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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT58L256L36PS-7.5 | 10.4200 |  | 69 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | Sram - Estándar | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 133 MHz | Volante | 8mbit | 4 ns | Sram | 256k x 36 | Paralelo | - | ||||
 | Cy7C1049DV33-10ZSXIT | - | | 2079 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | CY7C1049 | Sram - Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 44-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 2832-cy7c1049dv33-10zsxit-tr | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 66 | Volante | 4mbit | 10 ns | Sram | 512k x 8 | Paralelo | 10ns | |||||
 | MT53B384M64D4NK-053 WT ES: B | - | | 5136 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 366-WFBGA | MT53B384 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 366-WFBGA (15x15) | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.190 | 1.866 GHz | Volante | 24 gbit | Dracma | 384m x 64 | - | - | ||||||
 | SFEM128GB1ED1TO-A-7G-111-STD | 106.4400 | | 7724 | 0.00000000 | Suiza | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-TFBGA | SFEM128 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 153-BGA (11.5x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 200 MHz | No Volátil | 1Tbit | Destello | 128g x 8 | EMMC | - | ||||
 | IS45S16400J-6TLA2 | - | | 8961 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | IS45S16400 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 166 MHz | Volante | 64 Mbbit | 5.4 ns | Dracma | 4m x 16 | Paralelo | - | |||
| CG6752AT | - | | 6055 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
| S29CL032J0RQFM030 | - | | 6450 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CL-J | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 80-BQFP | S29CL032 | Flash - Ni | 1.65V ~ 3.6V | 80-PQFP (14x20) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 75 MHz | No Volátil | 32Mbit | 54 ns | Destello | 1m x 32 | Paralelo | 60ns | |||
 | CY7C1315KV18-300BZC | 37.3200 | | 252 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C1315 | Sram - Sincónnico, QDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (13x15) | descascar | Rohs no conforme | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 300 MHz | Volante | 18mbit | Sram | 512k x 36 | Paralelo | - | Sin verificado | |||||
| MT47H256M8THN-25E IT: H | - | | 9205 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 63-TFBGA | MT47H256M8 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 63-FBGA (8x10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400 MHz | Volante | 2 GBIT | 400 ps | Dracma | 256m x 8 | Paralelo | 15ns | |||
 | S34ML01G200TFI903 | - | | 9883 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Ml-2 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | S34ml01 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 1 gbit | Destello | 128m x 8 | Paralelo | 25ns | |||||
| C-4800D5SR8RN/16G | 310.0000 | | 3345 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-C-4800D5SR8RN/16G | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | Mx25l25745gmi-08g | 2.7680 | | 1546 | 0.00000000 | Macronix | Mxsmio ™ | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 16-SOP | - | 3 (168 Horas) | 1092-MX25L25745GMI-08G | 44 | 120 MHz | No Volátil | 256Mbit | 6 ns | Destello | 64m x 4, 128m x 2, 256m x 1 | CFI | 30 µs, 750 µs | |||||||
 | AT25DF021-SSHF-T | - | | 7214 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | AT25DF021 | Destello | 2.3V ~ 3.6V | 8-Soico | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 4.000 | 50 MHz | No Volátil | 2 mbit | Destello | 256k x 8 | SPI | 7 µs, 5 ms | ||||
 | S25FL132K0XNFIQ13 | - | | 9638 | 0.00000000 | Infineon Technologies | FL1-K | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | S25FL132 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4.000 | 108 MHz | No Volátil | 32Mbit | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O | 3 ms | ||||
 | RC28F128P33B85A | 6.4000 | | 4 | 0.00000000 | Numónico | Strataflash ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 64-TBGA | RC28F128 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 64-Easybga (10x13) | descascar | No Aplicable | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 1.800 | 52 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | 85 ns | Destello | 8m x 16 | Paralelo | 85ns | |||||
 | 7164L20TPGI | - | | 1750 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 28-dip (0.300 ", 7.62 mm) | 7164L | Sram - Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 28 PDIP | descascar | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Volante | 64 kbits | 20 ns | Sram | 8k x 8 | Paralelo | 20ns | |||||||
 | S29GL512T11DHIV20 | 11.4200 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | GL-T | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | S29GL512 | Flash - Ni | 1.65V ~ 3.6V | 64-FBGA (9x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 260 | No Volátil | 512Mbit | 110 ns | Destello | 64m x 8 | Paralelo | 60ns | ||||
 | M29F400BB45N1 | - | | 7184 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | M29F400 | Flash - Ni | 4.5V ~ 5.5V | 48-TSOP | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 96 | No Volátil | 4mbit | 45 ns | Destello | 512k x 8, 256k x 16 | Paralelo | 45ns | ||||
| S99Al016J0220 P | - | | 9205 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 1 | ||||||||||||||||||||
 | CY7C1354SV25-166BZC | - | | 4432 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C1354 | Sram - Sincónnico, SDR | 2.375V ~ 2.625V | 165-FBGA (13x15) | - | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 166 MHz | Volante | 9 MBIT | 3.5 ns | Sram | 256k x 36 | Paralelo | - | |||
 | M25PE40-VMP6G | - | | 2750 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-vdfn | M25PE40 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-vdfpn (6x5) (MLP8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0071 | 490 | 75 MHz | No Volátil | 4mbit | Destello | 512k x 8 | SPI | 15 ms, 3 ms | |||||
 | W25q64jvssjq | - | | 9106 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | W25Q64 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 133 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O | 3 ms | ||||
 | R1QAA7218ABB-20IA0 | 35.5800 | | 405 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Una granela | Activo | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
| CY7C1520KV18-300BZXI | 148.6800 | | 32 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C1520 | Sram - Síncrono, DDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (13x15) | descascar | 3 | 300 MHz | Volante | 72Mbit | Sram | 2m x 36 | Paralelo | - | Sin verificado | ||||||||
 | W25q256jvbiq | 2.6831 | | 1039 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | W25Q256 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 24-TFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O | 3 ms | ||||
 | BR93G86FVJ-3GTE2 | 0.2628 | | 9790 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) | BR93G86 | Eeprom | 1.7V ~ 5.5V | 8-tssop-bj | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 3 MHz | No Volátil | 16 kbits | Eeprom | 2k x 8, 1k x 16 | Microondas | 5 ms | ||||
 | BR35H128F-WCE2 | 2.1235 | | 4594 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | BR35H128 | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 5 MHz | No Volátil | 128 kbit | Eeprom | 16k x 8 | SPI | 5 ms | ||||
 | 24aa044t-i/ms | 0.3900 | | 4991 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) | 24AA044 | Eeprom | 1.7V ~ 5.5V | 8-MSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 1 MHz | No Volátil | 4 kbits | 400 ns | Eeprom | 256 x 8 x 2 | I²C | 5 ms | |||
 | AT28HC256E-12SU | 12.8100 | | 2400 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 28-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | AT28HC256 | Eeprom | 4.5V ~ 5.5V | 28-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | AT28HC256E12SU | EAR99 | 8542.32.0051 | 27 | No Volátil | 256 kbit | 120 ns | Eeprom | 32k x 8 | Paralelo | 10 ms | |||
| 7143SA55J8 | - | | 6518 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 68 LCC (J-Lead) | 7143SA | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 68-PLCC (24.21x24.21) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 250 | Volante | 32 kbits | 55 ns | Sram | 2k x 16 | Paralelo | 55ns |
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