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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Sic programable | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 5962-9161704mya | - |  | 8239 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 84 Pañales | 5962-9161704 | Sram - Puerto Dual, Sincónnico | 4.5V ~ 5.5V | 84 paquetes | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 800-5962-9161704mya | Obsoleto | 6 | Volante | 128 kbit | 55 ns | Sram | 8k x 16 | Paralelo | 55ns | |||||
| AS4C256M16D4-83BINTR | 8.1795 | | 5498 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (7.5x13.5) | descascar | 3 (168 Horas) | 1450-AS4C256M16D4-83BINTR | 2.500 | 1.2 GHz | Volante | 4 gbit | 18 ns | Dracma | 256m x 16 | Vana | 15ns | ||||||||
| MT62F768M32D2DS-026 WT: B TR | 17.6400 | | 5455 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT62F768M32D2DS-026WT: BTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||||
| 71256S20ygi | - | | 8210 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 28-BSOJ (0.300 ", 7.62 mm de Ancho) | Sram - Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 28-SOJ | - | 800-71256S20ygi | 1 | Volante | 256 kbit | 20 ns | Sram | 32k x 8 | Paralelo | 20ns | ||||||||||
| MT53E2G64D8TN-046 WT: A TR | 92.3100 | | 8633 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 556-LFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 556-LFBGA (12.4x12.4) | - | 557-MT53E2G64D8TN-046WT: ATR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 128 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 2G x 64 | Paralelo | 18ns | |||||||||
| IS62WV10248HBLL-45B2LI-TR | 3.8489 | | 6183 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-vfbga | Sram - Asínncrono | 2.2V ~ 3.6V | 48-vfbga (6x8) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS62WV10248HBLL-45B2LI-TR | 2.500 | Volante | 8mbit | 45 ns | Sram | 1m x 8 | Paralelo | 45ns | ||||||||
| B4U35AA-C | 17.5000 | | 6552 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-B4U35AA-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||||
| GD55LT02 Gebario | 37.1750 | | 2866 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd55lt | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 24-TFBGA (6x8) | - | 1970-GD55LT02 GOBAR | 4.800 | 166 MHz | No Volátil | 2 GBIT | Destello | 256m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | - | ||||||||||
| GD25WD20EGIG | 0.2865 | | 4817 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25WD | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 3.6V | 8-USON (3x2) | descascar | 1970-GD25WD20EEGRTR | 3.000 | 104 MHz | No Volátil | 2 mbit | 6 ns | Destello | 256k x 8 | SPI - Dual I/O | 100 µs, 6 ms | |||||||||
 | CY7B139-35JI | 34.8000 | | 1305 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 68 LCC (J-Lead) | CY7B139 | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 68-PLCC (24.23x24.23) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Volante | 36 kbits | 35 ns | Sram | 4k x 9 | Paralelo | 35ns | |||||
 | 93C66-I/SM | 1.2800 | | 1 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | 93C66 | Eeprom | 4.5V ~ 5.5V | descascar | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 2 MHz | No Volátil | 4 kbits | Eeprom | 512 x 8, 256 x 16 | Microondas | 2 ms | ||||||||
 | IS62WVS0648FBLL-20NLI | 2.2660 | | 1924 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IS62WVS0648 | Sram - Sincónnico, SDR | 2.2V ~ 3.6V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 100 | 20 MHz | Volante | 512 kbit | Sram | 64k x 8 | SPI - Quad I/O, SDI, DTR | - | |||||
| MT53E4G32D8GS-046 WT: C | 127.0200 | | 4438 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | - | - | SDRAM - Mobile LPDDR4 | - | - | - | 557-MT53E4G32D8GS-046WT: C | 1 | 2.133 GHz | Volante | 128 GBIT | Dracma | 4g x 32 | Paralelo | - | ||||||||||
| NDD36PT6-2AIT | 2.5561 | | 2497 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | Ndd36p | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 1982-NDD36PT6-2AIT | 108 | 200 MHz | Volante | 256Mbit | 700 PS | Dracma | 16m x 16 | SSTL_2 | 15ns | |||||||
 | MX25L51245GMJ-10G | 5.8558 | | 6605 | 0.00000000 | Macronix | Mxsmio ™ | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 16-SOP | - | 3 (168 Horas) | 1092-MX25L51245GMJ-10G | 44 | 104 MHz | No Volátil | 512Mbit | 5.5 ns | Destello | 128m x 4, 256m x 2, 512m x 1 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 4ms | ||||||||
| IS46LQ32128A-062TBLA2-TR | - | | 7573 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-TFBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS46LQ32128A-062TBLA2-TR | 2.500 | 1.6 GHz | Volante | 4 gbit | 3.5 ns | Dracma | 128m x 32 | Lvstl | 18ns | |||||||
 | S29GL512T10GHI020 | 8.5600 | | 3203 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | GL-T | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-vfbga | S29GL512 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 56-FBGA (9x7) | descascar | Rohs no conforme | No Aplicable | Vendedor indefinido | 2832-S29GL512T10GHI020 | 3A991B1A | 8542.32.0070 | 30 | No Volátil | 512Mbit | 100 ns | Destello | 64m x 8 | Paralelo | 60ns | Sin verificado | |||
 | XC1702LPC44C | 21.7000 | | 90 | 0.00000000 | Amd | * | Una granela | Activo | Sin verificado | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | ||||||||||||||||||
| 70824L35PFI8 | - | | 8152 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 80-LQFP | Sram | 4.5V ~ 5.5V | 80-tqfp (14x14) | - | 800-70824L35PFI8TR | 1 | 25 MHz | Volante | 64 kbits | 35 ns | Sram | 4k x 16 | Paralelo | 35ns | |||||||||
 | S26KL128SDABHA020 | 5.3500 | | 170 | 0.00000000 | Extensión | Automotive, AEC-Q100, Hyperflash ™ KL | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-VBGA | S26KL128 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 24-FBGA (6x8) | descascar | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 57 | 100 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | 96 ns | Destello | 16m x 8 | Paralelo | - | Sin verificado | ||||||
 | S70GL02GP11FAIR20 | 52.8700 | | 19 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | GL-P | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | S70GL02 | Flash - Ni | 3V ~ 3.6V | 64-FBGA (11x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 2832-S70GL02GP11FAIR20 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 10 | No Volátil | 2 GBIT | 110 ns | Destello | 256m x 8, 128m x 16 | Paralelo | - | ||||||
| K9F8008WOM-TCB | 0.7500 | | 27 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C | Montaje en superficie | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 5.5V | 48-TSOP | - | 3277-K9F8008WOM-TCB | EAR99 | 8542.32.0071 | 480 | No Volátil | 8mbit | Destello | 1m x 8 | Paralelo | Sin verificado | ||||||||||
 | S70FS01GSAGMFI010 | 12.2800 | | 4004 | 0.00000000 | Extensión | FS-S | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | S70FS01 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 16-soico | descascar | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 133 MHz | No Volátil | 1 gbit | Destello | 128m x 8 | SPI - Quad I/O | - | ||||||||
 | S29GL128S90TFA010 | - | | 6382 | 0.00000000 | Extensión | GL-S | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | S29GL128 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 56-TSOP | descascar | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | No Volátil | 128 Mbbit | 90 ns | Destello | 8m x 16 | Paralelo | 60ns | ||||||||
| 7005L12PF8 | - | | 9041 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64-LQFP | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 64-TQFP (14x14) | - | 800-7005L12PF8TR | 1 | Volante | 64 kbits | 12 ns | Sram | 8k x 8 | Paralelo | 12ns | ||||||||||
| Sm671padlbfss | 47.2800 | | 7742 | 0.00000000 | Silicon Motion, Inc. | - | Una granela | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 1984-sm671padlbfss | 1 | ||||||||||||||||||||||
| NLQ26PFS-6NIT | 8.3250 | | 3042 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-FBGA (10x14.5) | - | 1982-NLQ26PFS-6NIT | 2,000 | 1.6 GHz | Volante | 2 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 128m x 16 | Lvstl | 18ns | |||||||||
| MX25S6473FM2I42 | 1.5504 | | 5208 | 0.00000000 | Macronix | - | Tubo | Activo | - | 3 (168 Horas) | 1092-MX25S6473FM2I42 | 92 | ||||||||||||||||||||||
 | 71V67803S133BQ | 26.1188 | | 8072 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165-TBGA | 71v67803 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 165-Cabga (13x15) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 133 MHz | Volante | 9 MBIT | 4.2 ns | Sram | 512k x 18 | Paralelo | - | ||||
 | LE24C043M-TLM-E | - | | 2025 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | LE24C | Eeprom | 2.7V ~ 5.5V | 8-MFP | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 1,000 | 400 kHz | No Volátil | 4 kbits | 900 ns | Eeprom | 512 x 8 | I²C | 10 ms |
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