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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT46V64M4FG-6: G TR | - |  | 3070 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-FBGA | Mt46v64m4 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 60-FBGA (8x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | Volante | 256Mbit | 700 PS | Dracma | 64m x 4 | Paralelo | 15ns | ||
 | W25x16avdaiz | - | | 1218 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | W25X16 | Destello | 2.7V ~ 3.6V | 8 pdip | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 50 | 75 MHz | No Volátil | 16mbit | Destello | 2m x 8 | SPI | 3 ms | |||
 | M48Z512AV-85PM1 | - | | 6936 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | A Través del Aguetero | Módulo de 32 DIPAS (0.600 ", 15.24 mm) | M48Z512 | Nvsram (sram no volátil) | 3V ~ 3.6V | Módulo 32-pmdip | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 72 | No Volátil | 4mbit | 85 ns | Nvsram | 512k x 8 | Paralelo | 85ns | |||
 | W66cq2nquagj tr | 6.6300 | | 3565 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | W66CQ2 | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-WFBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 256-W66CQ2NQUAGJTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.500 | 1.866 GHz | Volante | 4 gbit | 3.5 ns | Dracma | 128m x 32 | Lvstl_11 | 18ns | |
 | M29W320DT70N6E | - | | 8390 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | M29W320 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | -M29W320DT70N6E | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | No Volátil | 32Mbit | 70 ns | Destello | 4m x 8, 2m x 16 | Paralelo | 70ns | ||
 | W9725G6KB25i TR | 2.2334 | | 9417 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 84-TFBGA | W9725G6 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-WBGA (8x12.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 400 MHz | Volante | 256Mbit | 400 ps | Dracma | 16m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
 | W25Q32FVZPJQ TR | - | | 4291 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | W25Q32 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | W25q32fvzpjqtr | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 104 MHz | No Volátil | 32Mbit | Destello | 4m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 50 µs, 3 ms | ||
 | MT28F320J3FS-11 MET TR | - | | 2301 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64-FBGA | MT28F320J3 | Destello | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (10x13) | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 32Mbit | 110 ns | Destello | 4m x 8, 2m x 16 | Paralelo | - | |||
 | S29AS008J70BFA040 | 1.8700 | | 1 | 0.00000000 | Extensión | As-j | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-vfbga | S29AS008 | Flash - Ni | 1.65V ~ 1.95V | 48-FBGA (8.15x6.15) | descascar | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | No Volátil | 8mbit | 70 ns | Destello | 1m x 8, 512k x 16 | Paralelo | 70ns | |||
 | 23LC1024T-I/SN | 2.6600 | | 34 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | 23LC1024 | Sram | 2.5V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 3,300 | 20 MHz | Volante | 1 mbit | Sram | 128k x 8 | SPI - Quad I/O | - | |||
 | M25PX80-VMP6TGAD TR | - | | 2191 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-vdfn | M25PX80 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 8-vfqfpn (6x5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 4.000 | 75 MHz | No Volátil | 8mbit | Destello | 1m x 8 | SPI | 15 ms, 5 ms | ||||
 | MT44K16M36RB-093E IT: B | 66.1650 | | 5044 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 168-TBGA | MT44K16M36 | Dracma | 1.28V ~ 1.42V | 168-BGA (13.5x13.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 1.190 | 1.066 GHz | Volante | 576Mbit | 8 ns | Dracma | 16m x 36 | Paralelo | - | ||
 | 7025S15J8 | - | | 3364 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 84-LCC (J-LEAD) | 7025S15 | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 84-PLCC (29.31x29.31) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 200 | Volante | 128 kbit | 15 ns | Sram | 8k x 16 | Paralelo | 15ns | |||
| 24C02C-E/SN | 0.4400 | | 1715 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | 24C02C | Eeprom | 4.5V ~ 5.5V | 8-Soico | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 100 kHz | No Volátil | 2 kbits | 3.5 µs | Eeprom | 256 x 8 | I²C | 1.5ms | ||
 | IS61LPS204836B-166TQLI-TR | 98.0000 | | 8608 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | IS61LPS204836 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 100-LQFP (14x20) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 166 MHz | Volante | 72Mbit | 3.8 ns | Sram | 2m x 36 | Paralelo | - | ||
 | AT27LV256A-90RC | - | | 1217 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TC) | Montaje en superficie | 28-SOICO (0.342 ", 8.69 mm de ancho) | AT27LV256 | EPROM - OTP | 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V | 28-soico | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | AT27LV256A90RC | EAR99 | 8542.32.0061 | 26 | No Volátil | 256 kbit | 90 ns | EPROM | 32k x 8 | Paralelo | - | ||
 | MT29F4G08ABBDAHC: D TR | - | | 6680 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F4G08 | Flash - nand | 1.7V ~ 1.95V | 63-vfbga (10.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 4 gbit | Destello | 512m x 8 | Paralelo | - | ||||
 | 24AA64-I/MS | 0.5700 | | 2949 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) | 24AA64 | Eeprom | 1.7V ~ 5.5V | 8-MSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | No Volátil | 64 kbits | 900 ns | Eeprom | 8k x 8 | I²C | 5 ms | ||
 | Cy7c144e-15jxi | - | | 2131 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 68 LCC (J-Lead) | CY7C144 | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 68-PLCC (24.23x24.23) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 36 | Volante | 64 kbits | 15 ns | Sram | 8k x 8 | Paralelo | 15ns | |||
 | S25FL128SAGMFIR01 | 5.8100 | | 4223 | 0.00000000 | Infineon Technologies | FL-S | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | S25FL128 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 47 | 133 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O | - | |||
 | AS4C64M8D3-12BCN | 5.6200 | | 1 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TA) | Montaje en superficie | 78-vfbga | AS4C64 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 78-FBGA (8x10.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 1450-1429 | EAR99 | 8542.32.0028 | 242 | 800 MHz | Volante | 512Mbit | 20 ns | Dracma | 64m x 8 | Paralelo | ||
 | JS28F128P30T85A | - | | 6908 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | JS28F128P30 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 56-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 40 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | 85 ns | Destello | 8m x 16 | Paralelo | 85ns | ||
 | MT58L1MY18DT-10 | 18.9400 | | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | Sram - Estándar | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x20.1) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volante | 18mbit | 5 ns | Sram | 1m x 18 | Paralelo | - | |||
 | GS8640Z18GT-300I | 190.6200 | | 15 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | GS8640Z | Sram - Sincónnico, ZBT | 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V | 100-TQFP (20x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 2364-GS8640Z18GT-300I | EAR99 | 8542.32.0041 | 18 | 300 MHz | Volante | 72Mbit | Sram | 4m x 18 | Paralelo | - | ||
| 24LC02BT-I/SN | 0.3300 | | 5800 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | 24lc02 | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 400 kHz | No Volátil | 2 kbits | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 | I²C | 5 ms | ||
| 11AA020T-I/SN | 0.3150 | | 8182 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | 11AA020 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 100 kHz | No Volátil | 2 kbits | Eeprom | 256 x 8 | Alambre Único | 5 ms | |||
| AT24C02A-10PU-1.8 | - | | 9010 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | AT24C02 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | 8 pdip | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 50 | 400 kHz | No Volátil | 2 kbits | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 | I²C | 5 ms | ||
 | AT49BV001-90VI | - | | 1938 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 32-TFSOP (0.488 ", Ancho de 12.40 mm) | AT49BV001 | Destello | 2.7V ~ 3.6V | 32-VSOP | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | AT49BV00190VI | EAR99 | 8542.32.0071 | 208 | No Volátil | 1 mbit | 90 ns | Destello | 128k x 8 | Paralelo | 50 µs | ||
 | MT29F1T08CQCCBG2-6C: C | - | | 7846 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 272-LFBGA | MT29F1T08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 272-LFBGA (14x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 167 MHz | No Volátil | 1Tbit | Destello | 128g x 8 | Paralelo | - | ||||
| AT27LV256A-55RU | - | | 1260 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 28-SOICO (0.342 ", 8.69 mm de ancho) | AT27LV256 | EPROM - OTP | 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V | 28-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0061 | 26 | No Volátil | 256 kbit | 55 ns | EPROM | 32k x 8 | Paralelo | - |
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