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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CY62146ElL-45ZSXA | 7.7400 |  | 7 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MOBL® | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | CY62146 | Sram - Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 44-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 39 | Volante | 4mbit | 45 ns | Sram | 256k x 16 | Paralelo | 45ns | Sin verificado | |||||
 | MCX3CD721-C | 110.0000 | | 1937 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-MCX3CD721-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | Cy7C09199V-6AXC | - | | 1554 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | CY7C09199 | Sram - Puerto Dual, Sincónnico | 3V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 90 | 100 MHz | Volante | 1.152Mbit | 6.5 ns | Sram | 128k x 9 | Paralelo | - | |||
 | 93AA66X/SN | 0.7050 | | 1637 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | 93AA66 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 93AA66X/SN-NDR | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 2 MHz | No Volátil | 4 kbits | Eeprom | 512 x 8, 256 x 16 | Microondas | 10 ms | |||
 | AT93C86A-10SI-2.7 | - | | 6120 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | AT93C86A | Eeprom | 2.7V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 2 MHz | No Volátil | 16 kbits | Eeprom | 2k x 8, 1k x 16 | Serie de 3 Hilos | 10 ms | ||||
| 7024S15JI8 | - | | 6283 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 84-LCC (J-LEAD) | 7024S15 | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 84-PLCC (29.31x29.31) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0041 | 200 | Volante | 64 kbits | 15 ns | Sram | 4k x 16 | Paralelo | 15ns | |||||
| 70V07S55J | - | | 5480 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 68 LCC (J-Lead) | 70V07S | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 68-PLCC (24.21x24.21) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 18 | Volante | 256 kbit | 55 ns | Sram | 32k x 8 | Paralelo | 55ns | ||||
 | IDT71V3557SA80BQI | - | | 2424 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165-TBGA | IDT71V3557 | Sram - Sincónnico, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3.465V | 165-Cabga (13x15) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 71V3557SA80BQI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | Volante | 4.5Mbit | 8 ns | Sram | 128k x 36 | Paralelo | - | |||
| 25C160/SN | 1.1800 | | 4842 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | 25C160 | Eeprom | 4.5V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 3 MHz | No Volátil | 16 kbits | Eeprom | 2k x 8 | SPI | 5 ms | ||||
| MT29F512G08CKCABK7-6: A TR | - | | 8439 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | - | - | MT29F512G08 | Flash - Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 166 MHz | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | Paralelo | - | ||||
 | MT29F4G08ABBDAH4-ITX: D | - | | 2212 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F4G08 | Flash - nand | 1.7V ~ 1.95V | 63-vfbga (9x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.260 | No Volátil | 4 gbit | Destello | 512m x 8 | Paralelo | - | |||||
 | 70V27S35PF | - | | 6479 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | 70V27S | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 6 | Volante | 512 kbit | 35 ns | Sram | 32k x 16 | Paralelo | 35ns | ||||
| IDT71V65803S100PFI | - | | 4285 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | IDT71V65803 | Sram - Sincónnico, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 71V65803S100PFI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 100 MHz | Volante | 9 MBIT | 5 ns | Sram | 512k x 18 | Paralelo | - | ||
 | 11AA020-I/A | 0.3300 | | 9665 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 11AA020 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 1,000 | 100 kHz | No Volátil | 2 kbits | Eeprom | 256 x 8 | Alambre Único | 5 ms | ||||
 | M58LW064D110ZA6 | - | | 2611 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64-TBGA | M58LW064 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 64-TBGA (10x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | No Volátil | 64 Mbbit | 110 ns | Destello | 8m x 8, 4m x 16 | Paralelo | - | ||||
 | CY7C12501KV18-400BZC | - | | 1284 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C12501 | Sram - Síncrono, DDR II+ | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (13x15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 400 MHz | Volante | 36 mbit | Sram | 1m x 36 | Paralelo | - | ||||
 | AS6C8016A-55ZINTR | - | | 8233 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | AS6C8016 | Sram - Asínncrono | 2.7V ~ 3.6V | 44-TSOP2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | Volante | 8mbit | 55 ns | Sram | 512k x 16 | Paralelo | 55ns | ||||
 | Mtfc64gjvdn-3m wt tr | - | | 5879 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 169-LFBGA | MTFC64 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 169-LFBGA (14x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | MMC | - | ||||||
 | IS25LP128-JBLE | 2.3600 | | 5 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | IS25LP128 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-1341 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 133 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 1 m | |||
 | 71V3556SA166BG8 | 10.3373 | | 9512 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 119-BGA | 71V3556 | Sram - Sincónnico, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3.465V | 119-PBGA (14x22) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 166 MHz | Volante | 4.5Mbit | 3.5 ns | Sram | 128k x 36 | Paralelo | - | |||
 | Mt25ql256aba8esf-0sit | 5.9500 | | 7 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | MT25QL256 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 16-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.440 | 133 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI | 8 ms, 2.8 ms | ||||
| CY7C1512TV18-250BZXC | - | | 4992 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Bolsa | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C1512 | Sram - Sincónnico, QDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (13x15) | - | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 250 MHz | Volante | 72Mbit | Sram | 4m x 18 | Paralelo | - | ||||
| S29GL512N11TFIV20 | 25.2200 | | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | GL-N | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | S29GL512 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 56-TSOP | - | Rohs no conforme | No Aplicable | Vendedor indefinido | 2832-S29GL512N11TFIV20 | 3A991A2 | 8542.32.0050 | 20 | No Volátil | 512Mbit | 110 ns | Destello | 32m x 16, 64m x 8 | CFI | 110ns | |||
 | Rc28f256p33tfe | - | | 7865 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Axcell ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 64-TBGA | RC28F256 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 64-Easybga (8x10) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | -RC28F256P33TFE | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 864 | 52 MHz | No Volátil | 256Mbit | 95 ns | Destello | 16m x 16 | Paralelo | 95ns | ||
 | MT53D1024M32D4DT-053 WT ES: D TR | - | | 5863 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-vfbga | MT53D1024 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.866 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 1g x 32 | - | - | ||||
 | R1LV0816ABG-7SI#B0 | - | | 2742 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFBGA | R1LV0816A | Sram | 2.4V ~ 3.6V | 48-TFBGA (7.5x8.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volante | 8mbit | 70 ns | Sram | 512k x 16 | Paralelo | 70ns | ||||
 | Cy7c025av-25axc | - | | 9831 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | CY7C025 | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 90 | Volante | 128 kbit | 25 ns | Sram | 8k x 16 | Paralelo | 25ns | ||||
 | RC28F640P30BF65B TR | - | | 7993 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64-TBGA | RC28F640 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 64-Easybga (10x13) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 52 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 65 ns | Destello | 4m x 16 | Paralelo | 65ns | ||||
 | AT27C020-10JC | - | | 9366 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TC) | Montaje en superficie | 32 LCC (J-Lead) | AT27C020 | EPROM - OTP | 4.5V ~ 5.5V | 32-PLCC (13.97x11.43) | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1B1 | 8542.32.0061 | 32 | No Volátil | 2 mbit | 100 ns | EPROM | 256k x 8 | Paralelo | - | ||||
 | IS62WVS2568FBLL-20NLI-TR | 2.3595 | | 6567 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | IS62WVS2568 | Sram - Sincónnico, SDR | 2.2V ~ 3.6V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 3.000 | 20 MHz | Volante | 2 mbit | Sram | 256k x 8 | SPI - Quad I/O, SDI, DTR | - |
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