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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AT45DB021E-SHN-B | 1.3400 |  | 21 | 0.00000000 | Adesto tecnologías | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | AT45DB021 | Destello | 1.65V ~ 3.6V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | -AT45DB021E-SHN-B | EAR99 | 8542.32.0071 | 90 | 70 MHz | No Volátil | 2 mbit | Destello | 264 bytes x 1024 Páginas | SPI | 8 µs, 3 ms | |||
 | IDT71P71804S200BQG8 | - | | 3829 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165-TBGA | IDT71P71 | Sram - Síncrono, DDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-Cabga (13x15) | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 71P71804S200BQG8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 200 MHz | Volante | 18mbit | 7.88 ns | Sram | 1m x 18 | Paralelo | - | |||
 | CAT24C32WGI-26756 | 0.2400 | | 1 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | CAT24C32 | Eeprom | 1.7V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 1 MHz | No Volátil | 32 kbits | 400 ns | Eeprom | 4k x 8 | I²C | 5 ms | |||
 | MT40A512M8SA-075: F | 8.3250 | | 5562 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (7.5x11) | descascar | 557-MT40A512M8SA-075: F | 1 | 1.333 GHz | Volante | 4 gbit | 19 ns | Dracma | 512m x 8 | Vana | 15ns | ||||||||
 | CAT28F001G-12T | - | | 9201 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32 LCC (J-Lead) | CAT28F001 | Destello | 4.5V ~ 5.5V | 32-PLCC (11.43x13.97) | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 32 | No Volátil | 1 mbit | 120 ns | Destello | 128k x 8 | Paralelo | 120ns | |||||
 | 93AA86A-I/SN | 0.5600 | | 42 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | 93AA86 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 3 MHz | No Volátil | 16 kbits | Eeprom | 2k x 8 | Microondas | 5 ms | ||||
 | Cy7C1021CV33-8ZXC | - | | 8803 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | CY7C1021 | Sram - Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 44-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 675 | Volante | 1 mbit | 8 ns | Sram | 64k x 16 | Paralelo | 8ns | ||||
| 2406906 | - | | 8272 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | - | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
| S99GL128P0080 | - | | 8924 | 0.00000000 | Infineon Technologies | GL-P | Banda | Obsoleto | - | S99GL128 | Flash - Ni | - | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 8m x 16 | Paralelo | - | ||||||||
 | 70V5388S200BG | - | | 2245 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 272-BBGA | 70v5388 | Sram - Puerto Cuádruple, Sincónnico | 3.15V ~ 3.45V | 272-PBGA (27x27) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 20 | 200 MHz | Volante | 1.125Mbit | 3 ns | Sram | 64k x 18 | Paralelo | - | |||
| 7007L25J | - | | 6318 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 68 LCC (J-Lead) | 7007L25 | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 68-PLCC (24.21x24.21) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 9 | Volante | 256 kbit | 25 ns | Sram | 32k x 8 | Paralelo | 25ns | ||||
 | AT28C010-15pc | - | | 6523 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TC) | A Través del Aguetero | 32-DIP (0.600 ", 15.24 mm) | AT28C010 | Eeprom | 4.5V ~ 5.5V | 32 PDIP | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 12 | No Volátil | 1 mbit | 150 ns | Eeprom | 128k x 8 | Paralelo | 10 ms | ||||
 | M10082040108X0ISAR | 20.3740 | | 8237 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | M10082040108 | Mram (Ram Magnetoresistivo) | 1.71v ~ 2v | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 800-M10082040108X0ISARTR | EAR99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 108 MHz | No Volátil | 8mbit | RAM | 2m x 4 | - | - | ||||
 | 71V416L10PHG8 | 7.5317 | | 6923 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | 71v416l | Sram - Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 44-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.500 | Volante | 4mbit | 10 ns | Sram | 256k x 16 | Paralelo | 10ns | ||||
 | MT29F256G08CKCDBJ5-6R: D TR | - | | 2991 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | - | MT29F256G08 | Flash - Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 132-TBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 167 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | Paralelo | - | |||||
 | AT49BV320-90TI | - | | 4290 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | AT49BV320 | Destello | 2.65V ~ 3.3V | 48-TSOP | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | No Volátil | 32Mbit | 90 ns | Destello | 4m x 8, 2m x 16 | Paralelo | 150 µs | ||||
| S34ML08G201BHA003 | - | | 4008 | 0.00000000 | Skyhigh Memory Limited | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | S34ml08 | - | Cumplimiento de Rohs | 3 (168 Horas) | 2120-S34ML08G201BHA003 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,300 | Sin verificado | ||||||||||||||||
| 527243-006-00 | - | | 5838 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
 | IS46DR81280B-25DBLA2-TR | - | | 3396 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | IS46DR81280 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-TWBGA (8x10.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 400 MHz | Volante | 1 gbit | 400 ps | Dracma | 128m x 8 | Paralelo | 15ns | |||
| 7007L20J | - | | 4020 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 68 LCC (J-Lead) | 7007L20 | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 68-PLCC (24.21x24.21) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 9 | Volante | 256 kbit | 20 ns | Sram | 32k x 8 | Paralelo | 20ns | ||||
 | Cy7C1386B-167BGC | 15.8400 | | 100 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 119-BGA | CY7C1386 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.6V | 119-PBGA (14x22) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 167 MHz | Volante | 18mbit | 3.4 ns | Sram | 512k x 36 | Paralelo | - | |||
 | CY7C1320JV18-300BZXC | 39.2900 | | 394 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C1320 | Sram - Síncrono, DDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (13x15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 8 | 300 MHz | Volante | 18mbit | Sram | 512k x 36 | Paralelo | - | Sin verificado | |||||
 | Cy7C09369V-6AXC | - | | 2895 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | Cy7C09369 | Sram - Puerto Dual, Sincónnico | 3V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 90 | 100 MHz | Volante | 288 kbit | 6.5 ns | Sram | 16k x 18 | Paralelo | - | |||
| Mt25tl512bba8esf-0aat | 14.4100 | | 4 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | MT25TL512 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 16-SOP2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 1.440 | 133 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 64m x 8 | SPI | 8 ms, 2.8 ms | ||||
 | Mx25u803333ebai-12g | 0.8900 | | 6 | 0.00000000 | Macronix | Mxsmio ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-XFBGA, WLCSP | MX25U8033 | Flash - Ni | 1.65V ~ 2V | 8-WLCSP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 6,000 | 80 MHz | No Volátil | 8mbit | Destello | 1m x 8 | SPI - Quad I/O | 30 µs, 3 ms | ||||
 | M24128-BRMN6P | 0.4200 | | 2034 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | M24128 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 MHz | No Volátil | 128 kbit | 450 ns | Eeprom | 16k x 8 | I²C | 5 ms | |||
| Ak6417al | - | | 3449 | 0.00000000 | Asahi Kasei Microdevices/AKM | - | Banda | Obsoleto | - | - | - | - | - | - | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | |||||||||
| LE25S161FDS02TWG | - | | 3966 | 0.00000000 | onde | - | Una granela | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 488-le25S161FDS02TWG | Obsoleto | 1 | |||||||||||||||||||
 | 24AA256-E/MS | 1.2800 | | 3697 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) | 24AA256 | Eeprom | 1.7V ~ 5.5V | 8-MSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | No Volátil | 256 kbit | 900 ns | Eeprom | 32k x 8 | I²C | 5 ms | |||
 | 25AA040/P | 0.7950 | | 6417 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | 25AA040 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | 8 pdip | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 25AA040/P-NDR | EAR99 | 8542.32.0051 | 60 | 1 MHz | No Volátil | 4 kbits | Eeprom | 512 x 8 | SPI | 5 ms |
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