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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Otros nombres | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT62F1536M64D8EK-026 AAT: B TR | 94.8300 |  | 2637 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | 441-TFBGA (14x14) | 557-MT62F1536M64D8EK-026AAT: BTR | 1.500 | 3.2 GHz | Volante | 96 GBIT | Dracma | 1.5GX 64 | - | - | ||
| MT62F2G64D8EK-026 WT: C TR | 90.4650 | | 7627 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 441-TFBGA (14x14) | 557-MT62F2G64D8EK-026WT: CTR | 2,000 | 3.2 GHz | Volante | 128 GBIT | Dracma | 2G x 64 | Paralelo | - | ||
| MT62F512M32D2DS-031 WT: B TR | 12.2400 | | 4229 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | 200-WFBGA (10x14.5) | 557-MT62F512M32D2DS-031WT: BTR | 2,000 | 3.2 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 512m x 32 | Paralelo | - | ||
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| MT29F4T08EQLEEG8-QD: E | 105.9600 | | 1875 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | 557-MT29F4T08EQLEEG8-QD: E | 1 | |||||||||||||||
| MT53E1536M32D4DE-046 WT ES: C | 30.2400 | | 5215 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | 557-MT53E1536M32D4DE-046WTES: C | 1 | 2.133 GHz | Volante | 48 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 1.5GX 32 | Paralelo | 18ns | |
| MT53E1536M64D8HJ-046 AAT: B | 92.1450 | | 3765 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 556-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4 | - | 556-WFBGA (12.4x12.4) | 557-MT53E1536M64D8HJ-046AAT: B | 1 | 2.133 GHz | Volante | 96 GBIT | Dracma | 1.5mx 64 | - | - | ||
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| Mtfc64gasaons-it tr | 37.6950 | | 7973 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q104 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 153-TFBGA | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 153-TFBGA (11.5x13) | 557-MTFC64Gasaons-Aittr | 2,000 | 52 MHz | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | UFS2.1 | - | ||
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| Mtfc32gapalgt-s1 | 25.8300 | | 6204 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Caja | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-TFBGA | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 153-TFBGA (11.5x13) | 557-MTFC32GAPALGT-S1IT | 1 | 200 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||
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| MT62F512M32D2DS-031 AUT: B TR | 19.6650 | | 1446 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | 200-WFBGA (10x14.5) | 557-MT62F512M32D2DS-031AUT: BTR | 2,000 | 3.2 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 512m x 32 | Paralelo | - | ||
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| MTFC64GBCAQDQ-AAT ES TR | 29.4000 | | 9810 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 557-MTFC64GBCAQDQ-AATESTR | 1.500 | |||||||||||||||
| MTFC128GASAQJP-AAT TR | 57.1950 | | 8045 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-vfbga | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 153-vfbga (11.5x13) | 557-MTFC128GASAQJP-AATTR | 2,000 | 200 MHz | No Volátil | 1Tbit | Destello | 128g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||
| MT62F1G64D4EK-023 FAAT: C TR | 94.8900 | | 3792 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 441-TFBGA (14x14) | 557-MT62F1G64D4EK-023FAAT: CTR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 1g x 64 | Paralelo | - | ||
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| MT62F2G64D8EK-023 WT ES: B TR | 90.4650 | | 9393 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 441-TFBGA (14x14) | 557-MT62F2G64D8EK-023WTES: BTR | 2,000 | 4.266 GHz | Volante | 128 GBIT | Dracma | 2G x 64 | Paralelo | - | ||
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| MT29F4T08EULEEM4-T: E TR | 85.8150 | | 2502 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C | Montaje en superficie | 132-BGA | Flash - Nand (TLC) | 2.6V ~ 3.6V | 132-lbga (12x18) | 557-MT29F4T08EULEEM4-T: ETR | 2,000 | No Volátil | 4tbit | Destello | 512g x 8 | Paralelo | - |
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