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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de funciones | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT44K16M36RB-125: A | - |  | 4497 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 168-TBGA | MT44K16M36 | Dracma | 1.28V ~ 1.42V | 168-BGA (13.5x13.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.190 | 800 MHz | Volante | 576Mbit | 12 ns | Dracma | 16m x 36 | Paralelo | - | |||
 | 71V67603S166BQG8 | 32.2143 | | 4909 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165-TBGA | 71v67603 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 165-Cabga (13x15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 166 MHz | Volante | 9 MBIT | 3.5 ns | Sram | 256k x 36 | Paralelo | - | |||
 | CY7C1270V18-375BZXC | - | | 3168 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C1270 | Sram - Síncrono, DDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (15x17) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 375 MHz | Volante | 36 mbit | Sram | 1m x 36 | Paralelo | - | ||||
 | NDS66PBA-20IT TR | 2.6821 | | 8931 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 1982-NDS66PBA-20ITTR | 2.500 | ||||||||||||||||||||
 | CAT24WC02L | - | | 4288 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | CAT24WC02 | Eeprom | 2.5V ~ 6V | 8 pdip | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 400 kHz | No Volátil | 2 kbits | 3.5 µs | Eeprom | 256 x 8 | I²C | 10 ms | |||
| 71V67903S75BQI8 | 28.5570 | | 6882 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165-TBGA | 71v67903 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 165-Cabga (13x15) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 117 MHz | Volante | 9 MBIT | 7.5 ns | Sram | 512k x 18 | Paralelo | - | |||
 | CY7C1354CV25-166BZCT | 14.1050 | | 9610 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Nobl ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C1354 | Sram - Sincónnico, SDR | 2.375V ~ 2.625V | 165-FBGA (13x15) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 166 MHz | Volante | 9 MBIT | 3.5 ns | Sram | 256k x 36 | Paralelo | - | |||
 | 70V9079S12PF8 | - | | 1853 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | 70V9079 | Sram - Puerto Dual, Sincónnico | 3V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 750 | Volante | 256 kbit | 12 ns | Sram | 32k x 8 | Paralelo | - | ||||
| 24AA256-I/WF16K | - | | 4126 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Morir | 24AA256 | Eeprom | 1.7V ~ 5.5V | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 400 kHz | No Volátil | 256 kbit | 900 ns | Eeprom | 32k x 8 | I²C | 5 ms | |||
 | Cy7c1371kve33-100axi | 28.9000 | | 57 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Nobl ™ | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | CY7C1371 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20) | descascar | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 2156-cy7c1371kve33-100axi | 11 | 100 MHz | Volante | 18mbit | 8.5 ns | Sram | 512k x 36 | Paralelo | - | Sin verificado | ||||
 | CY7C1514AV18-167BZXC | - | | 5059 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C1514 | Sram - Sincónnico, QDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (15x17) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 167 MHz | Volante | 72Mbit | Sram | 2m x 36 | Paralelo | - | ||||
 | 70V631S15PRF8 | - | | 2063 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 128-LQFP | 70V631 | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 3.15V ~ 3.45V | 128-TQFP (14x20) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | Volante | 4.5Mbit | 15 ns | Sram | 256k x 18 | Paralelo | 15ns | ||||
 | MT58L256L32PT-6 | 8.9300 | | 844 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | Sram - Estándar | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | Volante | 8mbit | 3.5 ns | Sram | 256k x 32 | Paralelo | - | ||||
 | Mtfc32gapalna-aat es tr | - | | 4815 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 TBGA | Mtfc32g | Flash - nand | - | 100 TBGA (14x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | MMC | - | |||||
| MT41J256M16HA-093: E | - | | 1624 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT41J256M16 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-FBGA (9x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.066 GHz | Volante | 4 gbit | 20 ns | Dracma | 256m x 16 | Paralelo | - | |||
 | Cy7c1471v25-133axc | - | | 6579 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Nobl ™ | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | CY7C1471 | Sram - Sincónnico, SDR | 2.375V ~ 2.625V | 100-TQFP (14x20) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 133 MHz | Volante | 72Mbit | 6.5 ns | Sram | 2m x 36 | Paralelo | - | |||
 | S29AL008J70TFM020 | - | | 1914 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Al-J | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | S29al008 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 96 | No Volátil | 8mbit | 70 ns | Destello | 1m x 8, 512k x 16 | Paralelo | 70ns | ||||
| IS43LD16128C-25BLI-TR | - | | 6441 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 134-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 | 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V | 134-TFBGA (10x11.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43LD16128C-25BLI-TR | 2,000 | 400 MHz | Volante | 2 GBIT | 5.5 ns | Dracma | 128m x 16 | HSUL_12 | 15ns | ||||||
 | AT24C128C-MAHM-E | 0.5700 | | 9783 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-Ufdfn Padera Expunesta | AT24C128C | Eeprom | 1.7V ~ 5.5V | 8-udfn (2x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 15,000 | 1 MHz | No Volátil | 128 kbit | 550 ns | Eeprom | 16k x 8 | I²C | 5 ms | |||
 | AS1C512K16P-70BIN | 3.7800 | | 1 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-vfbga | AS1C512 | Psram (pseudo sram) | 2.6V ~ 3.3V | 48-FBGA (6x7) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 1450-1474 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 364 | Volante | 8mbit | 70 ns | Psram | 512k x 16 | Paralelo | 70ns | |||
 | S34ml08g101tfi000 | - | | 7182 | 0.00000000 | Extensión | Ml-1 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | S34ml08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | descascar | 0000.00.0000 | 1 | No Volátil | 8 gbit | Destello | 1g x 8 | Paralelo | 25ns | |||||||||
 | 93AA66C-I/SN | 0.3600 | | 5 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | 93AA66 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 3 MHz | No Volátil | 4 kbits | Eeprom | 512 x 8, 256 x 16 | Microondas | 6 ms | ||||
 | CY62147G30-55BVXE | 9.3975 | | 7721 | 0.00000000 | Infineon Technologies | MOBL® | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-vfbga | CY62147 | Sram - Asínncrono | 2.2V ~ 3.6V | 48-vfbga (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Volante | 4mbit | 55 ns | Sram | 256k x 16 | Paralelo | 55ns | ||||
 | S-93C56BD0I-T8T1G | 0.2609 | | 6802 | 0.00000000 | ABLIC Inc. | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | 93C56B | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | 8-TSOP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.32.0051 | 3.000 | 2 MHz | No Volátil | 2 kbits | Eeprom | 128 x 16 | Microondas | 8ms | |||||
 | IS45S32200E-7BLA1 | - | | 4885 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-TFBGA | IS45S32200 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 90-TFBGA (8x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 240 | 143 MHz | Volante | 64 Mbbit | 5.5 ns | Dracma | 2m x 32 | Paralelo | - | |||
 | 27S13pc | 19.9900 | | 1 | 0.00000000 | Rochester Electronics, LLC | - | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | ||||||||||||||||||
| IDT71V3578S150PF | - | | 2179 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | IDT71V3578 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 71V3578S150PF | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 150 MHz | Volante | 4.5Mbit | 3.8 ns | Sram | 256k x 18 | Paralelo | - | ||
 | N25Q128A13EF840F TR | - | | 8622 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-vdfn | N25Q128A13 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-VDFPN (MLP8) (8x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4.000 | 108 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 32m x 4 | SPI | 8 ms, 5 ms | ||||
| AS25F1128MQ-70SIN | 2.8600 | | 288 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | Flash - Ni | 1.65V ~ 1.95V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 1450-AS25F1128MQ-70SIN | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 300 | 133 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | 6 ns | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 150 µs, 5 ms | ||||
 | IS25WQ040-JNLE-TR | - | | 2272 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | IS25WQ040 | Flash - Ni | 1.65V ~ 1.95V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | No Volátil | 4mbit | Destello | 512k x 8 | SPI | 1 m |
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