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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Sic programable | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | TUPO Programable | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AT27BV512-70JU | - |  | 7134 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 32 LCC (J-Lead) | AT27BV512 | EPROM - OTP | 2.7V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V | 32-PLCC (13.97x11.43) | descascar | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1B2 | 8542.32.0061 | 32 | No Volátil | 512 kbit | 70 ns | EPROM | 64k x 8 | Paralelo | - | ||||||
 | 25AA160A-I/W15K | - | | 7247 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Morir | 25AA160 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 10 MHz | No Volátil | 16 kbits | Eeprom | 2k x 8 | SPI | 5 ms | ||||||
 | MT58L256L36PT-10 | 6.0300 | | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | Sram - Estándar | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volante | 8mbit | 5 ns | Sram | 256k x 36 | Paralelo | - | ||||||
| Gd25lq32eqigr | 0.7020 | | 7196 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-Uson (4x4) | descascar | 1970-GD25LQ32EQIGRTR | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 32Mbit | 6 ns | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 60 µs, 2.4 ms | ||||||||||
 | BR24H128F-5ACE2 | 0.9800 | | 426 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | BR24H128 | Eeprom | 1.7V ~ 5.5V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-BR24H128F-5ACE2TR | EAR99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 1 MHz | No Volátil | 128 kbit | Eeprom | 16k x 8 | I²C | 3.5ms | |||||
 | Cy7C1386KV33-200AXC | - | | 9392 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | CY7C1386 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20) | descascar | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2832-cy7c1386kv33-200axc | 1 | 200 MHz | Volante | 18mbit | 3 ns | Sram | 512k x 36 | Paralelo | - | Sin verificado | ||||||
 | XC17S10PD8I | - | | 6282 | 0.00000000 | Amd | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | XC17S10 | Sin verificado | 4.5V ~ 5.5V | 8 pdip | descascar | Rohs no conforme | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0061 | 50 | OTP | 100kb | |||||||||||
| AS4C512M8D4-75BIN | 9.3806 | | 6807 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | AS4C512 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (7.5x10.6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 1450-AS4C512M8D4-75BIN | EAR99 | 8542.32.0036 | 242 | 1.333 GHz | Volante | 4 gbit | 18 ns | Dracma | 512m x 8 | Paralelo | 15ns | ||||
| MT29E512G08CKCCBH7-6: C | - | | 2465 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 152-TBGA | MT29E512G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 152-TBGA (14x18) | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 167 MHz | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | Paralelo | - | |||||||
| EMB4432BBBBJ-DV-FD | - | | 7586 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | EMB4432 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 2,100 | ||||||||||||||||||||
 | CAT25040VE-GT3D | - | | 7056 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | CAT25040 | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-Soico | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 488-CAT25040VE-GT3DTR | Obsoleto | 3.000 | No Volátil | 4 kbits | Eeprom | 512 x 8 | SPI | 5 ms | ||||||||
 | AS4C32M16D2A-25BANTR | 4.0102 | | 9966 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 84-TFBGA | AS4C32 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-TFBGA (8x12.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0028 | 2.500 | 400 MHz | Volante | 512Mbit | 400 ps | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | 15ns | |||||
 | M29W640GL70ZA6E | - | | 7784 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFBGA | M29W640 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 48-TFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.122 | No Volátil | 64 Mbbit | 70 ns | Destello | 8m x 8, 4m x 16 | Paralelo | 70ns | ||||||
 | IS61LF12836A-7.5tqi | - | | 6941 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | IS61LF12836 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.6V | 100-LQFP (14x20) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 117 MHz | Volante | 4.5Mbit | 7.5 ns | Sram | 128k x 36 | Paralelo | - | |||||
 | MT29F2G08ABAEAWP-E: E TR | - | | 6217 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F2G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1,000 | No Volátil | 2 GBIT | Destello | 256m x 8 | Paralelo | - | |||||||
 | Nand512r3a2cza6e | - | | 9739 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-TFBGA | Nand512 | Flash - nand | 1.7V ~ 1.95V | 63-vfbga (9x11) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | -Nand512r3a2cza6e | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | No Volátil | 512Mbit | 50 ns | Destello | 64m x 8 | Paralelo | 50ns | |||||
 | Cy7c1520jv18-300bzxes | - | | 1789 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-cy7c1520jv18-300bzxes-428 | 1 | Sin verificado | |||||||||||||||||||||
 | W25M512JWFIQ TR | 5.6700 | | 4522 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | W25M512 | Flash - Ni | 1.7V ~ 1.95V | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 256-W25M512JWFIQTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 104 MHz | No Volátil | 512Mbit | 7 ns | Destello | 64m x 8 | SPI | 5 ms | ||||
 | BR24H16FJ-5ACE2 | 0.6100 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Eeprom | 1.7V ~ 5.5V | 8-SOP-J | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 1 MHz | No Volátil | 16 kbits | Eeprom | I²C | 3.5ms | ||||||||||
 | 24AA64F-I/P | 0.6100 | | 929 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | 24AA64 | Eeprom | 1.7V ~ 5.5V | 8 pdip | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 60 | 400 kHz | No Volátil | 64 kbits | 900 ns | Eeprom | 8k x 8 | I²C | 5 ms | |||||
 | S29GL064N90BFA043 | - | | 2109 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q100, GL-N | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-vfbga | S29GL064 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 48-FBGA (8.15x6.15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | No Volátil | 64 Mbbit | 90 ns | Destello | 8m x 8, 4m x 16 | Paralelo | 90ns | ||||||
 | EMMC04G-MK27-C01C | 3.4700 | | 1 | 0.00000000 | Kingston | - | Banda | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 153-FBGA | Flash - Nand (MLC) | 1.8V, 3.3V | 153-FBGA (11.5x13x0.8) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 3217-EMMC04G-MK27-C01C | EAR99 | 8542.31.0001 | 1 | No Volátil | 32 GBIT | Destello | 4g x 8 | EMMC | ||||||||
 | CY62167G18-55ZXIT | 19.2500 | | 5915 | 0.00000000 | Infineon Technologies | MOBL® | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | CY62167 | Sram - Asínncrono | 1.65V ~ 2.2V | 48-TSOP I | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | Volante | 16mbit | 55 ns | Sram | 2m x 8, 1m x 16 | Paralelo | 55ns | ||||||
 | 7143SA35PF8 | - | | 8431 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | 7143SA | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 100-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 750 | Volante | 32 kbits | 35 ns | Sram | 2k x 16 | Paralelo | 35ns | ||||||
| MT29GZ5A3BPGGA-53AAT.87K | - | | 5445 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | Mt29gz5 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.260 | ||||||||||||||||||||
 | GE28F160C3BD70A | 3.3600 | | 64 | 0.00000000 | Numónico | - | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | 16mbit | 70 ns | Destello | |||||||||||||||||
| CAT24C01WGI-26704 | - | | 6855 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | CAT24C01 | Eeprom | 1.7V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 400 kHz | No Volátil | 1 kbit | 900 ns | Eeprom | 128 x 8 | I²C | 5 ms | |||||
| S34ML04G100BHV000 | - | | 4107 | 0.00000000 | Skyhigh Memory Limited | - | Banda | Descontinuado en sic | S34ml04 | - | Cumplimiento de Rohs | 3 (168 Horas) | 2120-s34ml04g100bhv000 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | Sin verificado | ||||||||||||||||||
| 7024S35PFI | - | | 8589 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | 7024S35 | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 100-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0041 | 90 | Volante | 64 kbits | 35 ns | Sram | 4k x 16 | Paralelo | 35ns | |||||||
| MEM-DR412L-SL01-LR26-C | 2.0000 | | 3612 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-MEM-DR412L-SL01-LR26-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 |
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