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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GD25LR256Efirr | 2.8974 |  | 4907 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | Gd25lr | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 16-SOP | - | 1970-GD25LR256Efirrtrtrtr | 1,000 | 104 MHz | No Volátil | 256Mbit | 9 ns | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 70 µs, 1.2 ms | |||||||
 | CAT24C03LGI | - | | 6711 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | CAT24C03 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | 8 pdip | - | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 400 kHz | No Volátil | 2 kbits | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 | I²C | 5 ms | ||
 | CY62148G30-45SXIT | 6.4575 | | 3115 | 0.00000000 | Infineon Technologies | MOBL® | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-SOIC (0.445 ", 11.30 mm de ancho) | CY62148 | Sram - Asínncrono | 2.2V ~ 3.6V | 32-SOICO | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | Volante | 4mbit | 45 ns | Sram | 512k x 8 | Paralelo | 45ns | |||
 | CY7C1297S-133AXC | - | | 5191 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Bolsa | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | CY7C1297 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x14) | - | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volante | 1 mbit | Sram | 64k x 18 | Paralelo | - | |||
| 7130LA55J/2930 | - | | 4251 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 52-lcc (J-Lead) | 7130LA | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 52-PLCC (19.13x19.13) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0041 | 24 | Volante | 8 kbits | 55 ns | Sram | 1k x 8 | Paralelo | 55ns | ||||
 | CAT24AA08TDI-GT3 | 0.3800 | | 3429 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | SOT-23-5 Delgado, TSOT-23-5 | Cat24 | Eeprom | 1.7V ~ 5.5V | TSOT-23-5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3.000 | 1 MHz | No Volátil | 8 kbits | 400 ns | Eeprom | 1k x 8 | I²C | 5 ms | ||
 | MT40A1G8SA-075: E | 7.9500 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT40A1G8 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (7.5x11) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.260 | 1.33 GHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 1g x 8 | Paralelo | - | |||
 | 71v416s12yg | - | | 3067 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-BSOJ (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | 71v416s | Sram - Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 44-SOJ | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 16 | Volante | 4mbit | 12 ns | Sram | 256k x 16 | Paralelo | 12ns | |||
 | Cat24c16zi-G | - | | 5029 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) | CAT24C16 | Eeprom | 1.7V ~ 5.5V | 8-MSOP | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 96 | 400 kHz | No Volátil | 16 kbits | 900 ns | Eeprom | 2k x 8 | I²C | 5 ms | |||
 | 71V424L12PHGI8 | 8.4001 | | 2458 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | 71v424 | Sram - Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 44-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.500 | Volante | 4mbit | 12 ns | Sram | 512k x 8 | Paralelo | 12ns | |||
| C-667D2DFB5/16GKIT | 125.0000 | | 1933 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-C-667D2DFB5/16GKIT | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
 | IDT71V124SA12TYI8 | - | | 5208 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-BSOJ (0.300 ", 7.62 mm de ancho) | IDT71V124 | Sram - Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 32-SOJ | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 71V124SA12Tyi8 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1,000 | Volante | 1 mbit | 12 ns | Sram | 128k x 8 | Paralelo | 12ns | ||
| BR24G512FVM-5ATR | 1.0500 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-VSSOP, 8-MSOP (0.110 ", Ancho de 2.80 mm) | Eeprom | 1.6v ~ 5.5V | 8-MSOP | descascar | 1 (ilimitado) | 3.000 | 1 MHz | No Volátil | 512 kbit | Eeprom | 64k x 8 | I²C | 3.5ms | ||||||||
 | MT53E2G32D4DT-046 AAT: A | 63.1350 | | 6496 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | MT53E2G32 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT53E2G32D4DT-046AAT: A | 0000.00.0000 | 1.360 | 2.133 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 2G x 32 | - | - | ||||||
| S70KL1282DPBHA020 | 8.2250 | | 1750 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hyperram ™ KL | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-VBGA | Psram (pseudo sram) | 2.7V ~ 3.6V | 24-FBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 3,380 | 166 MHz | Volante | 128 Mbbit | 36 ns | Psram | 16m x 8 | Hiperbus | 36NS | ||||
 | AT25SL321-SHE-T | 0.8600 | | 5 | 0.00000000 | Adesto tecnologías | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | AT25SL321 | Destello | 1.7v ~ 2v | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 4.000 | 104 MHz | No Volátil | 32Mbit | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O | 150 µs, 5 ms | |||
 | W97BH6MBVA1I | 6.3973 | | 2642 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 134-vfbga | W97BH6 | SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4B | 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V | 134-vfbga (10x11.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 256-W97BH6MBVA1I | EAR99 | 8542.32.0036 | 168 | 533 MHz | Volante | 2 GBIT | Dracma | 128m x 16 | HSUL_12 | 15ns | ||
 | 11LC160T-I/SN | 0.3750 | | 6994 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | 11LC160 | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 100 kHz | No Volátil | 16 kbits | Eeprom | 2k x 8 | Alambre Único | 5 ms | |||
 | MEM3800-128U256CF-C | 58.7500 | | 9 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-MEM3800-128U256CF-C | EAR99 | 8473.30.9100 | 1 | ||||||||||||||||||
 | 28C64A-20/J | - | | 2187 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | 28C64A | Eeprom | 4.5V ~ 5.5V | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | No Volátil | 64 kbits | 200 ns | Eeprom | 8k x 8 | Paralelo | 1 m | ||||||
| S29JL064J70BHI000 | - | | 9559 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Una granela | Activo | - | 2156-S29JL064J70BHI000 | 1 | |||||||||||||||||||||
 | Fm24c02ulzem8 | 0.3300 | | 1105 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | FM24C02 | Eeprom | 2.7V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 100 kHz | No Volátil | 2 kbits | 3.5 µs | Eeprom | 128 x 16 | I²C | 15 ms | ||
 | IS49NLS96400-33BI | - | | 6163 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 144-TFBGA | IS49NLS96400 | RDRAM 2 | 1.7V ~ 1.9V | 144-FCBGA (11x18.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 104 | 300 MHz | Volante | 576Mbit | 20 ns | Dracma | 64m x 9 | Paralelo | - | ||
 | CY14B101LA-BA45XI | 22.9775 | | 9255 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFBGA | CY14B101 | Nvsram (sram no volátil) | 2.7V ~ 3.6V | 48-FBGA (6x10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 598 | No Volátil | 1 mbit | 45 ns | Nvsram | 128k x 8 | Paralelo | 45ns | |||
| S28HL01GTFPBHM030 | 28.9275 | | 3431 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Semper ™ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-VBGA | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 24-FBGA (8x8) | descascar | 2.600 | 166 MHz | No Volátil | 1 gbit | 6.5 ns | Destello | 128m x 8 | SPI - E/S Octal | 1.7ms | ||||||||
 | MD2147H3 | 10.6700 | | 215 | 0.00000000 | Intel | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C (TC) | A Través del Aguetero | 18-CDIP | Sram - Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 18-CDIP | descascar | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 0000.00.0000 | 1 | Volante | 4 kbits | 55 ns | Sram | 4k x 1 | Paralelo | 55ns | |||||
 | CY7C056V-12AXC | - | | 2809 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 144-LQFP | CY7C056 | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 144-TQFP (20x20) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 60 | Volante | 576 kbit | 12 ns | Sram | 16k x 36 | Paralelo | 12ns | |||
| 24AA08-I/SN | 0.3600 | | 2950 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | 24AA08 | Eeprom | 1.7V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 24aa08isn | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | No Volátil | 8 kbits | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 x 4 | I²C | 5 ms | |
 | S34ML04G100BHA003 | - | | 8345 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Ml-1 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | S34ml04 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 63-BGA (11x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,300 | No Volátil | 4 gbit | Destello | 512m x 8 | Paralelo | 25ns | ||||
 | 71V65703S85BQI8 | 28.5570 | | 4736 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165-TBGA | 71V65703 | Sram - Sincónnico, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3.465V | 165-Cabga (13x15) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | Volante | 9 MBIT | 8.5 ns | Sram | 256k x 36 | Paralelo | - |
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