm @ 6a, 10v, 30mohm @ 4a, 10v 2.5V @ 250 µA 4.8nc @ 4.5V, 7.8nc @ 4.5V 429pf @ 25V, 846pf @ 15V -
PJQ5450_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5450_R2_00001 0.1641
RFQ
 ECAD 4409 0.00000000 Panjit International Inc. - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn PJQ5450 Mosfet (Óxido de metal) DFN5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 3757-PJQ5450_R2_00001TR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 5.9a (TA), 21a (TC) 4.5V, 10V 32mohm @ 12a, 10v 2.5V @ 250 µA 4.4 NC @ 4.5 V ± 20V 425 pf @ 25 V - 2W (TA), 25W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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