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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | S99PL127J0110 | - |  | 8006 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 91 | - | - | - | - | - | ||||||
| 7005L35JI | - | | 6485 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 68 LCC (J-Lead) | 7005L35 | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 68-PLCC (24.21x24.21) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0041 | 18 | Volante | 64 kbits | 35 ns | Sram | 8k x 8 | Paralelo | 35ns | ||||
 | Cy7C026A-20axct | - | | 9449 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | CY7C026 | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 100-TQFP (14x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 1.500 | Volante | 256 kbit | 20 ns | Sram | 16k x 16 | Paralelo | 20ns | |||
 | BR93G66FV-3BGTE2 | 0.6400 | | 4551 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-LSSOP (0.173 ", 4,40 mm de Ancho) | BR93G66 | Eeprom | 1.7V ~ 5.5V | 8-SSOP-B | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 3 MHz | No Volátil | 4 kbits | Eeprom | 256 x 16 | Microondas | 5 ms | |||
 | 709279L9PF | - | | 4971 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | 709279L | Sram - Puerto Dual, Sincónnico | 4.5V ~ 5.5V | 100-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 6 | Volante | 512 kbit | 9 ns | Sram | 32k x 16 | Paralelo | - | |||
 | IS61VPD102418A-200B3I | - | | 9377 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165-TBGA | IS61VPD102418 | Sram - Puerto Cuádruple, Sincónnico | 2.375V ~ 2.625V | 165-PBGA (13x15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 200 MHz | Volante | 18mbit | 3.1 NS | Sram | 1m x 18 | Paralelo | - | ||
 | AS4C128M32MD2A-25BINTR | 10.5000 | | 4104 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 134-vfbga | AS4C128 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1.14V ~ 1.95V | 134-FBGA (10x11.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 400 MHz | Volante | 4 gbit | Dracma | 128m x 32 | Paralelo | 15ns | |||
 | 11LC160T-I/MNY | 0.4050 | | 7575 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-WFDFN PADERA EXPUESTA | 11LC160 | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-TDFN (2x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 100 kHz | No Volátil | 16 kbits | Eeprom | 2k x 8 | Alambre Único | 5 ms | |||
 | BR93L56RFVM-WTR | 0.5100 | | 1260 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-VSSOP, 8-MSOP (0.110 ", Ancho de 2.80 mm) | BR93L56 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | 8-MSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3.000 | 2 MHz | No Volátil | 2 kbits | Eeprom | 128 x 16 | Microondas | 5 ms | |||
 | RM25C32C-BSNC-B | - | | 5548 | 0.00000000 | Adesto tecnologías | Mavriq ™ | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | RM25C32 | CBRAM | 2.7V ~ 3.6V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1265-1157 | EAR99 | 8542.32.0071 | 98 | 5 MHz | No Volátil | 32 kbits | CBRAM® | 32 bytes Tamaña de Página | SPI | 100 µs, 3 ms | ||
| N25Q256A83ESF40E | - | | 9815 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | N25Q256A83 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 16-SOP2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.440 | 108 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 64m x 4 | SPI | 8 ms, 5 ms | |||
 | 24AA64XT-I/ST | 0.5700 | | 2860 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | 24AA64 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 400 kHz | No Volátil | 64 kbits | 900 ns | Eeprom | 8k x 8 | I²C | 5 ms | ||
 | MT28F320J3BS-11 MET TR | - | | 5914 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64-FBGA | MT28F320J3 | Destello | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (10x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 4 (72 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 32Mbit | 110 ns | Destello | 4m x 8, 2m x 16 | Paralelo | - | |||
 | AT28C64E-15TC | - | | 6849 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TC) | Montaje en superficie | 28-TSOP (0.465 ", 11.80 mm de ancho) | AT28C64 | Eeprom | 4.5V ~ 5.5V | 28-TSOP | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | AT28C64E15TC | EAR99 | 8542.32.0051 | 234 | No Volátil | 64 kbits | 150 ns | Eeprom | 8k x 8 | Paralelo | 200 µs | ||
 | MT46H32M32LFMA-6 IT: B TR | - | | 4187 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 168-WFBGA | MT46H32M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 168-WFBGA (12x12) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 166 MHz | Volante | 1 gbit | 5 ns | Dracma | 32m x 32 | Paralelo | 15ns | ||
 | BR25040N-10SU-1.8 | 0.5922 | | 9352 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | BR25040 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | BR25040N10SU1.8 | EAR99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 3 MHz | No Volátil | 4 kbits | Eeprom | 512 x 8 | SPI | 5 ms | ||
 | CY27C512-120JC | 2.0100 | | 5959 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32 LCC (J-Lead) | CY27C512 | EPROM - OTP | 4.5V ~ 5.5V | 32-PLCC (13.97x11.43) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | No Volátil | 512 kbit | 120 ns | EPROM | 64k x 8 | Paralelo | - | |||
 | AT49F002N-12VI | - | | 4125 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 32-TFSOP (0.488 ", Ancho de 12.40 mm) | AT49F002 | Destello | 4.5V ~ 5.5V | 32-VSOP | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | AT49F002N12VI | EAR99 | 8542.32.0071 | 208 | No Volátil | 2 mbit | 120 ns | Destello | 256k x 8 | Paralelo | 50 µs | ||
 | 71v424l15phgi | 8.4001 | | 3355 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | 71v424 | Sram - Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 44-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 26 | Volante | 4mbit | 15 ns | Sram | 512k x 8 | Paralelo | 15ns | |||
 | MT29C2G24MAAAAHAMD-5 IT TR | - | | 8040 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 130-vfbga | MT29C2G24 | Flash - Nand, Lpdram Móvil | 1.7V ~ 1.95V | 130-vfbga (8x9) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | No Volátil, Volátil | 2GBIT (NAND), 1GBIT (LPDRAM) | Flash, ram | 256m x 8 (nand), 64m x 16 (LPDRAM) | Paralelo | - | |||
| IDT71V35761S200PFI8 | - | | 1261 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | IDT71V35761 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 71V35761S200PFI8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 4.5Mbit | 3.1 NS | Sram | 128k x 36 | Paralelo | - | |
 | S25FL256SDPNFV000 | 5.0050 | | 6985 | 0.00000000 | Infineon Technologies | FL-S | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | S25FL256 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 676 | 66 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O | - | |||
 | MT29F1G16ABBDAHC-IT: D TR | - | | 2716 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F1G16 | Flash - nand | 1.7V ~ 1.95V | 63-vfbga (10.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 1 gbit | Destello | 64m x 16 | Paralelo | - | ||||
 | CY7C1354CV25-166AXCT | 14.0525 | | 2716 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Nobl ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | CY7C1354 | Sram - Sincónnico, SDR | 2.375V ~ 2.625V | 100-TQFP (14x20) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 750 | 166 MHz | Volante | 9 MBIT | 3.5 ns | Sram | 256k x 36 | Paralelo | - | ||
 | W9816G6IB-6 | - | | 6874 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | W9816G6 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 60-vfbga (6.4x10.1) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 286 | 166 MHz | Volante | 16mbit | 5 ns | Dracma | 1m x 16 | Paralelo | - | ||
 | S29JL032J60TFI420 | 4.1047 | | 1603 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Jl-j | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | S29JL032 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 192 | No Volátil | 32Mbit | 60 ns | Destello | 4m x 8, 2m x 16 | Paralelo | 60ns | |||
| 70V9079L9PF | - | | 6592 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | 70V9079 | Sram - Puerto Dual, Sincónnico | 3V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 6 | Volante | 256 kbit | 9 ns | Sram | 32k x 8 | Paralelo | - | |||
| 7143LA20pf8 | - | | 5967 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | 7143la | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 100-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 750 | Volante | 32 kbits | 20 ns | Sram | 2k x 16 | Paralelo | 20ns | |||
 | W632GG8NB-11 TR | 4.2018 | | 9905 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-vfbga | W632GG8 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 78-vfbga (8x10.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 256-W632GG8NB-11TR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | Volante | 2 GBIT | 20 ns | Dracma | 256m x 8 | SSTL_15 | 15ns | |
 | 25LC160B-E/P | 0.8850 | | 5108 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | 25LC160 | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8 pdip | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 25LC160B-E/P-NDR | EAR99 | 8542.32.0051 | 60 | 10 MHz | No Volátil | 16 kbits | Eeprom | 2k x 8 | SPI | 5 ms |
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