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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | S34ML01G200TFI900 | - |  | 3468 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Ml-2 | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | S34ml01 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | No Volátil | 1 gbit | Destello | 128m x 8 | Paralelo | 25ns | |||||
 | LE24CB642TT-TLM-H | 0.3100 | | 2 | 0.00000000 | Sanyo | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) | LE24CB642 | Eeprom | 2.7V ~ 5.5V | 8-MSOP | - | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 0000.00.0000 | 2,000 | 400 kHz | No Volátil | 64 kbits | 900 ns | Eeprom | 8k x 8 | I²C | 10 ms | ||||
 | 712288-081-C | 110.0000 | | 3200 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-712288-081-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | S27KL0643DPBHV020 | 4.0075 | | 6085 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hyperram ™ KL | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-VBGA | S27KL0643 | Psram (pseudo sram) | 2.7V ~ 3.6V | 24-FBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 3,380 | 166 MHz | Volante | 64 Mbbit | 36 ns | Psram | 8m x 8 | SPI - E/S Octal | 36NS | ||||
 | Cy62138vnll-70bai | 3.1200 | | 498 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar Afectados | 2156-cy62138vnll-70bai-428 | 1 | ||||||||||||||||||||
| Gd5f1gq5ueyigy | 2.3296 | | 8895 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x8) | descascar | 1970-gd5f1gq5ueyigy | 4.800 | 133 MHz | No Volátil | 1 gbit | 7 ns | Destello | 256m x 4 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 600 µs | ||||||||
 | 843313-B21-C | 143.7500 | | 7200 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-84333313-B21-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | TMS55161-60DGH | 7.0000 | | 4 | 0.00000000 | Instrumentos de Texas | * | Una granela | Activo | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | ||||||||||||||||||
| S25FL256LDPNFB013 | - | | 1657 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Una granela | Activo | - | 2156-S25FL256LDPNFB013 | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | IS29GL256S-10DHV02 | - | | 2295 | 0.00000000 | Infineon Technologies | GL-S | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | IS29GL256 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (9x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | No Volátil | 256Mbit | 100 ns | Destello | 32m x 8 | Paralelo | 60ns | ||||
 | IS49NLC36800-25BI | - | | 8343 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 144-TFBGA | IS49NLC36800 | RDRAM 2 | 1.7V ~ 1.9V | 144-FCBGA (11x18.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0028 | 104 | 400 MHz | Volante | 288Mbit | 20 ns | Dracma | 8m x 36 | Paralelo | - | |||
 | IS25LQ025B-JKLE-TR | - | | 2338 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | IS25LQ025 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 8-wson (6x5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 4.500 | 104 MHz | No Volátil | 256 kbit | Destello | 32k x 8 | SPI - Quad I/O | 800 µs | ||||
 | Cy7C1021BN-15ZXCT | 2.1200 | | 2 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | CY7C1021 | Sram - Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 44-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 142 | Volante | 1 mbit | 15 ns | Sram | 64k x 16 | Paralelo | 15ns | Sin verificado | |||||
 | W25q64jvsaq | - | | 8340 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | W25Q64 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-Soico | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 256-W25Q64JVSAQ | 1 | 133 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 6 ns | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O | 3 ms | |||||
| MT44K32M36RB-093F: A TR | - | | 3003 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 168-TBGA | MT44K32M36 | RDRAM 3 | 1.28V ~ 1.42V | 168-BGA (13.5x13.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.066 GHz | Volante | 1.125 GBIT | 7.5 ns | Dracma | 32m x 36 | Paralelo | - | |||
 | 24FC01T-E/MS | 0.3400 | | 2 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) | 24FC01 | Eeprom | 1.7V ~ 5.5V | 8-MSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 1 MHz | No Volátil | 1 kbit | 450 ns | Eeprom | 128 x 8 | I²C | 5 ms | |||
| NDQ46PFP-7NIT TR | - | | 3266 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | - | - | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | - | - | 1982-NDQ46PFP-7NITTR | Obsoleto | 2.500 | 1.333 GHz | Volante | 4 gbit | 18 ns | Dracma | 256m x 16 | Vana | 15ns | |||||||
| 7008L12G | - | | 3279 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | La Última Vez Que Compre | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 84-BPGA | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 84-PGA (27.94x27.94) | - | 800-7008L12G | 1 | Volante | 512 kbit | 12 ns | Sram | 64k x 8 | Paralelo | 12ns | |||||||||
| M3004316045NX0IBCR | 10.2011 | | 8501 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 484-BGA | Mram (Ram Magnetoresistivo) | 2.7V ~ 3.6V | 484-cabga (23x23) | - | ROHS3 Cumplante | 800-M3004316045NX0IBCRTR | 1 | No Volátil | 4mbit | 45 ns | RAM | 256k x 16 | Paralelo | 45ns | ||||||||
| W958D6NWSX4I TR | 2.3600 | | 2511 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 4.000 | |||||||||||||||||||||
 | IS42SM32160E-75BLI-TR | 10.0200 | | 6316 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-TFBGA | IS42SM32160 | Sdram - móvil | 2.7V ~ 3.6V | 90-TFBGA (8x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0028 | 2.500 | 133 MHz | Volante | 512Mbit | 6 ns | Dracma | 16m x 32 | Paralelo | - | |||
 | MT53E256M32D2DS-046 AIT: B | 19.2500 | | 810 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53E256 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT53E256M32D2DS-046AIT: B | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 2.133 GHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 256m x 32 | - | - | |||
| MT40A8G4CLU-075H: E TR | - | | 3873 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT40A8G4 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (7.5x11) | - | 557-MT40A8G4CLU-075H: ETR | Obsoleto | 8542.32.0071 | 2,000 | 1.33 GHz | No Volátil | 32 GBIT | 27 ns | Dracma | 8g x 4 | Paralelo | - | |||||
 | CY7C1360A-166AC | 6.3300 | | 2 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | CY7C1360 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | Volante | 9 MBIT | 3.5 ns | Sram | 256k x 36 | Paralelo | - | |||
 | IS46DR16640B-25EBLA1 | - | | 3493 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 84-TFBGA | IS46DR16640 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-TWBGA (8x12.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 209 | 400 MHz | Volante | 1 gbit | 400 ps | Dracma | 64m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
 | PCF85102C-2T/03: 11 | - | | 1967 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | PCF85 | Eeprom | 2.5V ~ 6.0V | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 100 kHz | No Volátil | 2 kbits | Eeprom | 256 x 8 | I²C | - | ||||
 | Cy7c1512av18-250bzit | - | | 5137 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C1512 | Sram - Sincónnico, QDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (15x17) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 250 MHz | Volante | 72Mbit | Sram | 4m x 18 | Paralelo | - | ||||
| Ak6417am | - | | 7693 | 0.00000000 | Asahi Kasei Microdevices/AKM | - | Una granela | Obsoleto | - | - | - | - | - | - | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | |||||||||
 | CY27C010-120WI | - | | 7063 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | A Través del Aguetero | Ventana de 28 CDIP (0.600 ", 15.24 mm) | CY27C010 | EPROM - UV | 4.5V ~ 5.5V | 28 Cerdip | descascar | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.32.0061 | 1 | No Volátil | 1 mbit | 120 ns | EPROM | 128k x 8 | Paralelo | - | ||||
| GD9FS2G6F2Amgi | 4.7450 | | 2141 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD9F | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | Flash - Nand (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | 48-TSOP I | descascar | 1970-GD9FS2G6F2Amgi | 960 | No Volátil | 2 GBIT | 20 ns | Destello | 128m x 16 | Onde | 25ns |
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