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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Th58NYG3S0HBAI4 | 9.5400 |  | 76 | 0.00000000 | Kioxia America, Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | Th58nyg3 | Flash - Nand (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | 63-TFBGA (9x11) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Th58nyg3s0hbai4jdh | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 210 | No Volátil | 8 gbit | 25 ns | Destello | 1g x 8 | Paralelo | 25ns | |||
 | Fm24c08ulzem8 | - | | 1561 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | FM24C08 | Eeprom | 2.7V ~ 4.5V | 8-Soico | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 100 kHz | No Volátil | 8 kbits | 3.5 µs | Eeprom | 1k x 8 | I²C | 15 ms | |||
 | W9751G6KB-25 | - | | 6038 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 84-TFBGA | W9751G6 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-WBGA (8x12.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | W9751G6KB25 | EAR99 | 8542.32.0036 | 209 | 400 MHz | Volante | 512Mbit | 400 ps | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
 | SM668PE4-AC | - | | 4970 | 0.00000000 | Silicon Motion, Inc. | - | Banda | Obsoleto | SM668 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | |||||||||||||||||
 | AT25040B-XPD-T | - | | 5601 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | AT25040 | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-TSOP | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 5 MHz | No Volátil | 4 kbits | Eeprom | 512 x 8 | SPI | 5 ms | |||||
 | CAT93C46RWGI | 0.1000 | | 2265 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | CAT93C46 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 4 MHz | No Volátil | 1 kbit | Eeprom | 128 x 8, 64 x 16 | Microondas | - | ||||
 | W25N01JWSFIG | 3.3924 | | 1434 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | W25N01 | Flash - Nand (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 256-W25N01JWSFIG | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 166 MHz | No Volátil | 1 gbit | 6 ns | Destello | 128m x 8 | SPI - Quad I/O, DTR | 700 µs | ||
| Fm24c256vm8 | 0.8800 | | 966 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | FM24C256 | Eeprom | 4.5V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 100 kHz | No Volátil | 256 kbit | 3.5 µs | Eeprom | 32k x 8 | I²C | 6 ms | |||
 | N25Q064A13E12D1E | - | | 2973 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | N25Q064A13 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 24-T-PBGA (6x8) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.122 | 108 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | Destello | 16m x 4 | SPI | 8 ms, 5 ms | |||||
| SM662PAC-BDSS | - | | 6816 | 0.00000000 | Silicon Motion, Inc. | Ferri-EMMC® | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 153-TFBGA | SM662 | Flash - nand (slc), flash - nand (tlc) | - | 153-BGA (11.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 1984-SM662PAC-BDSS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | No Volátil | 160 GBIT | Destello | 20g x 8 | EMMC | - | |||||
 | 71V30L35TFGI | 22.7454 | | 6749 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64-LQFP | 71V30 | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 64-TQFP (10x10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 40 | Volante | 8 kbits | 35 ns | Sram | 1k x 8 | Paralelo | 35ns | ||||
 | S70KL1282DPBHV020 | 7.1750 | | 1791 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hyperram ™ KL | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-VBGA | S70KL1282 | Psram (pseudo sram) | 2.7V ~ 3.6V | 24-FBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 3,380 | 166 MHz | Volante | 128 Mbbit | 36 ns | Psram | 16m x 8 | Hiperbus | 36NS | |||
 | R1Q2A7236ABG-50IA1 | 35.5800 | | 315 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
 | W25q256fvcip | - | | 7442 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Tubo | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | W25Q256 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 24-TFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 50 µs, 3 ms | ||||
 | 28C64A-25B/UC | 17.3400 | | 419 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Obsoleto | - | 28C64A | Eeprom | 4.5V ~ 5.5V | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | No Volátil | 64 kbits | 250 ns | Eeprom | 8k x 8 | Paralelo | 1 m | |||||||
 | S-34TS04A0B-A8T3U5 | 1.4104 | | 4135 | 0.00000000 | ABLIC Inc. | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | 8-Ufdfn Padera Expunesta | S-34TS04 | 8-DFN (2x3) | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.32.0051 | 5,000 | |||||||||||||||
 | MT57W2MH8CF-6 | 28.3700 | | 5 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165-TBGA | MT57W2MH | Sram - Sincónnico | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (13x15) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 167 MHz | Volante | 18mbit | Sram | 2m x 8 | Paralelo | - | ||||
 | MEM2821-256U512D-C | 62.5000 | | 1329 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-MEM2821-256U512D-C | EAR99 | 8473.30.9100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | CY7C1413KV18-250BZI | - | | 4158 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C1413 | Sram - Sincónnico, QDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (13x15) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 680 | 250 MHz | Volante | 36 mbit | Sram | 2m x 18 | Paralelo | - | ||||
| CY7C1521KV18-250BZXC | 129.5200 | | 113 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C1521 | Sram - Síncrono, DDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (13x15) | descascar | 1 | 250 MHz | Volante | 72Mbit | Sram | 2m x 36 | Paralelo | - | Sin verificado | ||||||||
| IS43QR81024A-075VBL | 18.1892 | | 7487 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-TWBGA (10x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43QR81024A-075VBL | 136 | 1.333 GHz | Volante | 8 gbit | 18 ns | Dracma | 1g x 8 | Paralelo | 15ns | ||||||
 | S29GL032N90BFA043 | - | | 4878 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q100, GL-N | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-vfbga | S29GL032 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 48-FBGA (8.15x6.15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | No Volátil | 32Mbit | 90 ns | Destello | 4m x 8, 2m x 16 | Paralelo | 90ns | ||||
 | S29PL127J65BAW000 | - | | 9557 | 0.00000000 | Infineon Technologies | PL-J | Banda | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 80-vfbga | S29PL127 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 80-FBGA (8x11) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | No Volátil | 128 Mbbit | 65 ns | Destello | 8m x 16 | Paralelo | 65ns | ||||
 | CY62137CVSL-70BAIT | 1.3500 | | 255 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MOBL® | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFBGA | CY62137 | Sram - Asínncrono | 2.7V ~ 3.6V | 48-FBGA (7x7) | descascar | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volante | 2 mbit | 70 ns | Sram | 128k x 16 | Paralelo | 70ns | ||||
| Int70p1321 | - | | 6457 | 0.00000000 | IBM | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 1 | ||||||||||||||||||||
 | 93C86BT-E/ST | - | | 1386 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | 93C86 | Eeprom | 4.5V ~ 5.5V | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 3 MHz | No Volátil | 16 kbits | Eeprom | 1k x 16 | Microondas | 2 ms | ||||
| K6R1016C1D-TI10T00 | 6.5000 | | 69 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | Sram - Asínncrono | 5V | 44-TSOP II | - | 3277-K6R1016C1D-TI10T00TR | EAR99 | 8542.32.0041 | 50 | Volante | 1 mbit | Sram | 64k x 16 | Paralelo | 10ns | Sin verificado | ||||||||
| S99GL256S90DHI020 | - | | 1196 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | La Última Vez Que Compre | - | 1 | |||||||||||||||||||||||
 | AS6C8016-55BINTR | 6.0750 | | 3165 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-lfbga | AS6C8016 | Sram - Asínncrono | 2.7V ~ 5.5V | 48-TFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | Volante | 8mbit | 55 ns | Sram | 512k x 16 | Paralelo | 55ns | ||||
| 7026L35GB | - | | 2310 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 84-BPGA | 7026L35 | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 84-PGA (27.94x27.94) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 3 | Volante | 256 kbit | 35 ns | Sram | 16k x 16 | Paralelo | 35ns |
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