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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | A1763799-C | 17.5000 | ![]() | 2604 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-A1763799-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | BR24G04FV-3GTE2 | 0.1900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-LSSOP (0.173 ", 4,40 mm de Ancho) | BR24G04 | Eeprom | 1.6v ~ 5.5V | 8-SSOP-B | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 400 kHz | No Volátil | 4 kbits | Eeprom | 512 x 8 | I²C | 5 ms | ||||
![]() | CY7C199N-20PXC | - | ![]() | 6923 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 28-dip (0.300 ", 7.62 mm) | CY7C199 | Sram - Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 28 PDIP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Volante | 256 kbit | 20 ns | Sram | 32k x 8 | Paralelo | 20ns | ||||
![]() | T0E52AT-C | 150.0000 | ![]() | 9985 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-T0E52AT-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | Htee25608 | - | ![]() | 5146 | 0.00000000 | Aeropacial de Honeywell | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 225 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 56-BCPGA | Htee25608 | Eeprom | 4.75V ~ 5.25V | 56-CPGA | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 5 MHz | No Volátil | 256 kbit | 150 ns | Eeprom | 32k x 8 | Paralelo, SPI | 90 ms | ||||
![]() | IS43TR16128B-107MBLI-TR | - | ![]() | 8529 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | IS43TR16128 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-TWBGA (9x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.500 | 933 MHz | Volante | 2 GBIT | 195 PS | Dracma | 128m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
![]() | MCM69C233TQ15 | 17.2500 | ![]() | 542 | 0.00000000 | Motorola | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | Leva | 3.1V ~ 3.5V | 100-TQFP (14x20) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | 4 GHz | No Volátil | 256 kbit | 8 ns | Leva | 4k x 64 | Paralelo | - | ||||
![]() | 34AA02T-E/MS | 0.4350 | ![]() | 4591 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) | 34AA02 | Eeprom | 1.7V ~ 5.5V | 8-MSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 400 kHz | No Volátil | 2 kbits | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 | I²C | 5 ms | |||
![]() | S29GL064S80FHIS30 | - | ![]() | 3802 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q100, GL-S | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | S29GL064 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (13x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 260 | No Volátil | 64 Mbbit | 80 ns | Destello | 8m x 8, 4m x 16 | Paralelo | 60ns | ||||
![]() | MT44K64M18RB-083F: A | - | ![]() | 2489 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 168-TBGA | MT44K64M18 | RDRAM 3 | 1.28V ~ 1.42V | 168-BGA (13.5x13.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.190 | 1.2 GHz | Volante | 1.125 GBIT | 6.67 ns | Dracma | 64m x 18 | Paralelo | - | |||
![]() | M29F200FB55N3E2 | - | ![]() | 4167 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | M29F200 | Flash - Ni | 4.5V ~ 5.5V | 48-TSOP I | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 96 | No Volátil | 2 mbit | 55 ns | Destello | 256k x 8, 128k x 16 | Paralelo | 55ns | ||||
![]() | Cy7c1373d-133bzi | 28.2900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Nobl ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C1373 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.6V | 165-FBGA (13x15) | descascar | Rohs no conforme | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 11 | 133 MHz | Volante | 18mbit | 6.5 ns | Sram | 1m x 18 | Paralelo | - | Sin verificado | ||||
![]() | 71T75802S133PFGI8 | 46.7767 | ![]() | 8257 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | 71T75802 | Sram - Sincónnico, SDR (ZBT) | 2.375V ~ 2.625V | 100-TQFP (14x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 133 MHz | Volante | 18mbit | 4.2 ns | Sram | 1m x 18 | Paralelo | - | |||
![]() | IDT71V67802S166PF | - | ![]() | 5873 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | IDT71V67802 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 71V67802S166PF | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 166 MHz | Volante | 9 MBIT | 3.5 ns | Sram | 512k x 18 | Paralelo | - | ||
![]() | DS2502PU-112F+T | 1.9600 | ![]() | 4311 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 6-LSOJ (0.148 ", Ancho de 3.76 mm) | EPROM - OTP | 2.8V ~ 6V | 6-TSOC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1 | No Volátil | 1 kbit | EPROM | 1k x 1 | 1 Alambre® | - | |||||||
![]() | AT49F1024-55VC | - | ![]() | 9727 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TC) | Montaje en superficie | 40-TFSOP (0.488 ", Ancho de 12.40 mm) | AT49F1024 | Destello | 4.5V ~ 5.5V | 40-VSOP | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 160 | No Volátil | 1 mbit | 55 ns | Destello | 64k x 16 | Paralelo | 50 µs | ||||
![]() | CYD18S36V-100BBC | 207.9900 | ![]() | 62 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 256 lbGa | CYD18S36 | Sram - Puerto Dual | 1.7V ~ 1.9V | 256-FBGA (23x23) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volante | 18mbit | Sram | 512k x 36 | Paralelo | - | ||||
![]() | CY62137CV30LL-55BAI | 1.2000 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MOBL® | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFBGA | CY62137 | Sram - Asínncrono | 2.7V ~ 3.3V | 48-FBGA (7x7) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volante | 2 mbit | 55 ns | Sram | 128k x 16 | Paralelo | 55ns | ||||
![]() | S29GL032N90DAI010 | - | ![]() | 3708 | 0.00000000 | Infineon Technologies | GL-N | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | S29GL032 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (9x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 260 | No Volátil | 32Mbit | 90 ns | Destello | 4m x 8, 2m x 16 | Paralelo | 90ns | ||||
![]() | MT41J256M8HX-15E: D | - | ![]() | 3571 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT41J256M8 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 78-FBGA (9x11.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 667 MHz | Volante | 2 GBIT | 13.5 ns | Dracma | 256m x 8 | Paralelo | - | |||
71024S20TYGI8 | 2.9225 | ![]() | 5012 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-BSOJ (0.300 ", 7.62 mm de ancho) | 71024s | Sram - Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 32-SOJ | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1,000 | Volante | 1 mbit | 20 ns | Sram | 128k x 8 | Paralelo | 20ns | |||||
![]() | CG8131AA | - | ![]() | 8295 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 108 | ||||||||||||||||||
![]() | Cy7C164-35pc | 3.3300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 22-dip (0.300 ", 7.62 mm) | CY7C164 | Sram - Sincónnico | 4.5V ~ 5.5V | 22 PDIP | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Volante | 64 kbits | 35 ns | Sram | 16k x 4 | Paralelo | 35ns | ||||
![]() | Gd25q256ewigy | 2.2897 | ![]() | 7620 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (5x6) | descascar | 1970-gd25q256ewigy | 5.700 | 133 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O | - | |||||||||
![]() | IS25LP016D-JKLE-TR | 1.1100 | ![]() | 15 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | IS25LP016 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 8-wson (6x5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 4.500 | 133 MHz | No Volátil | 16mbit | Destello | 2m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 800 µs | ||||
![]() | IDT71V65602S133BG | - | ![]() | 8152 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 119-BGA | IDT71V65602 | Sram - Sincónnico, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3.465V | 119-PBGA (14x22) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 71V65602S133BG | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 133 MHz | Volante | 9 MBIT | 4.2 ns | Sram | 256k x 36 | Paralelo | - | ||
![]() | MT48LC2M32B2TG-6A: J | - | ![]() | 2503 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | MT48LC2M32B2 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 86-TSOP II | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 167 MHz | Volante | 64 Mbbit | 5.4 ns | Dracma | 2m x 32 | Paralelo | 12ns | |||
![]() | AT45DB321D-MWU | - | ![]() | 6775 | 0.00000000 | Adesto tecnologías | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-vdfn | AT45DB321 | Destello | 2.7V ~ 3.6V | 8-vdfn (8x6) | descascar | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 338 | 66 MHz | No Volátil | 32Mbit | Destello | 528 bytes x 8192 Páginas | SPI | 6 ms | ||||||
![]() | W25Q80BLSSIG TR | - | ![]() | 9875 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | W25Q80 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 80 MHz | No Volátil | 8mbit | Destello | 1m x 8 | SPI - Quad I/O | 800 µs | ||||
![]() | SST26VF040AT-80E/MF | 1.6200 | ![]() | 2241 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | SST26 SQI® | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | SST26VF040 | Destello | 2.7V ~ 3.6V | 8-WDFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 80 MHz | No Volátil | 4mbit | Destello | 512k x 8 | SPI - Quad I/O | 1.5ms |
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