SIC
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Memoria (70500)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página TUPO de Controlador Sic programable
MT47H128M8SH-25E IT:M TR Micron Technology Inc. MT47H128M8SH-25E IT: M TR 3.7664
RFQ
 ECAD 2814 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 60-TFBGA MT47H128M8 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado MT47H128M8SH-25EIT: MTR EAR99 8542.32.0032 2,000 400 MHz Volante 1 gbit 400 ps Dracma 128m x 8 Paralelo 15ns
CY7C1315CV18-250BZXC Cypress Semiconductor Corp CY7C1315CV18-250BZXC 34.9300
RFQ
 ECAD 147 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 165 lbGa CY7C1315 Sram - Sincónnico, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) descascar ROHS3 Cumplante 3A991B2A 8542.32.0041 9 250 MHz Volante 18mbit Sram 512k x 36 Paralelo - Sin verificado
CY62128ELL-45SXAT Infineon Technologies CY62128ElL-45SXAT 7.1500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies MOBL® Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 32-SOIC (0.445 ", 11.30 mm de ancho) CY62128 Sram - Asínncrono 4.5V ~ 5.5V 32-SOICO descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B2B 8542.32.0041 1,000 Volante 1 mbit 45 ns Sram 128k x 8 Paralelo 45ns
CY7C1461AV33-133AXC Cypress Semiconductor Corp Cy7c1461av33-133axc -
RFQ
 ECAD 3925 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Nobl ™ Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 100 LQFP CY7C1461 Sram - Sincónnico, SDR 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20) descascar ROHS3 Cumplante 3A991B2A 8542.32.0041 72 133 MHz Volante 36 mbit 6.5 ns Sram 1m x 36 Paralelo - Sin verificado
24AA1026-I/P Microchip Technology 24AA1026-I/P 4.5300
RFQ
 ECAD 3446 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) A Través del Aguetero 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) 24AA1026 Eeprom 1.7V ~ 5.5V 8 pdip descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 24AA1026IP EAR99 8542.32.0051 60 400 kHz No Volátil 1 mbit 900 ns Eeprom 128k x 8 I²C 5 ms
DS1220AB-100IND+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1220AB-100ind+ 15.1469
RFQ
 ECAD 7616 0.00000000 Analog Devices Inc./Maxim Integrated - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) A Través del Aguetero Módulo de 24 Dips (0.600 ", 15.24 mm) DS1220A Nvsram (sram no volátil) 4.75V ~ 5.25V 24 Edip descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -4941-ds1220ab-100ind+ EAR99 8542.32.0041 14 No Volátil 16 kbits 100 ns Nvsram 2k x 8 Paralelo 100ns
M30042040054X0PWAR Renesas Electronics America Inc M30042040054X0PWAR 13.8276
RFQ
 ECAD 2555 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn M30042040054 Mram (Ram Magnetoresistivo) 2.7V ~ 3.6V 8-DFN (5x6) descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 800-M30042040054X0PWARTR EAR99 8542.32.0071 4.000 54 MHz No Volátil 4mbit RAM 1m x 4 - -
MT29F128G08AEEBBH6-12:B Micron Technology Inc. MT29F128G08AEEBBH6-12: B -
RFQ
 ECAD 4049 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tubo Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 152-VBGA MT29F128G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 152-VBGA (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 1.120 83 MHz No Volátil 128 GBIT Destello 16g x 8 Paralelo -
AS4C64M8D3L-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C64M8D3L-12BIN 4.8188
RFQ
 ECAD 1787 0.00000000 Alliance Memory, Inc. - Banda Activo -40 ° C ~ 95 ° C (TA) Montaje en superficie 78-vfbga AS4C64 SDRAM - DDR3 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 1450-1432 EAR99 8542.32.0028 242 800 MHz Volante 512Mbit 20 ns Dracma 64m x 8 Paralelo
MT25QU01GBBB8E12-0AAT TR Micron Technology Inc. MT25QU01GBBB8E12-0AAT TR 17.3100
RFQ
 ECAD 1760 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa Mt25qu01 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 24-T-PBGA (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2.500 133 MHz No Volátil 1 gbit Destello 128m x 8 SPI 8 ms, 2.8 ms
S29GL064S90TFI030 Infineon Technologies S29GL064S90TFI030 -
RFQ
 ECAD 9576 0.00000000 Infineon Technologies Automotriz, AEC-Q100, GL-S Banda Descontinuado en sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) S29GL064 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 96 No Volátil 64 Mbbit 90 ns Destello 8m x 8, 4m x 16 Paralelo 60ns
W25Q32JVZPIQ Winbond Electronics W25Q32JVZPIQ 0.8700
RFQ
 ECAD 108 0.00000000 Winbond Electronics Spiflash® Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn W25Q32 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-wson (6x5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 100 133 MHz No Volátil 32Mbit Destello 4m x 8 SPI - Quad I/O 3 ms
CAT25C16SE-26628 onsemi CAT25C16SE-26628 0.1400
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) CAT25C16 Eeprom 2.5V ~ 5.5V 16-soico descascar Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-CAT25C16SE-26628-488 EAR99 8542.32.0071 1 10 MHz No Volátil 16 kbits 40 ns Eeprom 2k x 8 SPI 5 ms
S29GL128S11TFIV10 Infineon Technologies S29GL128S11TFIV10 5.5800
RFQ
 ECAD 182 0.00000000 Infineon Technologies GL-S Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) S29GL128 Flash - Ni 1.65V ~ 3.6V 56-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado SP005664489 3A991B1A 8542.32.0071 91 No Volátil 128 Mbbit 110 ns Destello 8m x 16 Paralelo 60ns
R1LV3216RSA-7SR#S0 Renesas Electronics America Inc R1LV3216RSA-7SR#S0 -
RFQ
 ECAD 9899 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) R1LV3216 Sram 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 Volante 32Mbit 70 ns Sram 4m x 8, 2m x 16 Paralelo 70ns
NLQ46PFS-6NIT TR Insignis Technology Corporation NLQ46PFS-6NIT TR 15.2500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Insignis Technology Corporation - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-FBGA (10x14.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz Volante 4 gbit 3.5 ns Dracma 256m x 16 Lvstl 18ns
2161729 Infineon Technologies 2161729 -
RFQ
 ECAD 9663 0.00000000 Infineon Technologies - Una granela Descontinuado en sic - Alcanzar sin afectado 1
W9825G6KH-6 TR Winbond Electronics W9825G6KH-6 TR 1.7996
RFQ
 ECAD 3739 0.00000000 Winbond Electronics - Tape & Reel (TR) Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) W9825G6 Sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 166 MHz Volante 256Mbit 5 ns Dracma 16m x 16 Paralelo -
CY7C1049DV33-10VXIT Infineon Technologies Cy7C1049DV33-10VXIT -
RFQ
 ECAD 3394 0.00000000 Infineon Technologies - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 36-BSOJ (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) CY7C1049 Sram - Asínncrono 3V ~ 3.6V 36-SOJ - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B2A 8542.32.0041 500 Volante 4mbit 10 ns Sram 512k x 8 Paralelo 10ns
X28HC256PIZ-15 Renesas Electronics America Inc X28HC256Piz-15 30.0167
RFQ
 ECAD 5466 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) A Través del Aguetero 28-dip (0.600 ", 15.24 mm) Eeprom 4.5V ~ 5.5V 28 PDIP - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 20-X28HC256Piz-15 1 No Volátil 256 kbit 150 ns Eeprom 32k x 8 Paralelo 5 ms
IS43R16320E-5TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320E-5TLI 7.4065
RFQ
 ECAD 1847 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - Banda No hay para Nuevos Diseños -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) IS43R16320 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0028 108 200 MHz Volante 512Mbit 700 PS Dracma 32m x 16 Paralelo 15ns
EDB5432BEPA-1DIT-F-R TR Micron Technology Inc. EDB5432BEPA-1DIT-FR TR -
RFQ
 ECAD 7586 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 168-WFBGA EDB5432 SDRAM - Mobile LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 1,000 533 MHz Volante 512Mbit Dracma 16m x 32 Paralelo -
DS1245AB-70IND+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1245AB-70ind+ 37.0900
RFQ
 ECAD 9530 0.00000000 Analog Devices Inc./Maxim Integrated - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) A Través del Aguetero Módulo de 32 DIPAS (0.600 ", 15.24 mm) DS1245AB Nvsram (sram no volátil) 4.75V ~ 5.25V 32 Edip descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 3A991B2A 8542.32.0041 11 No Volátil 1 mbit 70 ns Nvsram 128k x 8 Paralelo 70ns
881067-B21-C ProLabs 881067-B21-C 162.0000
RFQ
 ECAD 6696 0.00000000 Prolabs * Paquete minorista Activo - Cumplimiento de Rohs 4932-881067-B21-C EAR99 8473.30.5100 1
5962F1120102QXA Infineon Technologies 5962f1120102qxa -
RFQ
 ECAD 6165 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Obsoleto -55 ° C ~ 125 ° C (TA) A Través del Aguetero 165-BFCPGA 5962f1120102 Sram - Síncrono, QDR II+ 1.7V ~ 1.9V 165-CCGA (21x25) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 1 250 MHz Volante 72Mbit Sram 4m x 18 Paralelo -
CY7C293A-20PC Cypress Semiconductor Corp CY7C293A-20pc 9.3600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - Una granela Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) CY7C293 EPROM - OTP 4.5V ~ 5.5V descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Alcanzar Afectados EAR99 8542.32.0071 1 No Volátil 16 kbits 20 ns EPROM 2k x 8 Paralelo -
DP8429D-MSP National Semiconductor DP8429D-MSP 230.6500
RFQ
 ECAD 689 0.00000000 Semiconductor nacional DP8429 Una granela Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) A Través del Aguetero Ventana 52-CDIP (0.600 ", 15.24 mm) 4.5V ~ 5.5V 52-CDIP descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.39.0001 1 Ram Dinámico (DRAM)
CY62128DV30LL-70ZAXI Cypress Semiconductor Corp CY62128DV30LL-70ZAXI 2.1700
RFQ
 ECAD 269 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp MOBL® Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 32-TFSOP (0.465 ", 11.80 mm de Ancho) CY62128 Sram - Asínncrono 2.2V ~ 3.6V 32-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Vendedor indefinido EAR99 8542.32.0041 1 Volante 1 mbit 70 ns Sram 128k x 8 Paralelo 70ns
UPD48288209AFF-E24-DW1-E2 Renesas Electronics America Inc Upd48288209aff-e24-dw1-e2 43.7900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * Una granela Activo descascar No Aplicable 3 (168 Horas) Vendedor indefinido EAR99 8542.32.0032 1,000
MT29F64G08CECCBH1-12ITZ:C Micron Technology Inc. MT29F64G08CECCBH1-12ITZ: C -
RFQ
 ECAD 8779 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 100-VBGA MT29F64G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 100-VBGA (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz No Volátil 64 GBIT Destello 8g x 8 Paralelo -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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