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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | S29GL01GT10FAI020 | - |  | 1818 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Una granela | Activo | - | 2156-S29GL01GT10FAI020 | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | Fm93c66alm8x | 0.2900 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | 93c66a | Eeprom | 2.7V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 250 kHz | No Volátil | 4 kbits | Eeprom | 512 x 8, 256 x 16 | Microondas | 15 ms | ||||
| IS25WJ032F-JNLE-TR | 0.7291 | | 4029 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS25WJ032F-JNLE-TR | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 32Mbit | 6 ns | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 50 µs, 1.6ms | ||||||
 | FM18W08-SG | 13.9200 | | 4 | 0.00000000 | Infineon Technologies | F-RAM ™ | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 28-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | FM18W08 | Fram (Carnero Ferroeléctrico) | 2.7V ~ 5.5V | 28-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 27 | No Volátil | 256 kbit | Fram | 32k x 8 | Paralelo | 130ns | |||||
 | IDT71V65602S100BG8 | - | | 3962 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 119-BGA | IDT71V65602 | Sram - Sincónnico, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3.465V | 119-PBGA (14x22) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 71V65602S100BG8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 100 MHz | Volante | 9 MBIT | 5 ns | Sram | 256k x 36 | Paralelo | - | ||
 | MT40A1G8SA-062E: R TR | 6.0000 | | 6270 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT40A1G8 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (7.5x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MT40A1G8SA-062E: RTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 1.6 GHz | Volante | 8 gbit | 19 ns | Dracma | 1g x 8 | Paralelo | 15ns | ||
| IS46LQ16256Al-062TBLA2 | 15.4924 | | 7398 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-vfbga | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-VFBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS46LQ16256Al-062TBLA2 | 136 | 1.6 GHz | Volante | 4 gbit | 3.5 ns | Dracma | 256m x 16 | Lvstl | 18ns | ||||||
 | W25q64cvtbsg | - | | 3668 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | W25Q64 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 24-TFBGA (8x6) | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 256-W25Q64CVTBSG | Obsoleto | 1 | 80 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 6 ns | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O | 50 µs, 3 ms | ||||
 | IS43DR16320C-25DBLI | 6.5170 | | 7724 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 84-TFBGA | IS43DR16320 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-TWBGA (8x12.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0028 | 209 | 400 MHz | Volante | 512Mbit | 400 ps | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
| IS43TR16512BL-107MBL-TR | 18.3008 | | 9409 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-TWBGA (10x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43TR16512BL-107MBL-TR | 2,000 | 933 MHz | Volante | 8 gbit | 20 ns | Dracma | 512m x 16 | Paralelo | 15ns | ||||||
 | Cy7c09369v-9axc | 40.4500 | | 16 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | Cy7C09369 | Sram - Puerto Dual, Sincónnico | 3V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 8 | 67 MHz | Volante | 288 kbit | 9 ns | Sram | 16k x 18 | Paralelo | - | Sin verificado | ||||
 | 684316-181-C | 48.5000 | | 5586 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-684316-181-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| CAT24C08VP2GI-T3 | 0.1500 | | 15 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-WFDFN PADERA EXPUESTA | CAT24C08 | Eeprom | 1.7V ~ 5.5V | 8-TDFN (2x3) | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-CAT24C08VP2GI-T3-488 | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | 400 kHz | No Volátil | 8 kbits | 900 ns | Eeprom | 1k x 8 | I²C | 5 ms | |||
| MT62F768M64D4EK-026 WT: B TR | 34.2750 | | 5784 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 441-TFBGA | MT62F768 | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F768M64D4EK-026WT: BTR | 1.500 | 3.2 GHz | Volante | 48 GBIT | Dracma | 768m x 64 | Paralelo | - | ||||||||
| S99ML01G10043 | - | | 7207 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Descontinuado en sic | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
 | Cy7C1460AV33-200AXC | - | | 4363 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Nobl ™ | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | CY7C1460 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | Volante | 36 mbit | 3.2 ns | Sram | 1m x 36 | Paralelo | - | |||
 | 7133SA35PF8 | - | | 6634 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | 7133SA | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 100-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 750 | Volante | 32 kbits | 35 ns | Sram | 2k x 16 | Paralelo | 35ns | ||||
 | STK17TA8-RF25 | - | | 1680 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-BSOP (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Stk17ta8 | Nvsram (sram no volátil) | 2.7V ~ 3.6V | 48-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 60 | No Volátil | 1 mbit | 25 ns | Nvsram | 128k x 8 | Paralelo | 25ns | ||||
 | Stk14c88-3wf35i | - | | 3459 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 32-DIP (0.600 ", 15.24 mm) | Stk14c88 | Nvsram (sram no volátil) | 4.5V ~ 5.5V | 32 PDIP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 55 | No Volátil | 256 kbit | 35 ns | Nvsram | 32k x 8 | Paralelo | 35ns | ||||
 | AT24C08BN-SP25-B | 0.6400 | | 9525 | 0.00000000 | Atmel | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | AT24C08 | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 400 kHz | No Volátil | 8 kbits | 900 ns | Eeprom | 1k x 8 | I²C | 5 ms | |||
| Cg10081Aft | 3.5785 | | 1232 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 1,000 | ||||||||||||||||||||||
| SM671PXD-AFST | - | | 7574 | 0.00000000 | Silicon Motion, Inc. | Ferri-ufs ™ | Banda | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 153-TFBGA | SM671 | Flash - Nand (TLC) | - | 153-BGA (11.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 1984-SM671PXD-AFST | 1 | No Volátil | 1Tbit | Destello | 128g x 8 | UFS2.1 | - | ||||||
| Mtfc64gaxauea-wt | 7.5024 | | 3517 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 153-vfbga | Flash - Nand (SLC) | - | 153-vfbga (11.5x13) | - | 557-MTFC64GAXAUEA-WT | 1 | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | UFS2.2 | - | ||||||||||
 | AT25SF041B-SSHB-T | 0.4600 | | 100 | 0.00000000 | Adesto tecnologías | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | AT25SF041 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 4.000 | 108 MHz | No Volátil | 4mbit | Destello | 512k x 8 | SPI - Quad I/O | 50 µs, 2.4 ms | ||||
| 27S29DC | 24.6600 | | 3138 | 0.00000000 | Rochester Electronics, LLC | - | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | ||||||||||||||||||
| Stk17ta8-rf45i | - | | 6719 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-BSOP (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Stk17ta8 | Nvsram (sram no volátil) | 2.7V ~ 3.6V | 48-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 60 | No Volátil | 1 mbit | 45 ns | Nvsram | 128k x 8 | Paralelo | 45ns | ||||
 | MT57W2MH8CF-5 | 28.3700 | | 518 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165-TBGA | Sram - Sincónnico | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (13x15) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | Volante | 18mbit | 450 ps | Sram | 2m x 8 | Hstl | - | ||||
| MEM-DR432L-CL01-LR24-C | 140.0000 | | 4624 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-MEM-DR432L-CL01-LR24-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | SNPWM5YYC/4G-C | 50.0000 | | 6363 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-SNPWM5YYC/4G-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | Nand16gw3d2bn6e | - | | 1217 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | Nand16g | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | -Nand16gw3d2bn6e | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 96 | No Volátil | 16 gbit | 25 ns | Destello | 2G x 8 | Paralelo | 25ns |
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