Condiciones de encendido de canal P-canal

Las condiciones de encendido para unMOSFET de canal P (PMOS)están inversos a los de un MOSFET de canal N (NMOS), gobernado principalmente por la relación entre el voltaje de fuente de puerta (VGS) y el voltaje umbral (VTH), junto con la polaridad de voltaje. Aquí están los puntos clave:

1. Condiciones de encendido del núcleo

V_Gs= V_GRAMO−V_S(V_GRAMO= Voltaje de puerta, V_S= Voltaje de fuente).

Desde V_thPara PMOS es típicamente negativo (por ejemplo, -1v, -2v), el voltaje de la puerta debe serSignificativamente más bajoque el voltaje de origen para satisfacer V_Gs≤V_th.

Ejemplo:
Si V_th= −2V y V_S=+5V, entonces: V_GRAMO−5v≤ - 2v⟹v_GRAMO≤+3V
El PMOS se enciende cuando V_GRAMOcae por debajo de 3V.

2. Comparación con el canal NMOSFET (NMOS)

3. Consideraciones prácticas clave

Conmutación de lado alto:
PMOSse usa comúnmente en circuitos de interruptor de lado alto (fuente conectada a la fuente de alimentación, drene a la carga). Un voltaje de puerta baja lo enciende, conectando a tierra la carga. Ejemplo:En los circuitos con batería, PMOS controla la alimentación a la carga, simplificando el control de nivel lógico.

Circuito de polaridad y accionamiento de voltaje:

PMOS requiere uncontrolador desplegable(por ejemplo, un transistor NPN o NMOS) para reducir el voltaje de la puerta debajo de la fuente.

En la lógica de CMOS (por ejemplo, los inversores), PMOS extrae la salida de alto, complementando a los NMOS que se reducen.

Efectos del diodo del cuerpo:

PMOS tiene un diodo de cuerpo interno desde la fuente hasta el drenaje. Si el voltaje de drenaje excede el voltaje de la fuente, el diodo se conduce, lo que puede causar un flujo de corriente no intencionado.Los diseñadores deben evitar voltajes inversos o agregar medidas de protección.

4. Resumen