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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 70V7519S166BC | 225.9344 |  | 9787 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 256 lbGa | 70V7519 | Sram - Puerto Dual, Sincónnico | 3.15V ~ 3.45V | 256-cabga (17x17) | descascar | Rohs no conforme | 4 (72 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 6 | 166 MHz | Volante | 9 MBIT | 3.6 ns | Sram | 256k x 36 | Paralelo | - | |||
 | Cy62136vnll-70bai | 4.9100 | | 4 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | * | Una granela | Activo | - | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 62 | ||||||||||||||||||
 | W25q10ewsnig | 0.3068 | | 9551 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | W25Q10 | Flash - Ni | 1.65V ~ 1.95V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 256-W25Q10EWSNIG | EAR99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | No Volátil | 1 mbit | Destello | 128k x 8 | SPI - Quad I/O | 30 µs, 800 µs | |||
 | IS61LPS25618EC-200TQLI | 7.5262 | | 4450 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | IS61LPS25618 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 100-LQFP (14x20) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | Volante | 4.5Mbit | 3.1 NS | Sram | 256k x 18 | Paralelo | - | |||
 | W25Q16DVUUAG | - | | 5032 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-Ufdfn Padera Expunesta | W25Q16 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-Uson (4x3) | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 256-W25Q16DVUUAG | Obsoleto | 1 | 104 MHz | No Volátil | 16mbit | 6 ns | Destello | 2m x 8 | SPI - Quad I/O | 50 µs, 3 ms | ||||
 | BR24C02-WDW6TP | - | | 6549 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | BR24C02 | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3.000 | 400 kHz | No Volátil | 2 kbits | Eeprom | 256 x 8 | I²C | 5 ms | ||||
| Mtfc256gavattc-it tr | 82.2150 | | 2803 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MTFC256GAVATTC-ITTR | 2,000 | ||||||||||||||||||||||
| 7034L12PF | - | | 8671 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | La Última Vez Que Compre | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 100-TQFP (14x14) | - | 800-7034L12PF | 1 | Volante | 72 kbits | 12 ns | Sram | 4k x 18 | Paralelo | 12ns | |||||||||
 | MT40A2G8NEA-062E: J TR | - | | 1208 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT40A2G8 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (7.5x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 557-MT40A2G8NEA-062E: JTR | Obsoleto | 2,000 | 1.6 GHz | Volante | 16 gbit | 19 ns | Dracma | 2G x 8 | Paralelo | 15ns | ||||
 | 6116la45sogi | - | | 7517 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | 6116la | Sram - Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 24-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Volante | 16 kbits | 45 ns | Sram | 2k x 8 | Paralelo | 45ns | ||||
| 1787 TR | 59.8650 | | 8903 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-1787TR | 2,000 | ||||||||||||||||||||||
 | 7019L20pf8 | - | | 9572 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | 7019L20 | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 100-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 750 | Volante | 1.125Mbit | 20 ns | Sram | 128k x 9 | Paralelo | 20ns | ||||
| C-2400D4DR8S/16G | 58.5000 | | 1512 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-C-2400D4DR8S/16G | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| MT53B384M64D4NK-053 WT: B | - | | 5939 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 366-WFBGA | MT53B384 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 366-WFBGA (15x15) | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.190 | 1.866 GHz | Volante | 24 gbit | Dracma | 384m x 64 | - | - | ||||||
 | CY7C1470V33-167BZXI | - | | 2820 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Nobl ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C1470 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.6V | 165-FBGA (15x17) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 167 MHz | Volante | 72Mbit | 3.4 ns | Sram | 2m x 36 | Paralelo | - | |||
| MT66R7072A10AB5ZZW.ZCA | - | | 5424 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 121-WFBGA | MT66R7072 | PCM - LPDDR2, MCP - LPDDR2 | 1.14V ~ 1.95V | 121-vfbga (11x10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 166 MHz | No Volátil | 1Gbit (PCM), 512Mbit (MCP) | RAM | 128m x 8 (PCM), 64m x 8 (MCP) | Paralelo | - | |||||
| Gd25f64fwigr | 0.9688 | | 5581 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25F | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (5x6) | - | 1970-gd25f64fwigrtr | 3.000 | 200 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O, DTR | - | |||||||||
 | 00D5048-C | 48.5000 | | 9025 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-00D5048-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| Ndl26pfi-9met tr | 6.6986 | | 4501 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-vfbga | NDL26 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (7.5x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 1982-ndl26pfi-9Mettr | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.500 | 933 MHz | Volante | 2 GBIT | 20 ns | Dracma | 128m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
 | CY7C1018DV33-10VXI | 3.6300 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-BSOJ (0.300 ", 7.62 mm de ancho) | CY7C1018 | Sram - Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 32-SOJ | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 23 | Volante | 1 mbit | 10 ns | Sram | 128k x 8 | Paralelo | 10ns | ||||
 | S29GL512N10FFAR23 | - | | 4829 | 0.00000000 | Infineon Technologies | GL-N | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | S29GL512 | Flash - Ni | 3V ~ 3.6V | 64-FBGA (13x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | No Volátil | 512Mbit | 100 ns | Destello | 64m x 8, 32m x 16 | Paralelo | 100ns | ||||
 | 03x6657-C | 24.5000 | | 3318 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-03x6657-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| W25Q80EWSNBG | - | | 9472 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | W25Q80 | Flash - Ni | 1.65V ~ 1.95V | 8-Soico | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 256-W25Q80EWSNBG | Obsoleto | 1 | 104 MHz | No Volátil | 8mbit | 6 ns | Destello | 1m x 8 | SPI - Quad I/O | 30 µs, 800 µs | ||||
| Mx25u16356zni02 | 0.5327 | | 2457 | 0.00000000 | Macronix | - | Banda | Activo | - | 3 (168 Horas) | 1092-MX25U16356ZNI02 | 570 | |||||||||||||||||||||
| IS43LR16160H-6BL | 4.8239 | | 2579 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 60-TFBGA (8x10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43LR16160H-6BL | 300 | 166 MHz | Volante | 256Mbit | 5.5 ns | Dracma | 16m x 16 | Paralelo | 15ns | ||||||
 | H2P65ET-C | 24.5000 | | 6503 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-H2P65ET-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | IS43TR85120A-093NBLI | - | | 7700 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | IS43TR85120 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 78-TWBGA (9x10.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS43TR85120A-093NBLI | EAR99 | 8542.32.0036 | 220 | 1.066 GHz | Volante | 4 gbit | 20 ns | Dracma | 512m x 8 | Paralelo | 15ns | ||
| S34ML02G200GHI000 | - | | 9075 | 0.00000000 | Skyhigh Memory Limited | - | Banda | Descontinuado en sic | S34ml02 | - | Cumplimiento de Rohs | 3 (168 Horas) | 2120-S34ML02G200GHI000 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 260 | Sin verificado | ||||||||||||||||
 | MR25H256AMDFR | 8.5386 | | 9234 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-vdfn | MR25H256 | Mram (Ram Magnetoresistivo) | 2.7V ~ 3.6V | 8-DFN-EP, Bandera Pequeña (5x6) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 819-MR25H256AMDFRTR | EAR99 | 8542.32.0071 | 4.000 | 40 MHz | No Volátil | 256 kbit | 9 ns | RAM | 32k x 8 | SPI | - | ||
 | UPD431000AGW-80Y | 0.7800 | | 39 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 3A991 | 8542.32.0041 | 1 |
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