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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 7034l15pf | - |  | 4516 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | 7034L15 | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 100-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 3 | Volante | 72 kbits | 15 ns | Sram | 4k x 18 | Paralelo | 15ns | |||
 | 70T659S12BC | 232.8146 | | 8859 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 256 lbGa | 70T659 | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 2.4V ~ 2.6V | 256-cabga (17x17) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 6 | Volante | 4.5Mbit | 12 ns | Sram | 128k x 36 | Paralelo | 12ns | |||
 | 24aa32af-i/st | 0.5400 | | 6540 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | 24AA32 | Eeprom | 1.7V ~ 5.5V | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | No Volátil | 32 kbits | 900 ns | Eeprom | 4k x 8 | I²C | 5 ms | ||
 | 28C64A-25B/UC | 17.3400 | | 419 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Obsoleto | - | 28C64A | Eeprom | 4.5V ~ 5.5V | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | No Volátil | 64 kbits | 250 ns | Eeprom | 8k x 8 | Paralelo | 1 m | ||||||
 | AS4C32M16D1A-5TINTR | 3.9325 | | 4894 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | AS4C32 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0024 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 512Mbit | 700 PS | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
 | AS7C34098A-15JIN | 5.0129 | | 1275 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-BSOJ (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | AS7C34098 | Sram - Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 44-SOJ | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 16 | Volante | 4mbit | 15 ns | Sram | 256k x 16 | Paralelo | 15ns | |||
 | C-1600D3SR4VRN/4G | 72.5000 | | 7481 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-C-1600D3SR4VRN/4G | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
 | 71V3556SA166BGI | 10.8383 | | 6231 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 119-BGA | 71V3556 | Sram - Sincónnico, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3.465V | 119-PBGA (14x22) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 166 MHz | Volante | 4.5Mbit | 3.5 ns | Sram | 128k x 36 | Paralelo | - | ||
 | Cy7C1420JV18-300BZC | - | | 2924 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C1420 | Sram - Síncrono, DDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (15x17) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 300 MHz | Volante | 36 mbit | Sram | 1m x 36 | Paralelo | - | |||
 | S25FL132K0XNFI043 | - | | 3052 | 0.00000000 | Infineon Technologies | FL1-K | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | S25FL132 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 6,000 | 108 MHz | No Volátil | 32Mbit | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O | 3 ms | |||
 | CY7C1312BV18-167BZCT | - | | 5575 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C1312 | Sram - Sincónnico, QDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (13x15) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 167 MHz | Volante | 18mbit | Sram | 1m x 18 | Paralelo | - | |||
| Nand512r3a2sza6e | - | | 2091 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-TFBGA | Nand512 | Flash - nand | 1.7V ~ 1.95V | 63-vfbga (9x11) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 290 | No Volátil | 512Mbit | 50 ns | Destello | 64m x 8 | Paralelo | 50ns | |||
| 70V28L25PF8 | - | | 7960 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | 70V28 | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 750 | Volante | 1 mbit | 25 ns | Sram | 64k x 16 | Paralelo | 25ns | ||||
| RMLV3216AGBG-5S2#AC0 | 32.9500 | | 9628 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFBGA | Sram - Asínncrono | 2.7V ~ 3.6V | 48-TFBGA (7.5x8.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 559-RMLV3216AGBG-5S2#AC0 | 253 | Volante | 32Mbit | 55 ns | Sram | 4m x 8, 2m x 16 | Paralelo | 55ns | ||||||
 | MT29F4G08ABBDAH4: D | 4.0428 | | 2512 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F4G08 | Flash - nand | 1.7V ~ 1.95V | 63-vfbga (9x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.260 | No Volátil | 4 gbit | Destello | 512m x 8 | Paralelo | - | ||||
 | MT53B128M32D1NP-062 AIT: A TR | - | | 7645 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53B128 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6 GHz | Volante | 4 gbit | Dracma | 128m x 32 | - | - | |||
 | 71V124SA15TYGI | 2.7635 | | 2287 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-BSOJ (0.300 ", 7.62 mm de ancho) | 71v124 | Sram - Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 32-SOJ | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 23 | Volante | 1 mbit | 15 ns | Sram | 128k x 8 | Paralelo | 15ns | |||
 | MT28EW01GABA1HJS-0SIT TR | 14.9250 | | 8960 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT28EW01 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 56-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.600 | No Volátil | 1 gbit | 95 ns | Destello | 128m x 8, 64m x 16 | Paralelo | 60ns | |||
| MT62F1536M64D8CL-031 WT: B | 71.9300 | | 8894 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | - | 557-MT62F1536M64D8CL-031WT: B | 1 | |||||||||||||||||||||
 | S25FL512SAGMFBG10 | 12.9100 | | 453 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q100, FL-S | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | S25FL512 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 240 | 133 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 64m x 8 | SPI - Quad I/O | - | |||
| 70121L35JG | - | | 1939 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | La Última Vez Que Compre | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 52-lcc (J-Lead) | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 52-PLCC (19.13x19.13) | - | 800-70121L35JG | 1 | Volante | 18 kbits | 35 ns | Sram | 2k x 9 | Paralelo | 35ns | ||||||||
 | IS42S32160B-75EBLI | - | | 9013 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-TFBGA | IS42S32160 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 90 WBGA (11x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0028 | 144 | 133 MHz | Volante | 512Mbit | 5.5 ns | Dracma | 16m x 32 | Paralelo | - | ||
| 71V3557S80BG | 9.9699 | | 6557 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 119-BGA | 71V3557 | Sram - Sincónnico, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3.465V | 119-PBGA (14x22) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | Volante | 4.5Mbit | 8 ns | Sram | 128k x 36 | Paralelo | - | |||
 | CAT24C04WI-GT3JN | - | | 2618 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | CAT24C04 | Eeprom | 1.7V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3.000 | 400 kHz | No Volátil | 4 kbits | 900 ns | Eeprom | 512 x 8 | I²C | 5 ms | |||
| 70t3509ms150bpi | - | | 7769 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 256-BGA | Sram - Puerto Dual, Estándar | 2.4V ~ 2.6V | 256-cabga (17x17) | - | 800-70T3509M150BPI | 1 | 150 MHz | Volante | 36 mbit | Sram | 1m x 36 | Lvttl | - | ||||||||
 | M95160-WDW6TP | 0.2990 | | 2613 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | M95160 | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 4.000 | 10 MHz | No Volátil | 16 kbits | Eeprom | 2k x 8 | SPI | 5 ms | |||
 | AT27C4096-55JU-T | 9.5400 | | 8578 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 44-LCC (J-Lead) | AT27C4096 | EPROM - OTP | 4.5V ~ 5.5V | 44-PLCC (16.6x16.6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0061 | 500 | No Volátil | 4mbit | 55 ns | EPROM | 256k x 16 | Paralelo | - | |||
| 707288S15PFI | - | | 7137 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 100-TQFP (14x14) | - | 800-707288S15PFI | 1 | Volante | 1 mbit | 15 ns | Sram | 64k x 16 | Paralelo | 15ns | ||||||||
 | BR24S32FJ-WE2 | 0.5956 | | 8269 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | BR24S32 | Eeprom | 1.7V ~ 5.5V | 8-SOP-J | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 400 kHz | No Volátil | 32 kbits | Eeprom | 4k x 8 | I²C | 5 ms | |||
 | AT24C08BN-SH-B | - | | 4785 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | AT24C08 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 MHz | No Volátil | 8 kbits | 550 ns | Eeprom | 1k x 8 | I²C | 5 ms |
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