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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Sic programable | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 24lc08bh-i/st | 0.4050 |  | 2189 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | 24lc08bh | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | No Volátil | 8 kbits | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 x 4 | I²C | 5 ms | |||
 | MTFC128GAOANAM-WT | - | | 4466 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Descontinuado en sic | MTFC128 | - | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1.520 | ||||||||||||||||||||
| M29F200FB55M3F2 TR | - | | 6396 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-SOICO (0.496 ", 12.60 mm de ancho) | M29F200 | Flash - Ni | 4.5V ~ 5.5V | 44-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 500 | No Volátil | 2 mbit | 55 ns | Destello | 256k x 8, 128k x 16 | Paralelo | 55ns | ||||
 | AT29C010A-12TC | - | | 1130 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TC) | Montaje en superficie | 32-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | AT29C010 | Destello | Sin verificado | 4.5V ~ 5.5V | 32-TSOP | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | AT29C010A12TC | EAR99 | 8542.32.0071 | 156 | No Volátil | 1 mbit | 120 ns | Destello | 128k x 8 | Paralelo | 10 ms | ||
 | MT40A1G4RH-075E: B TR | - | | 1221 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT40A1G4 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (9x10.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.33 GHz | Volante | 4 gbit | Dracma | 1g x 4 | Paralelo | - | ||||
| MT29VZZZBD8DQOPR-053 W.9G8 | - | | 9345 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | MT29VZZZBD8 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.520 | |||||||||||||||||
 | CY7C2170KV18-550BZXC | - | | 9708 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C2170 | Sram - Síncrono, DDR II+ | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (13x15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 550 MHz | Volante | 18mbit | Sram | 512k x 36 | Paralelo | - | ||||
 | BR95080-RDW6TP | - | | 4442 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | BR95080 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | BR95080RDW6TP | EAR99 | 8542.32.0051 | 3.000 | 2 MHz | No Volátil | 8 kbits | Eeprom | 1k x 8 | SPI | 10 ms | |||
| SM662GEE-BD | - | | 8058 | 0.00000000 | Silicon Motion, Inc. | - | Banda | Activo | SM662 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | |||||||||||||||||
 | Cyd09S18V18-200BBXC | - | | 8252 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 256 lbGa | Cyd09S18 | Sram - Puerto Dual, Sincónnico | 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V | 256-FBGA (17x17) | descascar | ROHS3 Cumplante | 4 (72 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 90 | 200 MHz | Volante | 9 MBIT | 3.3 ns | Sram | 512k x 18 | Paralelo | - | |||
 | MT40A1G8WE-083E AAT: B | - | | 2286 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT40A1G8 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (8x12) | descascar | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.900 | 1.2 GHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 1g x 8 | Paralelo | - | ||||||
 | MT29F32G08CBADBWPR: D TR | - | | 1784 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F32G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | MT29F32G08CBADBWPR: DTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 32 GBIT | Destello | 4g x 8 | Paralelo | - | |||||
| CG8662AA | - | | 2042 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | - | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
| MT41J512M4HX-15E: D | - | | 1944 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT41J512M4 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 78-FBGA (9x11.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 667 MHz | Volante | 2 GBIT | 13.5 ns | Dracma | 512m x 4 | Paralelo | - | |||
| MT44K32M18RB-093F: B | - | | 5032 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 168-TBGA | MT44K32M18 | Dracma | 1.28V ~ 1.42V | 168-BGA (13.5x13.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.190 | 1.066 GHz | Volante | 576Mbit | 7.5 ns | Dracma | 32m x 18 | Paralelo | - | |||
 | Cy7c1021cv33-12vxet | - | | 7349 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-BSOJ (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | CY7C1021 | Sram - Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 44-SOJ | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 500 | Volante | 1 mbit | 12 ns | Sram | 64k x 16 | Paralelo | 12ns | ||||
 | 71T75602S166PFG | 22.9128 | | 7088 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | 71T75602 | Sram - Sincónnico, SDR (ZBT) | 2.375V ~ 2.625V | 100-TQFP (14x20) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 166 MHz | Volante | 18mbit | 3.5 ns | Sram | 512k x 36 | Paralelo | - | |||
 | S29Al008J55BFIR20 | 1.7436 | | 8205 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Al-J | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-vfbga | S29al008 | Flash - Ni | 3V ~ 3.6V | 48-FBGA (8.15x6.15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 338 | No Volátil | 8mbit | 55 ns | Destello | 1m x 8, 512k x 16 | Paralelo | 55ns | ||||
 | A5272865-C | 27.5000 | | 5024 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-A5272865-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | 70V9269S6PRF8 | - | | 7808 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 128-LQFP | 70v9269 | Sram - Puerto Dual, Sincónnico | 3V ~ 3.6V | 128-TQFP (14x20) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 1,000 | Volante | 256 kbit | 6.5 ns | Sram | 16k x 16 | Paralelo | - | ||||
 | MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR: D TR | - | | 2260 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132-VBGA | MT29F32G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 166 MHz | No Volátil | 32 GBIT | Destello | 4g x 8 | Paralelo | - | ||||
| MT29VZZZ7C7DQKWL-062 W ES.97Y TR | - | | 6006 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Mt29vzzz7 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1,000 | |||||||||||||||||
| PH28F320W18BE60A | - | | 1882 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | - | PH28F320W18 | Flash - Ni | 1.7V ~ 1.95V | 56-vfbga | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 336 | 52 MHz | No Volátil | 32Mbit | 60 ns | Destello | 2m x 16 | Paralelo | 60ns | ||||
 | MT29F256G08AUEDBJ6-12: D | - | | 9738 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132 lbGa | MT29F256G08 | Flash - Nand (SLC) | 2.5V ~ 3.6V | 132-lbga (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.120 | 83 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | Paralelo | - | ||||
 | AT25256B-MAHL-T | 1.2600 | | 9537 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-Ufdfn Padera Expunesta | AT25256 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | 8-udfn (2x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 20 MHz | No Volátil | 256 kbit | Eeprom | 32k x 8 | SPI | 5 ms | ||||
 | AT45DQ321-SHD2B-T | - | | 6498 | 0.00000000 | Adesto tecnologías | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | AT45DQ321 | Destello | 2.5V ~ 3.6V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | No Volátil | 32Mbit | Destello | 512 bytes x 8192 Páginas | SPI | 8 µs, 4ms | ||||
| 24aa00/s | - | | 8218 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | Morir | 24aa00 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 400 kHz | No Volátil | De 128 bits | 3500 ns | Eeprom | 16 x 8 | I²C | 4ms | |||
 | W25q128jveim | 1.7203 | | 5842 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | W25Q128 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (8x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 63 | 133 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 3 ms | ||||
 | IS61QDP2B22M18A-333M3L | 71.5551 | | 4659 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | IS61QDP2 | Sram - Síncrono, quadp | 1.71V ~ 1.89V | 165-LFBGA (15x17) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 333 MHz | Volante | 36 mbit | 8.4 ns | Sram | 2m x 18 | Paralelo | - | |||
 | IS42SM16320E-6BLI | 10.6720 | | 6319 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-TFBGA | IS42SM16320 | Sdram - móvil | 3V ~ 3.6V | 54-TFBGA (8x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0028 | 348 | 166 MHz | Volante | 512Mbit | 5.5 ns | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | - |
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