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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Sic programable | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | TUPO Programable | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 7143SA90J8 | - |  | 2982 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 68 LCC (J-Lead) | 7143SA | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 68-PLCC (24.21x24.21) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 250 | Volante | 32 kbits | 90 ns | Sram | 2k x 16 | Paralelo | 90ns | ||||||
| S25FL128LAGMFM003 | - | | 9930 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Una granela | Activo | - | 2156-S25FL128LAGMFM003 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
 | S25FL116K0XBHV033 | - | | 6850 | 0.00000000 | Infineon Technologies | FL1-K | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | S25FL116 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 24-BGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 2.500 | 108 MHz | No Volátil | 16mbit | Destello | 2m x 8 | SPI - Quad I/O | 3 ms | ||||||
 | LE24LB642CSTL-TFM-H | - | | 5265 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | - | LE24L | Eeprom | 1.7V ~ 3.6V | - | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 400 kHz | No Volátil | 64 kbits | Eeprom | 8k x 8 | I²C | - | |||||||
 | Cy7C1481BV25-133axi | 190.7800 | | 348 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | CY7C1481 | Sram - Sincónnico, SDR | 2.375V ~ 2.625V | 100-TQFP (14x20) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 133 MHz | Volante | 72Mbit | 6.5 ns | Sram | 2m x 36 | Paralelo | - | Sin verificado | ||||||
| 9021981 | - | | 7821 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | - | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT29F64G08CFACAWP: C | - | | 1215 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F64G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 64 GBIT | Destello | 8g x 8 | Paralelo | - | ||||||||
 | 71V65703S85BQG | 26.6900 | | 104 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165-TBGA | 71V65703 | Sram - Sincónnico, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3.465V | 165-Cabga (13x15) | descascar | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volante | 9 MBIT | 8.5 ns | Sram | 256k x 36 | Paralelo | - | |||||||||
 | IS42VM16160E-75BLI | - | | 5077 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-TFBGA | IS42VM16160 | Sdram - móvil | 1.7V ~ 1.95V | 54-TFBGA (8x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 348 | 133 MHz | Volante | 256Mbit | 6 ns | Dracma | 16m x 16 | Paralelo | - | |||||
| CG7858AAT | - | | 7142 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | - | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||
 | IS43DR16160A-25EBLBR | - | | 5944 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 84-TFBGA | IS43DR16160 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-TWBGA (8x12.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 400 MHz | Volante | 256Mbit | 400 ns | Dracma | 16m x 16 | Paralelo | 15ns | |||||
 | DS1609S-50+ | - | | 5390 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | DS1609 | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 24-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 31 | Volante | 2 kbits | 50 ns | Sram | 256 x 8 | Paralelo | 50ns | ||||||
 | 7025L20JGI8 | 55.1935 | | 5453 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 84-LCC (J-LEAD) | 7025L20 | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 84-PLCC (29.31x29.31) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 200 | Volante | 128 kbit | 20 ns | Sram | 8k x 16 | Paralelo | 20ns | ||||||
 | DS1230Y-70+ | 28.7900 | | 1 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | A Través del Aguetero | Módulo de 28 Dips (0.600 ", 15.24 mm) | DS1230Y | Nvsram (sram no volátil) | 4.5V ~ 5.5V | 28 Edip | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | -4941-ds1230y-70+ | EAR99 | 8542.32.0041 | 12 | No Volátil | 256 kbit | 70 ns | Nvsram | 32k x 8 | Paralelo | 70ns | |||||
| S70PL512N00HFW533 | - | | 4374 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||
| 28329184c | - | | 3257 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | - | 1 | |||||||||||||||||||||||||
 | XC1765EPDG8C | - | | 8481 | 0.00000000 | Amd | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | XC1765E | Sin verificado | 4.75V ~ 5.25V | 8 pdip | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 122-1577-5 | EAR99 | 8542.32.0071 | 50 | OTP | 65kb | |||||||||||
 | R1QDA7236ABG-19IB0 | 23.7400 | | 85 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | AT25PE80-MHN-T | 1.9700 | | 8601 | 0.00000000 | Adesto tecnologías | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 8-udfn almohadilla exposición | AT25PE80 | Destello | 1.7V ~ 3.6V | 8-udfn (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 6,000 | 85 MHz | No Volátil | 8mbit | Destello | 256 bytes x 4096 Páginas | SPI | 8 µs, 4ms | ||||||
 | IS41C16257C-35TLI | - | | 6981 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho), 40 cables | IS41C16257 | DRAM - FP | 4.5V ~ 5.5V | 40-tsop | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 135 | Volante | 4mbit | 18 ns | Dracma | 256k x 16 | Paralelo | - | ||||||
 | S34ML04G100BHV000 | - | | 3681 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Ml-1 | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | S34ml04 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 63-BGA (11x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | No Volátil | 4 gbit | Destello | 512m x 8 | Paralelo | 25ns | |||||||
| Cg8975amt | - | | 4857 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Descontinuado en sic | - | Alcanzar sin afectado | 1 | ||||||||||||||||||||||||
 | MX25U1635FM2I-10G | 0.6771 | | 1350 | 0.00000000 | Macronix | Mx25xxx35/36 - mxsmio ™ | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | MX25U1635 | Flash - Ni | 1.65V ~ 2V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 92 | 104 MHz | No Volátil | 16mbit | Destello | 2m x 8 | SPI - Quad I/O | 30 µs, 1,5 ms | ||||||
 | MB85RC512TPNF-G-JNERE1 | 5.6800 | | 2 | 0.00000000 | Kaga Fei America, Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | MB85RC512 | Fram (Carnero Ferroeléctrico) | 1.8v ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.500 | 3.4 MHz | No Volátil | 512 kbit | 130 ns | Fram | 64k x 8 | I²C | - | |||||
 | 25LC128-I/MF | 1.5900 | | 8397 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-vdfn | 25LC128 | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-DFN-S (6x5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 60 | 10 MHz | No Volátil | 128 kbit | Eeprom | 16k x 8 | SPI | 5 ms | ||||||
 | S29AL016J70TFM020 | - | | 6562 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q100, Al-J | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | S29al016 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 96 | No Volátil | 16mbit | 70 ns | Destello | 2m x 8, 1m x 16 | Paralelo | 70ns | ||||||
 | S29GL512S11GHI020 | 8.8900 | | 9595 | 0.00000000 | Infineon Technologies | GL-S | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-vfbga | S29GL512 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 56-FBGA (9x7) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.600 | No Volátil | 512Mbit | 110 ns | Destello | 32m x 16 | Paralelo | 60ns | ||||||
| IS43TR81024B-125KBL | 20.8861 | | 2010 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 78-TWBGA (10x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43TR81024B-125KBL | 136 | 800 MHz | Volante | 8 gbit | 20 ns | Dracma | 1g x 8 | Paralelo | 15ns | ||||||||
 | Cy7C1061G30-10BV1XIT | 23.7825 | | 6497 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-vfbga | CY7C1061 | Sram - Asínncrono | 2.2V ~ 3.6V | 48-vfbga (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | Volante | 16mbit | 10 ns | Sram | 1m x 16 | Paralelo | 10ns | ||||||
| CY62157EV30LL-55ZSXE | 11.3200 | | 185 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MOBL® | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | CY62157 | Sram - Asínncrono | 2.2V ~ 3.6V | 44-TSOP II | descascar | Rohs no conforme | No Aplicable | Vendedor indefinido | 20 | Volante | 8mbit | 55 ns | Sram | 512k x 16 | Paralelo | 55ns | Sin verificado |
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