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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Sic programable | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PC28F128G18FF TR | - |  | 7926 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 64-TBGA | PC28F128 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 64-Easybga (8x10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | 96 ns | Destello | 8m x 16 | Paralelo | 96ns | |||||
 | Cy7c25422kv18-333bzxi | 283.3800 | | 34 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C25422 | Sram - Síncrono, QDR II+ | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (15x17) | descascar | Rohs no conforme | Vendedor indefinido | 1 | 333 MHz | Volante | 72Mbit | Sram | 2m x 36 | Paralelo | - | Sin verificado | |||||||
 | S29GL064S70BHA040 | 4.2000 | | 5430 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q100, GL-S | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-vfbga | S29GL064 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 48-FBGA (8.15x6.15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,380 | No Volátil | 64 Mbbit | 70 ns | Destello | 8m x 8, 4m x 16 | Paralelo | 60ns | |||||
| Gd25lq64cqigr | - | | 9390 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xdfn almohadilla exposición | GD25LQ64 | Flash - Ni | 1.65V ~ 2V | 8-Uson (4x4) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3.000 | 120 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O | 2.4ms | |||||
 | Md2114al3 | 8.6600 | | 9 | 0.00000000 | Intel | M2114a | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 18-CDIP | Sram - Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 18-CDIP | descascar | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Volante | 4 kbits | 150 ns | Sram | 1k x 4 | Paralelo | 150ns | ||||||
 | 70V9089L15PF8 | - | | 5557 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | 70V9089 | Sram - Puerto Dual, Sincónnico | 3V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 750 | Volante | 512 kbit | 15 ns | Sram | 64k x 8 | Paralelo | - | |||||
 | AT28C64-15SC | - | | 4446 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TC) | Montaje en superficie | 28-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | AT28C64 | Eeprom | Sin verificado | 4.5V ~ 5.5V | 28-soico | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | AT28C6415SC | EAR99 | 8542.32.0051 | 27 | No Volátil | 64 kbits | 150 ns | Eeprom | 8k x 8 | Paralelo | 1 m | |||
 | 93C56A-I/MS | 0.3900 | | 6854 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) | 93C56A | Eeprom | 4.5V ~ 5.5V | 8-MSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 93C56A-I/MS-NDR | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 2 MHz | No Volátil | 2 kbits | Eeprom | 256 x 8 | Microondas | 2 ms | ||||
 | IS64LPS102436B-166TQLA3-TR | 116.5500 | | 9650 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | IS64LPS102436 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 100-LQFP (14x20) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 166 MHz | Volante | 36 mbit | 3.8 ns | Sram | 1m x 36 | Paralelo | - | ||||
 | S34MS02G104BHB010 | - | | 6481 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MS-1 | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | S34MS02 | Flash - nand | 1.7V ~ 1.95V | 63-BGA (11x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | No Volátil | 2 GBIT | 45 ns | Destello | 128m x 16 | Paralelo | 45ns | |||||
 | Cy7c024av-25axikj | - | | 6006 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | CY7C024 | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x14) | descascar | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Volante | 64 kbits | 25 ns | Sram | 4k x 16 | Paralelo | 25ns | |||||
 | 70V657S15BF | 131.2286 | | 3104 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 208-LFBGA | 70v657 | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 3.15V ~ 3.45V | 208-Cabga (15x15) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 7 | Volante | 1.125Mbit | 15 ns | Sram | 32k x 36 | Paralelo | 15ns | |||||
 | AT24C32ay1-10yi-2.7 | - | | 7425 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-vdfn | AT24C32 | Eeprom | 2.7V ~ 5.5V | 8 MAPAS (3x4.9) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | AT24C32AY110YI2.7 | EAR99 | 8542.32.0051 | 120 | 400 kHz | No Volátil | 32 kbits | 900 ns | Eeprom | 4k x 8 | I²C | 5 ms | |||
 | AS6C1008-55TIN | 3.3300 | | 1 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | AS6C1008 | Sram - Asínncrono | 2.7V ~ 5.5V | 32-TSOP I | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 1450-1020 | EAR99 | 8542.32.0041 | 156 | Volante | 1 mbit | 55 ns | Sram | 128k x 8 | Paralelo | 55ns | ||||
| DS2423D/T&R | - | | 1988 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 6-vbga, fcbga | DS2423 | Sram | - | 6-Flipchip (2.82x2.54) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 10,000 | Volante | 4 kbits | 2 µs | Sram | 256 x 16 Páginas | 1 Alambre® | - | |||||
 | AT49BV001-12VI | - | | 3122 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 32-TFSOP (0.488 ", Ancho de 12.40 mm) | AT49BV001 | Destello | 2.7V ~ 3.6V | 32-VSOP | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | AT49BV00112VI | EAR99 | 8542.32.0071 | 208 | No Volátil | 1 mbit | 120 ns | Destello | 128k x 8 | Paralelo | 50 µs | ||||
 | 93LC66CT-I/MC | 0.5000 | | 2 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-vfdfn almohadilla exposición | 93LC66 | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-DFN (2x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 3 MHz | No Volátil | 4 kbits | Eeprom | 512 x 8, 256 x 16 | Microondas | 6 ms | |||||
 | IS45S32400E-7TLA2 | - | | 5321 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | IS45S32400 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 86-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | Volante | 128 Mbbit | 5.4 ns | Dracma | 4m x 32 | Paralelo | - | ||||
 | MT29F512G08AUBBH8-12: B TR | - | | 7199 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 152 lbGa | MT29F512G08 | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 152-lbga (14x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | Paralelo | - | |||||
| MT53D2G32D8QD-046 WT ES: E | - | | 5835 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53D2G32 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.360 | 2.133 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 2G x 32 | - | - | ||||||||||
 | S34ML04G100TFB003 | - | | 4118 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Ml-1 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | S34ml04 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 4 gbit | Destello | 512m x 8 | Paralelo | 25ns | ||||||
 | AT49BV160T-70TI | - | | 4500 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | AT49BV160 | Destello | 2.65V ~ 3.3V | 48-TSOP | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 96 | No Volátil | 16mbit | 70 ns | Destello | 2m x 8, 1m x 16 | Paralelo | 200 µs | |||||
 | 24LC64-E/SN | 0.6300 | | 7 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | 24lc64 | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 24LC64-E/SNDR | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | No Volátil | 64 kbits | 900 ns | Eeprom | 8k x 8 | I²C | 5 ms | |||
 | CY14E116L-ZS25XIT | 75.3375 | | 4154 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | CY14E116 | Nvsram (sram no volátil) | 4.5V ~ 5.5V | 44-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | No Volátil | 16mbit | 25 ns | Nvsram | 2m x 8 | Paralelo | 25ns | |||||
| Cg7911amt | - | | 3686 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1,000 | |||||||||||||||||||
 | AT29C020-15TC | - | | 9885 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TC) | Montaje en superficie | 32-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | AT29C020 | Destello | Sin verificado | 4.5V ~ 5.5V | 32-TSOP | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | AT29C02015TC | EAR99 | 8542.32.0071 | 156 | No Volátil | 2 mbit | 150 ns | Destello | 256k x 8 | Paralelo | 10 ms | |||
 | Cy62128vll-70zac | 1.7100 | | 296 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-TFSOP (0.465 ", 11.80 mm de Ancho) | CY62128 | Sram - Asínncrono | 2.7V ~ 3.6V | 32-TSOP | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Volante | 1 mbit | 70 ns | Sram | 128k x 8 | Paralelo | 70ns | |||||
 | IS62WV10248EBLL-45BLI-TR | 4.5215 | | 3760 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-vfbga | IS62WV10248 | Sram - Asínncrono | 2.2V ~ 3.6V | 48-vfbga (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.500 | Volante | 8mbit | 45 ns | Sram | 1m x 8 | Paralelo | 45ns | |||||
 | 93LC56C-I/P | 0.4200 | | 577 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | 93LC56 | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8 pdip | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 60 | 3 MHz | No Volátil | 2 kbits | Eeprom | 256 x 8, 128 x 16 | Microondas | 6 ms | |||||
 | IS42RM32800D-75TLI | - | | 1923 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-TFBGA | IS42RM32800 | Sdram - móvil | 2.3V ~ 2.7V | 90-TFBGA (8x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 240 | 133 MHz | Volante | 256Mbit | 5.4 ns | Dracma | 8m x 32 | Paralelo | - |
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