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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS61DDPB22M36A-400M3L | 105.0000 |  | 4427 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | IS61DDPB22 | Sram - Sínncrono, DDR IIP | 1.71V ~ 1.89V | 165-LFBGA (15x17) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 105 | 400 MHz | Volante | 72Mbit | Sram | 2m x 36 | Paralelo | - | ||||
 | W631GU6KB-12 TR | - | | 5689 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | W631GU6 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-WBGA (9x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 2.500 | 800 MHz | Volante | 1 gbit | 20 ns | Dracma | 64m x 16 | Paralelo | - | |||
 | CY62147GN30-45ZSXI | 4.6200 | | 6503 | 0.00000000 | Infineon Technologies | MOBL® | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | CY62147 | Sram - Asínncrono | 2.2V ~ 3.6V | 44-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.350 | Volante | 4mbit | 45 ns | Sram | 256k x 16 | Paralelo | 45ns | ||||
 | MT47H32M16NF-25E AUT: H TR | - | | 6979 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Montaje en superficie | 84-TFBGA | MT47H32M16 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-FBGA (8x12.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0028 | 2,000 | 400 MHz | Volante | 512Mbit | 400 ps | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
 | Cy7c2665kv18-450bzi | 455.6475 | | 4557 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C2665 | Sram - Síncrono, QDR II+ | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (15x17) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 450 MHz | Volante | 144mbit | Sram | 4m x 36 | Paralelo | - | ||||
 | IS62WV10248HBLL-45BLI | 5.5800 | | 2110 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFBGA | Sram - Asínncrono | 2.2V ~ 3.6V | 48-TFBGA (6x8) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS62WV10248HBLL-45BLI | 480 | Volante | 8mbit | 45 ns | Sram | 1m x 8 | Paralelo | 45ns | |||||||
 | 11LC020-E/SN | 0.3750 | | 7319 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | 11LC020 | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 100 kHz | No Volátil | 2 kbits | Eeprom | 256 x 8 | Alambre Único | 5 ms | ||||
 | IS43DR16128C-25DBL | 8.9500 | | 1 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 84-TFBGA | IS43DR16128 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-TWBGA (8x12.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-1566 | EAR99 | 8542.32.0036 | 209 | 400 MHz | Volante | 2 GBIT | 400 ns | Dracma | 128m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
 | EMMC64G-IY29-5B101 | 19.2700 | | 55 | 0.00000000 | Kingston | I-Temp E • MMC ™ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 153-BGA | Emmc64g | Flash - Nand (TLC) | - | 153-FBGA (11.5x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 3217-EMMC64G-IY29-5B101 | EAR99 | 8542.31.0001 | 1 | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||
 | Cy7c1481bv33-133bzi | 190.1200 | | 349 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C1481 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.6V | 165-FBGA (15x17) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 1 | 133 MHz | Volante | 72Mbit | 6.5 ns | Sram | 2m x 36 | Paralelo | - | Sin verificado | ||||
| MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D TR | - | | 7975 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | - | MT29RZ4C8 | Flash - Nand, DRAM - LPDDR2 | 1.8V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 533 MHz | No Volátil, Volátil | 4Gbit (NAND), 4GBIT (LPDDR2) | Flash, ram | 256m x 16 (nand), 128m x 32 (LPDDR2) | Paralelo | - | ||||
 | CY7C1019D-10VXI | 3.1472 | | 4 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-BSOJ (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | CY7C1019 | Sram - Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 32-SOJ | descascar | Rohs no conforme | No Aplicable | Vendedor indefinido | 2832-cy7c1019d-10vxi | 200 | Volante | 1 mbit | 10 ns | Sram | 128k x 8 | Paralelo | 10ns | Sin verificado | ||||
| S25FL132K0XNFIQ11Z | 1.4700 | | 7992 | 0.00000000 | Extensión | FL1-K | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | S25FL132 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (5x6) | descascar | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 108 MHz | No Volátil | 32Mbit | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O | 3 ms | ||||
| C-3200D4SR8S/8G | 26.2500 | | 8029 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-C-3200D4SR8S/8G | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | CY14B256K-SP35XC | - | | 8306 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-BSOP (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | CY14B256 | Nvsram (sram no volátil) | 2.7V ~ 3.45V | 48-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 30 | No Volátil | 256 kbit | 35 ns | Nvsram | 32k x 8 | Paralelo | 35ns | ||||
 | 28C64A-20/J | - | | 2187 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 28C64A | Eeprom | 4.5V ~ 5.5V | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | No Volátil | 64 kbits | 200 ns | Eeprom | 8k x 8 | Paralelo | 1 m | |||||||
 | CAT28F001GI-90T | - | | 2187 | 0.00000000 | onde | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32 LCC (J-Lead) | CAT28F001 | Destello | 4.5V ~ 5.5V | 32-PLCC (11.43x13.97) | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 32 | No Volátil | 1 mbit | 90 ns | Destello | 128k x 8 | Paralelo | 90ns | |||||
 | S29PL064J60BFW123 | - | | 8908 | 0.00000000 | Infineon Technologies | PL-J | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-vfbga | S29PL064 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 48-FBGA (8.15x6.15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | No Volátil | 64 Mbbit | 60 ns | Destello | 4m x 16 | Paralelo | 60ns | ||||
 | 93LC46CT-E/MNY | 0.4950 | | 3379 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-WFDFN PADERA EXPUESTA | 93LC46 | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-TDFN (2x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 3 MHz | No Volátil | 1 kbit | Eeprom | 128 x 8, 64 x 16 | Microondas | 6 ms | ||||
 | SST26VF016B-104I/MF | 2.0600 | | 2973 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | SST26 SQI® | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | SST26VF016 | Destello | 2.7V ~ 3.6V | 8-WDFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 98 | 104 MHz | No Volátil | 16mbit | Destello | 2m x 8 | SPI - Quad I/O | 1.5ms | ||||
 | 7054S35PRF | - | | 1221 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 128-LQFP | 7054S35 | Sram - Puerto Cuádruple, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 128-TQFP (14x20) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 6 | Volante | 32 kbits | 35 ns | Sram | 4k x 8 | Paralelo | 35ns | ||||
| IS43TR16512S1DL-125KBLI-TR | - | | 1513 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-LFBGA | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-LFBGA (9x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43TR16512S1DL-125KBLI-TR | 1.500 | 800 MHz | Volante | 8 gbit | 20 ns | Dracma | 512m x 16 | Paralelo | 15ns | ||||||
 | MT41K512M8DA-107 AAT: P TR | 9.6400 | | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT41K512M8 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 78-FBGA (8x10.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | Volante | 4 gbit | 20 ns | Dracma | 512m x 8 | Paralelo | - | |||
 | EM008LXQADG13CS1T | 16.3999 | | 7382 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | Emxxlx | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-vdfn | Mram (Ram Magnetoresistivo) | 1.65V ~ 2V | 8-DFN (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 819-EM008LXQADG13CS1T | EAR99 | 8542.32.0071 | 290 | 200 MHz | No Volátil | 8mbit | RAM | 1m x 8 | SPI - E/S Octal | - | |||||
| S26HL01GTFPBHB030 | 25.5675 | | 9204 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Semper ™ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-VBGA | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 24-FBGA (8x8) | descascar | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.300 | 166 MHz | No Volátil | 1 gbit | 6.5 ns | Destello | 128m x 8 | Hiperbus | 1.7ms | ||||||
| AS4C1G8D3LA-10BIN | 32.2500 | | 251 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | AS4C1G8 | SDRAM - DDR3L | 1.28V ~ 1.45V | 78-FBGA (9x10.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 1450-AS4C1G8D3LA-10BIN | EAR99 | 8542.32.0036 | 220 | 933 MHz | Volante | 8 gbit | 20 ns | Dracma | 1g x 8 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT29F256G08AUAAAC5-IT: A | - | | 2654 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 52-vlga | MT29F256G08 | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 52-VLGA (18x14) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | Paralelo | - | ||||||
| CY62157ElL-45ZSXI | - | | 7745 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MOBL® | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | CY62157 | Sram - Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 44-TSOP II | descascar | 1 | Volante | 8mbit | 45 ns | Sram | 512k x 16 | Paralelo | 45ns | Sin verificado | ||||||||
 | Cav25010ve-gt3 | 0.3470 | | 8471 | 0.00000000 | onde | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Cav25010 | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3.000 | 10 MHz | No Volátil | 1 kbit | Eeprom | 128 x 8 | SPI | 5 ms | ||||
 | IS42S16100E-6TL-TR | - | | 8393 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 50-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | IS42S16100 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 50-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 166 MHz | Volante | 16mbit | 5.5 ns | Dracma | 1m x 16 | Paralelo | - |
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