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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 49Y1381-C | 47.5000 |  | 8476 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-49Y1381-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | STK17T88-RF25I | - | | 7985 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-BSOP (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | STK17T88 | Nvsram (sram no volátil) | 2.7V ~ 3.6V | 48-ssop | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 60 | No Volátil | 256 kbit | 25 ns | Nvsram | 32k x 8 | Paralelo | 25ns | ||||
 | AS4C8M16D1-5TCNTR | - | | 4868 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | AS4C8M16 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 128 Mbbit | 700 PS | Dracma | 8m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
 | MTFC64GAJAECE-5M AIT | - | | 8015 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 169-LFBGA | MTFC64 | Flash - nand | - | 169-LFBGA (14x18) | - | 1 (ilimitado) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | MMC | - | |||||||
| EMD3D256M08G1-150CBS1R | 54.6364 | | 2545 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | Mram (Ram Magnetoresistivo) | 1.425V ~ 1.575V | 78-BGA (10x13) | - | ROHS3 Cumplante | 819-EMD3D256M08G1-150CBS1RTR | 2,000 | 667 MHz | No Volátil | 256Mbit | 14 ns | RAM | 32m x 8 | Paralelo | - | |||||||
| Cy7c1513kv18-250bzi | 136.2900 | | 450 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C1513 | Sram - Sincónnico, QDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (13x15) | descascar | 3 | 250 MHz | Volante | 72Mbit | Sram | 4m x 18 | Paralelo | - | Sin verificado | ||||||||
 | W25Q16DVUUJP | - | | 3648 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-Ufdfn Padera Expunesta | W25Q16 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-Uson (4x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | 104 MHz | No Volátil | 16mbit | Destello | 2m x 8 | SPI - Quad I/O | 50 µs, 3 ms | ||||
| MT49H8M36BM-33: B TR | - | | 9649 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 144-TFBGA | MT49H8M36 | Dracma | 1.7V ~ 1.9V | 144 µBGA (18.5x11) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 300 MHz | Volante | 288Mbit | 20 ns | Dracma | 8m x 36 | Paralelo | - | |||
| IS25LP256E-JLLE-TR | 3.3357 | | 3906 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nor (SLC) | 2.3V ~ 3.6V | 8-wson (8x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS25LP256E-JLLE-TR | 4.000 | 166 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 50 µs, 1 ms | |||||||
| Mt29vzzzad8hqkpr-053 w es.g8c | - | | 2779 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Obsoleto | Mt29vzzzad8 | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.520 | |||||||||||||||||||
 | IS45S16320F-6CTLA1-TR | 13.0500 | | 6885 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | IS45S16320 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0028 | 1.500 | 167 MHz | Volante | 512Mbit | 5.4 ns | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | - | |||
| 7025L12J8 | - | | 3623 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 84-LCC (J-LEAD) | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 84-PLCC (29.31x29.31) | - | 800-7025L12J8TR | 1 | Volante | 128 kbit | 12 ns | Sram | 8k x 16 | Paralelo | 12ns | |||||||||
 | AS4C64M16MD2-25BCNTR | - | | 8889 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 134-vfbga | AS4C64 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1.14V ~ 1.95V | 134-FBGA (10x11.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 400 MHz | Volante | 1 gbit | Dracma | 64m x 16 | Paralelo | 15ns | ||||
 | AS4C2M32S-6TCN | - | | 7078 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | AS4C2M32 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 86-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 166 MHz | Volante | 64 Mbbit | 5.5 ns | Dracma | 2m x 32 | Paralelo | 2ns | |||
| IS42S83200G-6TLI-TR | 6.5463 | | 6384 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | IS42S83200 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.500 | 166 MHz | Volante | 256Mbit | 5.4 ns | Dracma | 32m x 8 | Paralelo | - | |||
 | S29GL128P11FFIV23 | 5.8275 | | 1827 | 0.00000000 | Infineon Technologies | GL-P | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | S29GL128 | Flash - Ni | 1.65V ~ 3.6V | 64-FBGA (13x11) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.600 | No Volátil | 128 Mbbit | 110 ns | Destello | 16m x 8 | Paralelo | 110ns | ||||
 | W25Q128JVCJM TR | - | | 1204 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | W25Q128 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 24-TFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | W25q128jvcjmtr | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 3 ms | |||
| S29GL512S10DHA010 | - | | 4329 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Automotriz, AEC-Q100, GL-S | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (9x9) | - | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-S29GL512S10DHA010-428 | 1 | No Volátil | 512Mbit | 100 ns | Destello | 64m x 8 | CFI | 60ns | |||||||
| GD9FU1G8F3AMGI | 2.5452 | | 5540 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Banda | Activo | descascar | 1970-GD9FU1G8F3AMGI | 960 | ||||||||||||||||||||||
| W29N08GWBIBA TR | 13.2900 | | 4479 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | Flash - Nand (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | 63-vfbga (9x11) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 256-W29N08GWBIBATR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | No Volátil | 8 gbit | 25 ns | Destello | 512m x 16 | Onde | 35ns, 700 µs | |||||
 | Mt41k256m16re-15e it: D | - | | 3674 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT41K256M16 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (10x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 667 MHz | Volante | 4 gbit | 13.5 ns | Dracma | 256m x 16 | Paralelo | - | ||||
 | N01L83W2AT25I | - | | 1754 | 0.00000000 | onde | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-LFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | N01L83 | Sram - Asínncrono | 2.3V ~ 3.6V | 32-TSOP I | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 766-1033 | EAR99 | 8542.32.0041 | 156 | Volante | 1 mbit | 55 ns | Sram | 128k x 8 | Paralelo | 55ns | ||||
 | IS43R83200B-6TL | - | | 5624 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | IS43R83200 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 108 | 166 MHz | Volante | 256Mbit | 700 PS | Dracma | 32m x 8 | Paralelo | 15ns | |||
| CG7917AA | - | | 9721 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Obsoleto | - | No Aplicable | 3 | Sin verificado | |||||||||||||||||||||
| MT46H64M32LFCX-6 EN: B TR | - | | 2519 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-vfbga | MT46H64M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 90-vfbga (9x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 166 MHz | Volante | 2 GBIT | 5 ns | Dracma | 64m x 32 | Paralelo | 15ns | ||||
| S29WS128N0PBAW012 | - | | 1217 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | ||||||||||||||||||
 | W25q16jvssiq tr | 0.5900 | | 226 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | W25Q16 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | No Volátil | 16mbit | Destello | 2m x 8 | SPI - Quad I/O | 3 ms | ||||
 | Cy7C25652KV18-400BZXC | - | | 2717 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C25652 | Sram - Síncrono, QDR II+ | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (13x15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 272 | 400 MHz | Volante | 72Mbit | Sram | 2m x 36 | Paralelo | - | ||||
 | A5185911-C | 27.5000 | | 8086 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-A5185911-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | 24C16/P | 2.5000 | | 699 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | 24C16 | Eeprom | 4.5V ~ 5.5V | 8 pdip | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 100 kHz | No Volátil | 16 kbits | 3.5 µs | Eeprom | 2k x 8 | I²C | 1 m |
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