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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CY7C168A-25pc | 2.3100 |  | 993 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 20-dip (0.300 ", 7.62 mm) | CY7C168 | Sram - Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 20 DIPP | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Volante | 16 kbits | 25 ns | Sram | 4k x 4 | Paralelo | 25ns | ||||
 | AS6C6264-55pcn | 4.1200 | | 1 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 28-dip (0.600 ", 15.24 mm) | AS6C6264 | Sram - Asínncrono | 2.7V ~ 5.5V | 28 PDIP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1450-1036 | EAR99 | 8542.32.0041 | 15 | Volante | 64 kbits | 55 ns | Sram | 8k x 8 | Paralelo | 55ns | |||
 | SM662GAB MEJOR | 19.4700 | | 2114 | 0.00000000 | Silicon Motion, Inc. | Ferri-EMMC® | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 100 lbGa | SM662 | Flash - Nand (TLC) | - | 100-BGA (14x18) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 1984-SM662GAB-MEJOR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | EMMC | - | ||||
 | Mx25v1635fzni | 0.8400 | | 32 | 0.00000000 | Macronix | Mxsmio ™ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Mx25v1635 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 8-wson (6x5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 570 | 80 MHz | No Volátil | 16mbit | Destello | 2m x 8 | SPI - Quad I/O | 100 µs, 4ms | ||||
 | Mx25r6435fm1il0 | - | | 1230 | 0.00000000 | Macronix | Mxsmio ™ | Tubo | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | MX25R6435 | Flash - Ni | 1.65V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 1092-1172 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 98 | 80 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O | 100 µs, 10 ms | |||
 | IDT71V424S10Y | - | | 3903 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 36-BSOJ (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | IDT71V424 | Sram - Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 36-SOJ | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 71V424S10Y | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 20 | Volante | 4mbit | 10 ns | Sram | 512k x 8 | Paralelo | 10ns | |||
 | DS28E01P-W0G+1T | - | | 9148 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 6-SMD, J-Lead | DS28E01 | Eeprom | 2.85V ~ 5.25V | 6-TSOC | - | ROHS3 Cumplante | 175-DS28E01P-W0G+1TTR | Obsoleto | 4.000 | No Volátil | 1 kbit | 2 µs | Eeprom | 256 x 4 | 1 Alambre® | - | ||||||
 | Cy7c0830av-133ai | 72.0000 | | 44 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 120-LQFP | CY7C0830 | Sram - Puerto Dual, Sincónnico | 3.135V ~ 3.465V | 120-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volante | 1.152Mbit | Sram | 64k x 18 | Paralelo | - | ||||
 | SST26VF040A-104I/MF | 1.4600 | | 686 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | SST26 SQI® | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | SST26VF040 | Destello | 2.7V ~ 3.6V | 8-WDFN (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 98 | 104 MHz | No Volátil | 4mbit | Destello | 512k x 8 | SPI - Quad I/O | 1.5ms | ||||
| AT25PE40-SSHN-B | 0.8677 | | 9318 | 0.00000000 | Renesas Electronics Operations Services Limited | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 3.6V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 1695-AT25PE40-SSHN-B | 98 | 85 MHz | No Volátil | 4mbit | 6 ns | Destello | 2m x 2 | SPI | 3 ms | ||||||
 | IDT71P73804S200BQ | - | | 3324 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165-TBGA | IDT71P73 | SRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 165-Cabga (13x15) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 71P73804S200BQ | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 200 MHz | Volante | 18mbit | 7.88 ns | Sram | 1m x 18 | Paralelo | - | ||
 | BR24A16F-WME2 | 1.1900 | | 652 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | BR24A16 | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 400 kHz | No Volátil | 16 kbits | Eeprom | 2k x 8 | I²C | 5 ms | ||||
 | NM27C010N150 | - | | 6929 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 32-DIP (0.600 ", 15.24 mm) | NM27C010 | EPROM - OTP | 4.5V ~ 5.5V | 32 salsa | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1B1 | 8542.32.0061 | 11 | No Volátil | 1 mbit | 150 ns | EPROM | 128k x 8 | Paralelo | - | ||||
 | Mt41k256m16re-15e it: D | - | | 3674 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT41K256M16 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (10x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 667 MHz | Volante | 4 gbit | 13.5 ns | Dracma | 256m x 16 | Paralelo | - | ||||
 | 24aa16t-e/mny | 0.5400 | | 5736 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-WFDFN PADERA EXPUESTA | 24AA16 | Eeprom | 1.7V ~ 5.5V | 8-TDFN (2x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 400 kHz | No Volátil | 16 kbits | 900 ns | Eeprom | 2k x 8 | I²C | 5 ms | |||
 | IS43TR81280B-107MBLI-TR | 5.6700 | | 5986 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | IS43TR81280 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 78-TWBGA (8x10.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 933 MHz | Volante | 1 gbit | 20 ns | Dracma | 128m x 8 | Paralelo | 15ns | |||
| 24lc16bht-e/mny | 0.5400 | | 8780 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-WFDFN PADERA EXPUESTA | 24lc16b | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-TDFN (2x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 400 kHz | No Volátil | 16 kbits | 900 ns | Eeprom | 2k x 8 | I²C | 5 ms | |||
 | CY7C1021BL-15ZXI | - | | 6286 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | CY7C1021 | Sram - Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 44-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 500 | Volante | 1 mbit | 15 ns | Sram | 64k x 16 | Paralelo | 15ns | ||||
 | CY7C1418KV18-333BZC | 51.6500 | | 260 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C1418 | Sram - Síncrono, DDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (13x15) | descascar | 6 | 333 MHz | Volante | 36 mbit | Sram | 2m x 18 | Paralelo | - | Sin verificado | ||||||||
 | IS43TR16640CL-125JBLI-TR | 3.3151 | | 8256 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | IS43TR16640 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-TWBGA (9x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS43TR16640CL-125JBLI-TR | EAR99 | 8542.32.0032 | 1.500 | 800 MHz | Volante | 1 gbit | 20 ns | Dracma | 64m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
| 6116la19tpgi | - | | 2126 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 24-dip (0.300 ", 7.62 mm) | Sram - Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 24 pdip | - | 800-6116la19tpgi | 1 | Volante | 16 kbits | 19 ns | Sram | 2k x 8 | Paralelo | 19ns | |||||||||
| DS28E01P-W18+1T | - | | 8149 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 6-SMD, J-Lead | DS28E01 | Eeprom | 2.8V ~ 5.25V | 6-TSOC | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 175-DS28E01P-W18+1TTR | Obsoleto | 4.000 | No Volátil | 1 kbit | Eeprom | 256 x 4 | 1 Alambre® | 10 ms | ||||||
| 7024L12Ji8 | - | | 5646 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 84-LCC (J-LEAD) | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 84-PLCC (29.31x29.31) | - | 800-7024L12JI8TR | 1 | Volante | 64 kbits | 12 ns | Sram | 4k x 16 | Paralelo | 12ns | |||||||||
 | IDT71V256SA12YI | - | | 6918 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 28-BSOJ (0.300 ", 7.62 mm de Ancho) | IDT71V256 | Sram - Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 28-SOJ | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 71V256SA12YI | EAR99 | 8542.32.0041 | 27 | Volante | 256 kbit | 12 ns | Sram | 32k x 8 | Paralelo | 12ns | |||
 | M27W401-80N6 | - | | 4105 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | M27W401 | EPROM - OTP | 2.7V ~ 3.6V | 32-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 8542.32.0061 | 156 | No Volátil | 4mbit | 80 ns | EPROM | 512k x 8 | Paralelo | - | ||||
 | IS66WVC2M16All-7010BLI | - | | 9424 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-vfbga | IS66WVC2M16 | Psram (pseudo sram) | 1.7V ~ 1.95V | 54-vfbga (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 480 | Volante | 32Mbit | 70 ns | Psram | 2m x 16 | Paralelo | 70ns | ||||
| IS61NVF51236-7.5B3I-TR | - | | 5245 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165-TBGA | IS61NVF51236 | Sram - Sincónnico, SDR | 2.375V ~ 2.625V | 165-TFBGA (13x15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 117 MHz | Volante | 18mbit | 7.5 ns | Sram | 512k x 36 | Paralelo | - | |||
 | RM24C128AF-7-GCSI-T | - | | 5174 | 0.00000000 | Adesto tecnologías | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 4-xfbga, WLCSP | RM24C128 | Eeprom | 1.65V ~ 2.2V | 4-WLCSP (0.75x0.75) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 10,000 | 1 MHz | No Volátil | 128 kbit | Eeprom | 16k x 8 | I²C | 1 m | ||||
 | IS41C16257C-35TLI-TR | - | | 9882 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho), 40 cables | IS41C16257 | DRAM - FP | 4.5V ~ 5.5V | 40-tsop | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1,000 | Volante | 4mbit | 18 ns | Dracma | 256k x 16 | Paralelo | - | ||||
 | AT28HC64B-90JI | - | | 6587 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 32 LCC (J-Lead) | AT28HC64 | Eeprom | 4.5V ~ 5.5V | 32-PLCC (13.97x11.43) | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 32 | No Volátil | 64 kbits | 90 ns | Eeprom | 8k x 8 | Paralelo | 10 ms |
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