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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT53D1536M64D8EG-046 WT: A | - |  | 6779 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 557-MT53D1536M64D8EG-046WT: A | Obsoleto | 1.360 | |||||||||||||||||||
 | AT27LV040A-12TI | - | | 6945 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 32-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | AT27LV040 | EPROM - OTP | 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V | 32-TSOP | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | AT27LV040A12TI | 3A991B1B1 | 8542.32.0061 | 156 | No Volátil | 4mbit | 120 ns | EPROM | 512k x 8 | Paralelo | - | |||
 | MT29F4G08ABBFAH4-AAT: F TR | 3.8498 | | 3606 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F4G08 | Flash - Nand (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | 63-vfbga (9x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT29F4G08ABBFAH4-AAT: FTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | No Volátil | 4 gbit | Destello | 512m x 8 | Paralelo | - | ||||
 | IS41LV16256C-35TLI | - | | 1422 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho), 40 cables | IS41LV16256 | DRAM - Edo | 3V ~ 3.6V | 40-tsop | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 135 | Volante | 4mbit | 18 ns | Dracma | 256k x 16 | Paralelo | - | ||||
 | MT29F384G08EBCBBJ4-37: B | - | | 1039 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132-VBGA | MT29F384G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0036 | 1.120 | 267 MHz | No Volátil | 384 GBIT | Destello | 48g x 8 | Paralelo | - | ||||
 | M95010-WDW6TP | 0.3000 | | 3 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | M95010 | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 4.000 | 20 MHz | No Volátil | 1 kbit | Eeprom | 128 x 8 | SPI | 5 ms | ||||
 | S25FL116K0XMFB043 | - | | 5727 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q100, FL1-K | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | S25FL116 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.600 | 108 MHz | No Volátil | 16mbit | Destello | 2m x 8 | SPI - Quad I/O | 3 ms | ||||
| AT25010A-10TU-2.7-T | - | | 3725 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | AT25010 | Eeprom | 2.7V ~ 5.5V | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 20 MHz | No Volátil | 1 kbit | Eeprom | 128 x 8 | SPI | 5 ms | ||||
| 16-3696-01-T | - | | 6236 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | - | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
 | CY7C1418KV18-300BZXC | - | | 2932 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C1418 | Sram - Síncrono, DDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (13x15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 2832-cy7C1418KV18-300BZXC | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 272 | 300 MHz | Volante | 36 mbit | Sram | 2m x 18 | Paralelo | - | |||
 | CY7C1359A-150AC | 17.0500 | | 194 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | CY7C1359 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20) | descascar | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 150 MHz | Volante | 4.5Mbit | 3.8 ns | Sram | 256k x 18 | Paralelo | - | |||
| GD25LQ16Enigr | 0.5939 | | 6464 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-udfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2.1V | 8-Uson (3x4) | descascar | 1970-GD25LQ16Enigrtr | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 16mbit | 6 ns | Destello | 2m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 60 µs, 2.4 ms | ||||||||
 | IDT71V632S5PF | - | | 8120 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | IDT71V632 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.63V | 100-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 71V632S5PF | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 100 MHz | Volante | 2 mbit | 5 ns | Sram | 64k x 32 | Paralelo | - | ||
 | AS4C256M16D3L-12BINTR | - | | 8492 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | AS4C256 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (9x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 800 MHz | Volante | 4 gbit | 20 ns | Dracma | 256m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
 | IS61LV6416-8KL-TR | - | | 6926 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-BSOJ (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | IS61LV6416 | Sram - Asínncrono | 3.135V ~ 3.6V | 44-SOJ | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 2.500 | Volante | 1 mbit | 8 ns | Sram | 64k x 16 | Paralelo | 8ns | ||||
 | AT45DB011D-SSH-SL954 | - | | 4170 | 0.00000000 | Adesto tecnologías | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | AT45DB011 | Destello | 2.7V ~ 3.6V | 8-Soico | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 98 | 66 MHz | No Volátil | 1 mbit | Destello | 256 bytes x 512 Páginas | SPI | 4ms | |||||
 | M5M5V108DKV-70H#ST | 6.3000 | | 240 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.32.0041 | 1,000 | ||||||||||||||||||
 | AS4C2M32D1-5TIN | - | | 7507 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | - | AS4C2M32 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP II | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 1450-1318 | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 200 MHz | Volante | 64 Mbbit | 700 PS | Dracma | 2m x 32 | Paralelo | 15ns | ||
| CG7137AA | - | | 4438 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 1 | ||||||||||||||||||||
| Cy7C1568XV18-633BZXC | 573.3700 | | 8351 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C1568 | Sram - Síncrono, DDR II+ | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (13x15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 633 MHz | Volante | 72Mbit | Sram | 4m x 18 | Paralelo | - | ||||
 | S29GL256P90TFCR20 | 11.1800 | | 5982 | 0.00000000 | Infineon Technologies | GL-P | Banda | Activo | 0 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | S29GL256 | Flash - Ni | 3V ~ 3.6V | 56-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 91 | No Volátil | 256Mbit | 90 ns | Destello | 32m x 8 | Paralelo | 90ns | ||||
 | AT45DB321D-SU-SL383 | - | | 1351 | 0.00000000 | Adesto tecnologías | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | AT45DB321 | Destello | 2.7V ~ 3.6V | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 66 MHz | No Volátil | 32Mbit | Destello | 528 bytes x 8192 Páginas | SPI | 6 ms | ||||||
| Mt53b2danl-dc | - | | 6571 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | - | - | SDRAM - Mobile LPDDR4 | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 960 | Volante | Dracma | ||||||||||||
 | 71V65703S75PFI | 6.0000 | | 128 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | 71V65703 | Sram - Sincónnico, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volante | 9 MBIT | 7.5 ns | Sram | 256k x 36 | Paralelo | - | ||||
 | MT45W1MW16BDGB-708 EN TR | - | | 7934 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 54-vfbga | MT45W1MW16 | Psram (pseudo sram) | 1.7V ~ 1.95V | 54-vfbga (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | Volante | 16mbit | 70 ns | Psram | 1m x 16 | Paralelo | 70ns | ||||
 | MT29F16G08CBACBWP-12: C TR | - | | 5421 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F16G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | No Volátil | 16 gbit | Destello | 2G x 8 | Paralelo | - | |||||
 | Cy7C1470V25-167BZC | - | | 6138 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Nobl ™ | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C1470 | Sram - Sincónnico, SDR | 2.375V ~ 2.625V | 165-FBGA (15x17) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | 1 | 167 MHz | Volante | 72Mbit | 3.4 ns | Sram | 2m x 36 | Paralelo | - | Sin verificado | ||||
 | DS28E02P-W10+6 | - | | 4501 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | Tubo | Obsoleto | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 6-SMD, J-Lead | DS28E02 | Eeprom | 1.75V ~ 3.65V | 6-TSOC | - | ROHS3 Cumplante | 175-DS28E02P-W10+6 | Obsoleto | 8542.32.0051 | 120 | No Volátil | 1 kbit | 2 µs | Eeprom | 256 x 4 | 1 Alambre® | 25 ms | |||||
 | 71V67703S85BQI | 18.8000 | | 2536 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165-TBGA | 71v67703 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 165-Cabga (13x15) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 87 MHz | Volante | 9 MBIT | 8.5 ns | Sram | 256k x 36 | Paralelo | - | |||
 | 25lc256t-e/mf | 2.1150 | | 6275 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-vdfn | 25LC256 | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-DFN-S (6x5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 10 MHz | No Volátil | 256 kbit | Eeprom | 32k x 8 | SPI | 5 ms |
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