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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AT49F002NT-90VC | - |  | 6998 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TC) | Montaje en superficie | 32-TFSOP (0.488 ", Ancho de 12.40 mm) | AT49F002 | Destello | 4.5V ~ 5.5V | 32-VSOP | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | AT49F002NT90VC | EAR99 | 8542.32.0071 | 208 | No Volátil | 2 mbit | 90 ns | Destello | 256k x 8 | Paralelo | 50 µs | ||
 | DS28E02P+ | - | | 4026 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | Tubo | Activo | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 6-SMD, J-Lead | Eeprom | 1.75V ~ 3.65V | 6-TSOC | - | EAR99 | 8542.32.0051 | 120 | No Volátil | 1 kbit | 2 µs | Eeprom | 256 x 4 | 1 Alambre® | 25 ms | |||||||
 | AT93C86A-10SU-1.8-T | 0.4100 | | 7 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | AT93C86A | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 4.000 | 2 MHz | No Volátil | 16 kbits | Eeprom | 2k x 8, 1k x 16 | Serie de 3 Hilos | 10 ms | |||
| C-2133D4SR8RLP/4G | 122.5000 | | 8363 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-C-2133D4SR8RLP/4G | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
| DS2433333AX-S#T | - | | 5101 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 6-xbga, fcbga | DS2433 | Eeprom | - | 6-Flipchip (2.82x2.54) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 2.500 | No Volátil | 4 kbits | 2 µs | Eeprom | 256 x 16 | 1 Alambre® | - | |||
 | AM29DL800BT-120WBC | 9.4000 | | 8 | 0.00000000 | Microdispositivos Avanzados | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFBGA | AM29DL800 | Destello | 2.7V ~ 3.6V | 48-FBGA (6x9) | descascar | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | No Volátil | 8mbit | 120 ns | Destello | 512k x 16, 1m x 8 | Paralelo | 120ns | |||
 | 71V2556SA100BGI | 16.5291 | | 1190 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 119-BGA | 71v2556 | Sram - Sincónnico, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3.465V | 119-PBGA (14x22) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 100 MHz | Volante | 4.5Mbit | 5 ns | Sram | 128k x 36 | Paralelo | - | ||
 | 881901-B21-C | 615.0000 | | 5216 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-881901-B21-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
| S99GL128P0050 | - | | 9771 | 0.00000000 | Infineon Technologies | GL-P | Banda | Obsoleto | - | S99GL128 | Flash - Ni | - | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 8m x 16 | Paralelo | - | |||||||
| 7132LA35JI8 | - | | 8127 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 52-lcc (J-Lead) | 7132la | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 52-PLCC (19.13x19.13) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0041 | 400 | Volante | 16 kbits | 35 ns | Sram | 2k x 8 | Paralelo | 35ns | ||||
 | N25Q128A13EF8A0F TR | - | | 9470 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-vdfn | N25Q128A13 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-VDFPN (MLP8) (8x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4.000 | 108 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 32m x 4 | SPI | 8 ms, 5 ms | |||
 | MT29F1T08CPCBBH8-6C: B | - | | 4914 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 152 lbGa | MT29F1T08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 152-lbga (14x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 167 MHz | No Volátil | 1Tbit | Destello | 128g x 8 | Paralelo | - | ||||
 | AT28HC256-90PI | - | | 4564 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | A Través del Aguetero | 28-dip (0.600 ", 15.24 mm) | AT28HC256 | Eeprom | 4.5V ~ 5.5V | 28 PDIP | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 14 | No Volátil | 256 kbit | 90 ns | Eeprom | 32k x 8 | Paralelo | 10 ms | |||
 | 70T633S12BFI | 332.9814 | | 7435 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 208-LFBGA | 70T633 | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 2.4V ~ 2.6V | 208-Cabga (15x15) | descascar | Rohs no conforme | 4 (72 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 7 | Volante | 9 MBIT | 12 ns | Sram | 512k x 18 | Paralelo | 12ns | |||
| IS62WV102416FBLL-45BLI-TR | 8.1000 | | 8879 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-vfbga | IS62WV102416 | Sram - Asínncrono | 2.2V ~ 3.6V | 48-vfbga (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.500 | Volante | 16mbit | 45 ns | Sram | 1m x 16 | Paralelo | 45ns | |||
 | CY7C1308SV25C-167BZCT | - | | 2171 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C1308 | Sram - Sincónnico, DDR | 2.4V ~ 2.6V | 165-FBGA (13x15) | - | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 167 MHz | Volante | 9 MBIT | Sram | 256k x 36 | Paralelo | - | |||
 | S26KS128SDGBHN030 | 7.2520 | | 3661 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hyperflash ™ KS | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-VBGA | S26KS128 | Flash - Ni | 1.7V ~ 1.95V | 24-FBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 1.690 | 133 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | 96 ns | Destello | 16m x 8 | Paralelo | - | ||
 | IDT71V67703S85PFI8 | - | | 3952 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | IDT71V67703 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 71V67703S85PFI8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 87 MHz | Volante | 9 MBIT | 8.5 ns | Sram | 256k x 36 | Paralelo | - | |
 | CY14B108N-BA45XI | 53.0800 | | 2330 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFBGA | CY14B108 | Nvsram (sram no volátil) | 2.7V ~ 3.6V | 48-FBGA (6x10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 299 | No Volátil | 8mbit | 45 ns | Nvsram | 512k x 16 | Paralelo | 45ns | |||
 | MT53E256M32D1KS-046 WT: L | 9.6500 | | 4709 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | Montaje en superficie | 200-vfbga | 200-VFBGA (10x14.5) | - | Alcanzar sin afectado | 557-MT53E256M32D1KS-046WT: L | 1 | |||||||||||||||||
 | M95040-DRMN3TP/K | 0.7400 | | 14 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | M95040 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 20 MHz | No Volátil | 4 kbits | Eeprom | 512 x 8 | SPI | 4ms | |||
 | IS45S16400J-6BLA1-TR | 3.8792 | | 1787 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-TFBGA | IS45S16400 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TFBGA (8x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 2.500 | 166 MHz | Volante | 64 Mbbit | 5.4 ns | Dracma | 4m x 16 | Paralelo | - | ||
| IS43R16320F-5TL-TR | 2.9588 | | 3462 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43R16320F-5TL-TR | 1.500 | 200 MHz | Volante | 512Mbit | 700 PS | Dracma | 32m x 16 | SSTL_2 | 15ns | |||||
 | S25FL512SDPBHBC13 | 10.5875 | | 7032 | 0.00000000 | Infineon Technologies | FL-S | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | S25FL512 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 24-BGA (8x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 66 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 64m x 8 | SPI - Quad I/O | - | |||
| S29gl256n90fair10 | - | | 3423 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Una granela | Obsoleto | - | 2156-S29GL256N90Fair10 | 1 | |||||||||||||||||||||
 | S25FL132K0XNFN013 | - | | 5523 | 0.00000000 | Infineon Technologies | FL1-K | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | S25FL132 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-Soico | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4.000 | 108 MHz | No Volátil | 32Mbit | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O | 3 ms | |||
 | Mt29f4g16abadawp-it: d tr | - | | 5344 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F4G16 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 4 gbit | Destello | 256m x 16 | Paralelo | - | ||||
| MT29F512G08EBLEEJ4-QJ: E | 13.2450 | | 6614 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT29F512G08EBLEEJ4-QJ: E | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT53D512M32D2NP-046 AAT: D TR | - | | 1412 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 512m x 32 | - | - | ||||
 | MT29F256G08CMCABH2-12Z: A TR | - | | 9450 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 TBGA | MT29F256G08 | Flash - Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 100 TBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1,000 | 83 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | Paralelo | - |
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