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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AM28F020-200EC | 2.0000 |  | 1 | 0.00000000 | Amd | - | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C | Montaje en superficie | 32-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | Flash - Ni | 12V | 32-TSOP | - | Rohs no conforme | 3277-AM28F020-200EC | EAR99 | 8542.32.0070 | 100 | No Volátil | 2 mbit | 200 ns | Destello | 256k x 8 | Paralelo | 200ns | Sin verificado | |||||
 | 71V256SA12PZG8 | 3.6200 | | 2 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 28-TSOP (0.465 ", 11.80 mm de ancho) | 71v256 | Sram - Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 28-TSOP | descascar | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Volante | 256 kbit | 12 ns | Sram | 32k x 8 | Paralelo | 12ns | |||||||
 | AF021GEC5A-2004IX | 27.7300 | | 20 | 0.00000000 | ATP Electronics, Inc. | - | Banda | Activo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1282-AF021GEC5A-2004IX | 760 | ||||||||||||||||||||
 | 71V256SA15PZG8 | 3.5404 | | 9994 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 28-TSOP (0.465 ", 11.80 mm de ancho) | 71v256 | Sram - Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 28-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 2,000 | Volante | 256 kbit | 15 ns | Sram | 32k x 8 | Paralelo | 15ns | ||||
 | MT53E2G32D4DT-046 WT ES: A TR | 96.1650 | | 1726 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53E2G32 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | Alcanzar sin afectado | 557-MT53E2G32D4DT-046WTES: ATR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 2G x 32 | - | - | ||||||||||
 | MT28EW512ABA1LPC-1SIT | - | | 1983 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | MT28EW512 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 64 LBGA (11x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,104 | No Volátil | 512Mbit | 95 ns | Destello | 64m x 8, 32m x 16 | Paralelo | 60ns | |||||
| STK14C88-5K35M | - | | 7320 | 0.00000000 | Simtek | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 32-CDIP (0.300 ", 7.62 mm) | Stk14c88 | Nvsram (sram no volátil) | 4.5V ~ 5.5V | 32-CDIP | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | 1 | No Volátil | 256 kbit | 35 ns | Nvsram | 32k x 8 | Paralelo | 35ns | ||||||
| S29PL032J70BFID20E | - | | 2595 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | Banda | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 338 | ||||||||||||||||||
 | M5M5256DVP-70G#SE | 5.7800 | | 59 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.32.0041 | 1,000 | ||||||||||||||||||
 | W25N512GWYIT TR | - | | 7443 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-UFBGA, WLCSP | W25N512 | Flash - Nand (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | 48-WLCSP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 256-W25N512GWYITTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | No Volátil | 512Mbit | 7 ns | Destello | 64m x 8 | SPI - Quad I/O | 700 µs | ||
 | S25FL127SABBHVD03 | - | | 1847 | 0.00000000 | Infineon Technologies | FL-S | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | S25FL127 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 24-BGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 108 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O | - | ||||
 | 70T659S15BC8 | 221.7593 | | 9312 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 256 lbGa | 70T659 | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 2.4V ~ 2.6V | 256-cabga (17x17) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | Volante | 4.5Mbit | 15 ns | Sram | 128k x 36 | Paralelo | 15ns | ||||
 | AT45DB081D-MU-SL955 | - | | 2434 | 0.00000000 | Adesto tecnologías | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-vdfn | AT45DB081 | Destello | 2.7V ~ 3.6V | 8-vdfn (6x5) | descascar | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0071 | 5,000 | 66 MHz | No Volátil | 8mbit | Destello | 256 bytes x 4096 Páginas | SPI | 4ms | ||||||
 | C-160D3N/16GK2 | 57.5000 | | 9103 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-C-160D3N/16GK2 | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| IS46LQ16256Al-062BLA2 | - | | 5101 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-VFBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS46LQ16256Al-062BLA2 | 136 | 1.6 GHz | Volante | 4 gbit | 3.5 ns | Dracma | 256m x 16 | Lvstl | 18ns | ||||||
| X4402A-C | 37.5000 | | 9923 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-X4402A-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| S99ML02G10043 | - | | 6601 | 0.00000000 | Skyhigh Memory Limited | - | Una granela | Descontinuado en sic | S99ml02 | - | Vendedor indefinido | 2120-S99ML02G10043 | 0000.00.0000 | 210 | Sin verificado | ||||||||||||||||||
 | S29AL016J55FFA023 | - | | 8761 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Al-J | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | S29al016 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (9x9) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 2.200 | No Volátil | 16mbit | 55 ns | Destello | 2m x 8, 1m x 16 | Paralelo | 55ns | ||||
 | MT46V64M8CV-5B IT: J | - | | 7775 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | Mt46v64m8 | SDRAM - DDR | 2.5V ~ 2.7V | 60-FBGA (8x12.5) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0028 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 512Mbit | 700 PS | Dracma | 64m x 8 | Paralelo | 15ns | ||||
 | MT29F128G08AKCABH2-10ITZ: A TR | - | | 2990 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 TBGA | MT29F128G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 100 TBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | Paralelo | - | ||||
 | Cy7C1414AV18-200BZC | - | | 3703 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C1414 | Sram - Sincónnico, QDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (15x17) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 200 MHz | Volante | 36 mbit | Sram | 1m x 36 | Paralelo | - | ||||
 | FM25V02-PG | - | | 4765 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Fram (Carnero Ferroeléctrico) | 2V ~ 3.6V | 8 pdip | - | Obsoleto | 1 | 40 MHz | No Volátil | 256 kbit | 9 ns | Fram | 32k x 8 | SPI | - | ||||||||
 | AM27S35pc | 7.9200 | | 43 | 0.00000000 | Microdispositivos Avanzados | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 75 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 24-dip (0.300 ", 7.62 mm) | AM27S35 | Paseo | 4.75V ~ 5.25V | 24 pdip | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | No Volátil | 8 kbits | 40 ns | Paseo | 1k x 8 | Paralelo | - | ||||
 | Cy7C1371KV33-100AXC | - | | 2216 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Nobl ™ | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | CY7C1371 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20) | descascar | 1 | 100 MHz | Volante | 18mbit | 8.5 ns | Sram | 512k x 36 | Paralelo | - | Sin verificado | |||||||
 | DS28E10P-W22+2TW | - | | 9701 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 6-SMD, J-Lead | DS28E10 | EPROM - OTP | 2.8V ~ 3.6V | 6-TSOC | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | No Volátil | 224 bits | EPROM | 28 x 8 | 1 Alambre® | - | |||||
| MT62F2G64D8EK-026 AAT: B | 126.4350 | | 2825 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT62F2G64D8EK-026AAT: B | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | IS61NLP12836B-200TQLI-TR | 7.5837 | | 6109 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | IS61NLP12836 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 100-LQFP (14x20) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 200 MHz | Volante | 4.5Mbit | 3.1 NS | Sram | 128k x 36 | Paralelo | - | |||
 | S34ML08G201TFV000 | 5.8000 | | 3 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Ml-2 | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | S34ml08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | descascar | ROHS3 Cumplante | 2832-S34ML08G201TFV000 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | No Volátil | 8 gbit | Destello | 1g x 8 | Paralelo | 25ns | ||||||
| CY7C1418BV18-250BZXC | - | | 3631 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C1418 | Sram - Síncrono, DDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (15x17) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | Volante | 36 mbit | Sram | 2m x 18 | Paralelo | - | ||||
| P19042-B21-C | 197.5000 | | 1264 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-P19042-B21-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 |
2000+
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30,000,000
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