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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29F32G08CBADBWPR: D TR | - |  | 1784 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F32G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | MT29F32G08CBADBWPR: DTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 32 GBIT | Destello | 4g x 8 | Paralelo | - | ||||
 | W971GG6SB-25 | - | | 9076 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 84-TFBGA | W971GG6 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-WBGA (8x12.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 209 | 200 MHz | Volante | 1 gbit | 400 ps | Dracma | 64m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
 | S99JL032J0160 | - | | 1556 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||
 | IS49NLC18160-33B | - | | 1608 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 144-TFBGA | IS49NLC18160 | RDRAM 2 | 1.7V ~ 1.9V | 144-FCBGA (11x18.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0028 | 104 | 300 MHz | Volante | 288Mbit | 20 ns | Dracma | 16m x 18 | Paralelo | - | ||
 | A5272865-C | 27.5000 | | 5024 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-A5272865-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
| 24aa00/s | - | | 8218 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | Morir | 24aa00 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 400 kHz | No Volátil | De 128 bits | 3500 ns | Eeprom | 16 x 8 | I²C | 4ms | ||
 | 71V3577S65PFG8 | 6.6800 | | 6241 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | 71v3577 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 133 MHz | Volante | 4.5Mbit | 6.5 ns | Sram | 128k x 36 | Paralelo | - | ||
| S34SL02G200BHI000 | - | | 4645 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | SL-2 | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | S34SL02 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 63-BGA (11x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | No Volátil | 2 GBIT | 25 ns | Destello | 256m x 8 | Paralelo | - | |||
 | Cyd09S72V18-200BGXI | - | | 8072 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 484-FBGA | Cyd09S72 | Sram - Puerto Dual, Sincónnico | 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V | 484-PBGA (27x27) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 60 | 200 MHz | Volante | 9 MBIT | 3.3 ns | Sram | 128k x 72 | Paralelo | - | ||
 | M24C02-FDW6TP | 0.1800 | | 15 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | M24C02 | Eeprom | 1.7V ~ 5.5V | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 4.000 | 400 kHz | No Volátil | 2 kbits | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 | I²C | 5 ms | ||
 | MX29LV400CTTC-55Q | - | | 6969 | 0.00000000 | Macronix | Mx29lv | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | Mx29lv400 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 96 | No Volátil | 4mbit | 55 ns | Destello | 512k x 8 | Paralelo | 55ns | |||
 | AT45DB041E-SSHN-B | 1.4500 | | 1 | 0.00000000 | Adesto tecnologías | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | AT45DB041 | Destello | 1.65V ~ 3.6V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1265-1067-5 | EAR99 | 8542.32.0071 | 98 | 85 MHz | No Volátil | 4mbit | Destello | 264 bytes x 2048 Páginas | SPI | 8 µs, 3 ms | ||
 | S25FS512SAGMFB013 | 10.5875 | | 2589 | 0.00000000 | Infineon Technologies | FS-S | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | S25FS512 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.450 | 133 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 64m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 2 ms | |||
 | MT40A1G8WE-083E AAT: B | - | | 2286 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT40A1G8 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (8x12) | descascar | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.900 | 1.2 GHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 1g x 8 | Paralelo | - | |||||
 | MT28EW256ABA1LPC-1SIT TR | - | | 1201 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | MT28EW256 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 64 LBGA (11x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.600 | No Volátil | 256Mbit | 75 ns | Destello | 32m x 8, 16m x 16 | Paralelo | 60ns | ||||
 | 71v424l15phgi | 8.4001 | | 3355 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | 71v424 | Sram - Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 44-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 26 | Volante | 4mbit | 15 ns | Sram | 512k x 8 | Paralelo | 15ns | |||
 | MT41K256M16TW-107 AUT: P | 8.4000 | | 8947 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT41K256M16 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (9x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.368 | 933 MHz | Volante | 4 gbit | 20 ns | Dracma | 256m x 16 | Paralelo | - | ||
 | FM18W08-SGTR | 13.9200 | | 2 | 0.00000000 | Infineon Technologies | F-RAM ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 28-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | FM18W08 | Fram (Carnero Ferroeléctrico) | 2.7V ~ 5.5V | 28-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 256 kbit | Fram | 32k x 8 | Paralelo | 130ns | ||||
 | IS43R16800E-5TLI-TR | 2.4388 | | 1681 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | IS43R16800 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.500 | 200 MHz | Volante | 128 Mbbit | 700 PS | Dracma | 8m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
 | 70V7519S133BF | 215.1129 | | 7310 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 208-LFBGA | 70V7519 | Sram - Puerto Dual, Sincónnico | 3.15V ~ 3.45V | 208-Cabga (15x15) | descascar | Rohs no conforme | 4 (72 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 7 | 133 MHz | Volante | 9 MBIT | 4.2 ns | Sram | 256k x 36 | Paralelo | - | ||
 | 7027L20pfi | - | | 4006 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | 7027L20 | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 100-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 6 | Volante | 512 kbit | 20 ns | Sram | 32k x 16 | Paralelo | 20ns | |||
| S99GL01GS0050 | - | | 3144 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||
 | R1LV0216BSB-5SI#B1 | 3.0700 | | 2817 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | R1LV0216 | Sram | 2.7V ~ 3.6V | 44-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | -1161-R1LV0216BSB-5SI#B1 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | Volante | 2 mbit | 55 ns | Sram | 128k x 16 | Paralelo | 55ns | ||
| Me619gxeleg3s | 72.2000 | | 7129 | 0.00000000 | Silicon Motion, Inc. | - | Una granela | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 1984-me619gxeleg3s | 1 | ||||||||||||||||||||
 | 71016S20yg | - | | 1528 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-BSOJ (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | 71016s | Sram - Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 44-SOJ | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 16 | Volante | 1 mbit | 20 ns | Sram | 64k x 16 | Paralelo | 20ns | |||
 | MT29F2G01AAAEDH4-ITX: E | - | | 4254 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F2G01 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 63-vfbga (9x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.260 | No Volátil | 2 GBIT | Destello | 2G x 1 | SPI | - | ||||
 | GD25LQ40CEIGR | - | | 6319 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xfdfn almohadilla exposición | GD25LQ40 | Flash - Ni | 1.65V ~ 2.1V | 8-USON (2x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | No Volátil | 4mbit | Destello | 512k x 8 | SPI - Quad I/O | 50 µs, 2.4 ms | |||
 | AT25256B-MAHL-T | 1.2600 | | 9537 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-Ufdfn Padera Expunesta | AT25256 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | 8-udfn (2x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 20 MHz | No Volátil | 256 kbit | Eeprom | 32k x 8 | SPI | 5 ms | |||
 | MT29F256G08AUEDBJ6-12: D | - | | 9738 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132 lbGa | MT29F256G08 | Flash - Nand (SLC) | 2.5V ~ 3.6V | 132-lbga (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.120 | 83 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | Paralelo | - | |||
 | LE25U40PCMC-AH | - | | 8504 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | LE25U40 | Destello | 2.3V ~ 3.6V | 8-SOIC/SOPJ | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 30 MHz | No Volátil | 4mbit | Destello | 512k x 8 | SPI | 5 ms |
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