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Memoria (70500)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Voltaje - Suministro	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	FRECUENCIA DE RELOJ	Tipo de Memoria	Tamaña de Memoria	TIempo de Acceso	Formato de Memoria	Organización de la Memoria	Interfaz de Memoria	Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página	Sic programable
SM662GBE-BDST	-	RFQ	4086	Silicon Motion, Inc.	Ferri-EMMC®	Banda	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C	Montaje en superficie	100 lbGa	SM662	Flash - Nand (TLC)	-	100-BGA (14x18)	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)		1984-SM662GBE-BDST	3A991B1A	8542.32.0071	1		No Volátil	2Tbit		Destello	256g x 8	EMMC	-
S25FL256LDPBHV023	5.3200	RFQ	8841	Infineon Technologies	FL-L	Tape & Reel (TR)	Activo	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Montaje en superficie	24-tbGa	S25FL256	Flash - Ni	2.7V ~ 3.6V	24-BGA (8x6)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		3A991B1A	8542.32.0071	2.500	66 MHz	No Volátil	256Mbit		Destello	32m x 8	SPI - Quad I/O, QPI	-
CAT25040VP2IGT3D	-	RFQ	6288	onde	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	8-WFDFN PADERA EXPUESTA	CAT25040	Eeprom	1.8v ~ 5.5V	8-TDFN (2x3)	-		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	488-CAT25040VP2IGT3DTR	Obsoleto		3.000		No Volátil	4 kbits		Eeprom	512 x 8	SPI	5 ms
AT45DQ321-SHFHJ-T	3.8000	RFQ	8	Adesto tecnologías	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho)	AT45DQ321	Destello	2.3V ~ 3.6V	8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		3A991B1A	8542.32.0071	2,000	104 MHz	No Volátil	32Mbit		Destello	512 bytes x 8192 Páginas	SPI	8 µs, 4ms
CAT25010VP2I-GT3	0.2000	RFQ	3	Catalyst Semiconductor Inc.	-	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	8-WFDFN PADERA EXPUESTA	CAT25010	Eeprom	1.8v ~ 5.5V	8-TDFN (2x3)	descascar	No Aplicable	1 (ilimitado)	Vendedor indefinido		EAR99	8542.32.0051	3.000		No Volátil	1 kbit		Eeprom	128 x 8	SPI	5 ms
MT53E256M32D2FW-046 AIT: B TR	14.0850	RFQ	9501	Micron Technology Inc.	Automotriz, AEC-Q100	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Montaje en superficie	200-TFBGA		SDRAM - Mobile LPDDR4X	1.06V ~ 1.17V	200-TFBGA (10x14.5)	descascar				557-MT53E256M32D2FW-046AIT: BTR			2,000	2.133 GHz	Volante	8 gbit	3.5 ns	Dracma	256m x 32	Paralelo	18ns
AT27LV256A-90JU	2.9600	RFQ	2703	Tecnología de Microchip	-	Tubo	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Montaje en superficie	32 LCC (J-Lead)	AT27LV256	EPROM - OTP	3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V	32-PLCC (13.97x11.43)	descascar	ROHS3 Cumplante	2 (1 Año)	Alcanzar sin afectado	AT27LV256A90JU	EAR99	8542.32.0061	32		No Volátil	256 kbit	90 ns	EPROM	32k x 8	Paralelo	-
M10082040108x0psay	25.4842	RFQ	8199	Renesas Electronics America Inc	-	Banda	Activo	-40 ° C ~ 105 ° C	Montaje en superficie	8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho)	M10082040108	Mram (Ram Magnetoresistivo)	1.71v ~ 2v	8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	800-M10082040108x0psay	EAR99	8542.32.0071	150	108 MHz	No Volátil	8mbit		RAM	2m x 4	-	-
SM671PAA-Adss	-	RFQ	9088	Silicon Motion, Inc.	Ferri-ufs ™	Banda	Obsoleto	-40 ° C ~ 105 ° C	Montaje en superficie	153-TFBGA	SM671	Flash - nand (slc), flash - nand (tlc)	-	153-BGA (11.5x13)	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)		1984-SM671PA-Adss	Obsoleto		1		No Volátil	40 GBIT		Destello	5G x 8	UFS2.1	-
IS45S16160J-7CTLA2	5.6109	RFQ	2256	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	-	Tubo	Activo	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Montaje en superficie	54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho)	IS45S16160	Sdram	3V ~ 3.6V	54-TSOP II	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0024	108	143 MHz	Volante	256Mbit	5.4 ns	Dracma	16m x 16	Paralelo	-
CY27C256-150pc	-	RFQ	9858	Cypress Semiconductor Corp	-	Una granela	Activo	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	A Través del Aguetero	28-dip (0.600 ", 15.24 mm)	CY27C256	EPROM - OTP	4.5V ~ 5.5V	28 PDIP	descascar	Rohs no conforme	3 (168 Horas)	Alcanzar Afectados		EAR99	8542.32.0071	1		No Volátil	256 kbit	150 ns	EPROM	32k x 8	Paralelo	-
S25FL116K0XMFB040	1.9300	RFQ	6	Cypress Semiconductor Corp	Automotriz, AEC-Q100, FL1-K	Banda	Obsoleto	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	S25FL116	Flash - Ni	2.7V ~ 3.6V	8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante			2832-S25FL116K0XMFB040	EAR99	8542.32.0071	260	108 MHz	No Volátil	16mbit		Destello	2m x 8	SPI - Quad I/O	3 ms
CY14B512Q2-LHXI	6.2400	RFQ	1	Cypress Semiconductor Corp	*	Una granela	Activo								descascar		Vendedor indefinido	Alcanzar sin afectado	2156-CY14B512Q2-LHXI-428			1
MT62F4G32D8DV-023 WT ES: B	90.4650	RFQ	6434	Micron Technology Inc.	-	Caja	Activo	-25 ° C ~ 85 ° C	-	-		SDRAM - Mobile LPDDR5	-	-	-				557-MT62F4G32D8DV-023WTES: B			1	4.266 GHz	Volante	128 GBIT		Dracma	4g x 32	Paralelo	-
EMFA232A2PF-DV-FR TR	-	RFQ	3946	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Activo				EMFA232				-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado			0000.00.0000	1,000
STK16C88-WF25i	-	RFQ	9810	Infineon Technologies	-	Tubo	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	A Través del Aguetero	28-dip (0.600 ", 15.24 mm)	STK16C88	Nvsram (sram no volátil)	4.5V ~ 5.5V	28 PDIP	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0041	13		No Volátil	256 kbit	25 ns	Nvsram	32k x 8	Paralelo	25ns
CY7C1363C-133333AJXC	11.3600	RFQ	271	Cypress Semiconductor Corp	-	Una granela	Obsoleto	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	100 LQFP	CY7C1363	Sram - Sincónnico, SDR	3.135V ~ 3.6V	100-TQFP (14x20)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado				27	133 MHz	Volante	9 MBIT	6.5 ns	Sram	512k x 18	Paralelo	-	Sin verificado
AA579531-C	230.0000	RFQ	5894	Prolabs	*	Paquete minorista	Activo								-	Cumplimiento de Rohs			4932-AA579531-C	EAR99	8473.30.5100	1
25LC1024-I/WF16K	-	RFQ	9568	Tecnología de Microchip	-	Banda	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	Morir	25LC1024	Eeprom	2.5V ~ 5.5V	Morir	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0051	5,000	20 MHz	No Volátil	1 mbit		Eeprom	128k x 8	SPI	6 ms
S25FL256SAGBHI210	6.0400	RFQ	3	Infineon Technologies	FL-S	Banda	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	24-tbGa	S25FL256	Flash - Ni	2.7V ~ 3.6V	24-BGA (8x6)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		3A991B1A	8542.32.0051	3,380	133 MHz	No Volátil	256Mbit		Destello	32m x 8	SPI - Quad I/O	-
W25n02kvtbiu tr	4.0213	RFQ	4445	Winbond Electronics	Spiflash®	Tape & Reel (TR)	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	24-tbGa	W25N02	Flash - Nand (SLC)	2.7V ~ 3.6V	24-TFBGA (8x6)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado	256-W25N02KVTBIUTR	3A991B1A	8542.32.0071	2,000	104 MHz	No Volátil	2 GBIT	7 ns	Destello	256m x 8	SPI - Quad I/O	700 µs
S25FL256LDPNFV011	5.3200	RFQ	4466	Infineon Technologies	FL-L	Tubo	Activo	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Montaje en superficie	Almohadilla exposición de 8 wdfn	S25FL256	Flash - Ni	2.7V ~ 3.6V	8-wson (6x8)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		3A991B1A	8542.32.0071	1,230	66 MHz	No Volátil	256Mbit		Destello	32m x 8	SPI - Quad I/O, QPI	-
71421SA5J8	-	RFQ	7411	Renesas Electronics America Inc	-	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	52-lcc (J-Lead)		Sram - Puerto Dual, Asínncrono	4.5V ~ 5.5V	52-PLCC (19.13x19.13)	-				800-71421SA5J8TR			1		Volante	16 kbits		Sram	2k x 8	Paralelo	-
IS46TR16256BL-107MBLA1	8.9696	RFQ	8044	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Automotriz, AEC-Q100	Una granela	Activo	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Montaje en superficie	96-TFBGA		SDRAM - DDR3L	1.283V ~ 1.45V	96-TWBGA (9x13)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)		706-IS46TR16256BL-107MBLA1			190	933 MHz	Volante	4 gbit	20 ns	Dracma	256m x 16	Paralelo	15ns
Cg8853att	-	RFQ	9975	Infineon Technologies	-	Banda	Obsoleto								-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)			Obsoleto		1
11AA161-I/SN	0.3750	RFQ	7784	Tecnología de Microchip	-	Tubo	Activo	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	11AA161	Eeprom	1.8v ~ 5.5V	8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0051	100	100 kHz	No Volátil	16 kbits		Eeprom	2k x 8	Alambre Único	5 ms
S29GL128S11TFV010	-	RFQ	5756	Infineon Technologies	Automotriz, AEC-Q100, GL-S	Banda	Descontinuado en sic	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Montaje en superficie	56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho)	S29GL128	Flash - Ni	2.7V ~ 3.6V	56-TSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		3A991B1A	8542.32.0071	91		No Volátil	128 Mbbit	110 ns	Destello	8m x 16	Paralelo	60ns
CAT28F001N-90B	9.8500	RFQ	397	onde	*	Una granela	Obsoleto	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	32 LCC (J-Lead)	CAT28F001	Flash - Bloque de Arranque	4.5V ~ 5.5V	32-PLCC (13.97x11.43)	-	Rohs no conforme		Vendedor indefinido	2156-CAT28F001N-90B-488	EAR99	8542.32.0051	1		No Volátil	1 mbit	90 ns	Destello	128k x 8	Paralelo	90ns
IS43QR81024A-075VBL-TR	16.5585	RFQ	9463	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	-	Tape & Reel (TR)	Activo	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Montaje en superficie	78-TFBGA		SDRAM - DDR4	1.14V ~ 1.26V	78-TWBGA (10x14)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)		706-IS43QR81024A-075VBL-TR			2,000	1.333 GHz	Volante	8 gbit	18 ns	Dracma	1g x 8	Paralelo	15ns
NLQ26PFS-8NAT TR	12.4700	RFQ	5179	Insignis Technology Corporation	Automotriz, AEC-Q100	Tape & Reel (TR)	Activo	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Montaje en superficie	200 WFBGA		SDRAM - Mobile LPDDR4	1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V	200-FBGA (10x14.5)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)					2,000	1.2 GHz	Volante	2 GBIT	3.5 ns	Dracma	128m x 16	Lvstl	18ns

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Memoria (70500)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²