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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de funciones | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Sic programable | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | TUPO Programable | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | B4U35AT-C | 17.5000 |  | 6462 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-B4U35AT-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||||
| PAL16H2AJ/883 | 8.3400 | | 226 | 0.00000000 | Semiconductor nacional | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | AT24C32A-10TU-2.7 | - | | 8246 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | AT24C32 | Eeprom | 2.7V ~ 5.5V | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | No Volátil | 32 kbits | 900 ns | Eeprom | 4k x 8 | I²C | 5 ms | ||||
 | MT48LC4M32B2P-6: G TR | - | | 4137 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | MT48LC4M32B2 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 86-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 167 MHz | Volante | 128 Mbbit | 5.5 ns | Dracma | 4m x 32 | Paralelo | 12ns | ||||
 | IDT71V67602S166BG8 | - | | 1839 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 119-BGA | IDT71V67602 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 119-PBGA (14x22) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 71V67602S166BG8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 166 MHz | Volante | 9 MBIT | 3.5 ns | Sram | 256k x 36 | Paralelo | - | |||
 | XC18V512PC20C | - | | 9745 | 0.00000000 | Amd | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C | Montaje en superficie | 20 LCC (J-Lead) | XC18V512 | Sin verificado | 3V ~ 3.6V | 20-PLCC (9x9) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1B2 | 8542.32.0071 | 46 | En el sistema programable | 512kb | ||||||||||
| M27C4002-15F1 | - | | 7536 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | A Través del Aguetero | Ventana de 40 CDIP (0.600 ", 15.24 mm) | M27C4002 | EPROM - UV | 4.5V ~ 5.5V | Sello Frito de 40 CDIP Con Ventana | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 8542.32.0061 | 9 | No Volátil | 4mbit | 150 ns | EPROM | 256k x 16 | Paralelo | - | |||||
 | SST39SF020A-70-4C-NHE-T | 2.4300 | | 1168 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | SST39 MPF ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32 LCC (J-Lead) | SST39SF020 | Destello | 4.5V ~ 5.5V | 32-PLCC (11.43x13.97) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 750 | No Volátil | 2 mbit | 70 ns | Destello | 256k x 8 | Paralelo | 20 µs | |||||
 | IS43LD32320A-25BLI | - | | 7042 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 134-TFBGA | IS43LD32320 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1.14V ~ 1.95V | 134-TFBGA (10x11.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-1357 | EAR99 | 8542.32.0002 | 171 | 400 MHz | Volante | 1 gbit | Dracma | 32m x 32 | Paralelo | 15ns | ||||
 | AT49F1024-70VC | - | | 8820 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TC) | Montaje en superficie | 40-TFSOP (0.488 ", Ancho de 12.40 mm) | AT49F1024 | Destello | 4.5V ~ 5.5V | 40-VSOP | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | AT49F102470VC | EAR99 | 8542.32.0071 | 160 | No Volátil | 1 mbit | 70 ns | Destello | 64k x 16 | Paralelo | 50 µs | ||||
 | AT24C08-10PI-2.7 | - | | 6869 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | AT24C08 | Eeprom | 2.7V ~ 5.5V | 8 pdip | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 50 | 400 kHz | No Volátil | 8 kbits | 900 ns | Eeprom | 1k x 8 | I²C | 5 ms | ||||
 | MT29E1T208ECHBBJ4-3: B | - | | 1986 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132-VBGA | MT29E1T208 | Flash - nand | 2.5V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.120 | No Volátil | 1.125tbit | Destello | 144g x 8 | Paralelo | - | ||||||||
| MF621G/AC | 68.7500 | | 7158 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-MF621G/AC | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | Mx30uf4g28ab-ti | 6.6900 | | 4001 | 0.00000000 | Macronix | Mx30uf | Banda | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | Mx30uf4 | Flash - Nand (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | 48-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 1092-1160 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | No Volátil | 4 gbit | 25 ns | Destello | 512m x 8 | Paralelo | 25ns | ||||
 | AS6C6416-55BIN | 32.3500 | | 90 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-lfbga | AS6C6416 | Sram - Asínncrono | 2.7V ~ 3.6V | 48-TFBGA (8x10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 220 | Volante | 64 Mbbit | 55 ns | Sram | 4m x 16 | Paralelo | 55ns | |||||
 | IS62WV10248BLL-55BLI-TR | 6.1800 | | 5950 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFBGA | IS62WV10248 | Sram - Asínncrono | 2.5V ~ 3.6V | 48-minibga (7.2x8.7) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.500 | Volante | 8mbit | 55 ns | Sram | 1m x 8 | Paralelo | 55ns | |||||
| Cg5143Aft | - | | 8657 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 1,000 | |||||||||||||||||||||
| P19250-001-C | 745.0000 | | 6786 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-P19250-001-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | Cav25256ve-gt3 | 1.3600 | | 9651 | 0.00000000 | onde | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Cav25256 | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3.000 | 10 MHz | No Volátil | 256 kbit | Eeprom | 32k x 8 | SPI | 5 ms | |||||
| P03053-1A1-C | 745.0000 | | 3266 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-P03053-1A1-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | CY7C1512KV18-200BZXC | - | | 2277 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C1512 | Sram - Sincónnico, QDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (13x15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | -CY7C1512KV18-200BZXC | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 200 MHz | Volante | 72Mbit | Sram | 4m x 18 | Paralelo | - | ||||
 | IS25LP256D-RHLE | 5.0200 | | 8 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | IS25LP256 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 24-TFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 800 µs | |||||
| S25FL164K0XBHI030Y | 1.6600 | | 181 | 0.00000000 | Extensión | FL1-K | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | S25FL164 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 24-BGA (8x6) | descascar | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 108 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O | 3 ms | |||||
 | Cydmx128b16-65bvxi | - | | 9100 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100-vfbga | Cydmx | SRAM - Puerto Dual, Mob | 1.8v ~ 3.3V | 100-vfbga (6x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 429 | Volante | 128 kbit | 65 ns | Sram | 8k x 16 | Paralelo | 65ns | |||||
 | DS2432P-W0F+1 | - | | 2541 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 6-SMD, J-Lead | DS2432 | Eeprom | 2.8V ~ 5.25V | 6-TSOC | - | ROHS3 Cumplante | 175-DS2432P-W0F+1 | Obsoleto | 1 | No Volátil | 1 kbit | 2 µs | Eeprom | 1k x 1 | 1 Alambre® | 10 ms | |||||||
 | IS61WV51232BLL-10BLI-TR | 18.5250 | | 3872 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-TFBGA | IS61WV51232 | Sram - Asínncrono | 1.65V ~ 3.6V | 90-TFBGA (8x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.500 | Volante | 16mbit | 10 ns | Sram | 512k x 32 | Paralelo | 10ns | |||||
| IS46TR16256B-107MBLA1-TR | 8.0897 | | 1850 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-TWBGA (9x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS46TR16256B-107MBLA1-TR | 1.500 | 933 MHz | Volante | 4 gbit | 20 ns | Dracma | 256m x 16 | Paralelo | 15ns | |||||||
| DS243333X-S#TW | - | | 7966 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 6-xbga, fcbga | DS2433 | Eeprom | 2.8V ~ 6V | 6-Flipchip (2.82x2.54) | descascar | ROHS3 Cumplante | 175-DS243333X-S#TWTR | Obsoleto | 2.500 | No Volátil | 4 kbits | 2 µs | Eeprom | 256 x 16 | 1 Alambre® | - | |||||||
| MT29E1HT08EMHBBJ4-3: B | - | | 9608 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132-VBGA | MT29E1HT08 | Flash - nand | 2.5V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.120 | No Volátil | 1.5tbit | Destello | 192G x 8 | Paralelo | - | ||||||||
 | W631GG6MB11i | - | | 8444 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-vfbga | W631GG6 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-vfbga (7.5x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 198 | 933 MHz | Volante | 1 gbit | 20 ns | Dracma | 64m x 16 | Paralelo | - |
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