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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | EDF8164A3PK-GD-FD | - |  | 1522 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 216-WFBGA | Edf8164 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1.14V ~ 1.95V | 216-FBGA (12x12) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.680 | 800 MHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 128m x 64 | Paralelo | - | |||||
 | Fm93c66almt8x | 0.3000 | | 50 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | 93c66a | Eeprom | 2.7V ~ 5.5V | 8-TSOP | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 250 kHz | No Volátil | 4 kbits | Eeprom | 512 x 8, 256 x 16 | Microondas | 15 ms | ||||
 | BR24G256F-3AGTE2 | 0.7100 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.173 ", 4.40 mm de ancho) | BR24G256 | Eeprom | 1.7V ~ 5.5V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 1 MHz | No Volátil | 256 kbit | Eeprom | 32k x 8 | I²C | 5 ms | ||||
 | Aa075845-c | 56.0000 | | 9568 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-AA075845-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| Mtfc16gjtec-it tr | - | | 1805 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | - | Mtfc16g | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | MMC | - | ||||||
 | CY62158DV30LL-55BVI | 6.4700 | | 315 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MOBL® | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-vfbga | CY62158 | Sram - Asínncrono | 2.2V ~ 3.6V | 48-vfbga (6x8) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volante | 8mbit | 55 ns | Sram | 1m x 8 | Paralelo | 55ns | ||||
 | BR93H86RFVT-2CE2 | 0.5400 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | BR93H86 | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-TSOP-B | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3.000 | 2 MHz | No Volátil | 16 kbits | Eeprom | 1k x 16 | Microondas | 4ms | ||||
 | 71321SA25PF8 | - | | 4988 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64-LQFP | 71321SA | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 64-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 750 | Volante | 16 kbits | 25 ns | Sram | 2k x 8 | Paralelo | 25ns | ||||
| IS25LQ040B-JDLE | - | | 6131 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | IS25LQ040 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 8-TSOP | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS25LQ040B-JDLE | EAR99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | No Volátil | 4mbit | 8 ns | Destello | 512k x 8 | SPI - Quad I/O | 800 µs | ||
 | S26HS01GTGABHB030 | 31.3500 | | 260 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Semper ™ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-VBGA | Flash - Nor (SLC) | 1.7v ~ 2v | 24-FBGA (8x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 260 | 200 MHz | No Volátil | 1 gbit | 5.45 ns | Destello | 128m x 8 | Hiperbus | 1.7ms | ||||
 | 71T75602S133BGGI | 43.1361 | | 9161 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 119-BGA | 71T75602 | Sram - Sincónnico, SDR (ZBT) | 2.375V ~ 2.625V | 119-PBGA (14x22) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 133 MHz | Volante | 18mbit | 4.2 ns | Sram | 512k x 36 | Paralelo | - | |||
| S25FL256SAGBHI310 | - | | 5995 | 0.00000000 | Extensión | FL-S | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | S25FL256 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 24-BGA (8x6) | descascar | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 133 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O | - | |||||||
 | AS7C4098A-12TCN | 5.8900 | | 135 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | AS7C4098 | Sram - Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 44-TSOP2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 1450-1073 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | Volante | 4mbit | 12 ns | Sram | 256k x 16 | Paralelo | 12ns | |||
 | CY7C109BN-20VC | - | | 9852 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-BSOJ (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | CY7C109 | Sram - Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 32-SOJ | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Volante | 1 mbit | 20 ns | Sram | 128k x 8 | Paralelo | 20ns | ||||
| IS43LR16128B-6BLI-TR | 8.8844 | | 7546 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 60-TFBGA (8x10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43LR16128B-6BLI-TR | 2,000 | 166 MHz | Volante | 2 GBIT | 5 ns | Dracma | 128m x 16 | Paralelo | 15ns | ||||||
| CG8272AA | - | | 5038 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
 | Cy7C136A-55JXI | - | | 4039 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 52-lcc (J-Lead) | CY7C136 | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 52-PLCC (19.13x19.13) | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.32.0041 | 23 | Volante | 16 kbits | 55 ns | Sram | 2k x 8 | Paralelo | 55ns | Sin verificado | |||||
| 7143LA20J | - | | 5253 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 68 LCC (J-Lead) | 7143la | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 68-PLCC (24.21x24.21) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 18 | Volante | 32 kbits | 20 ns | Sram | 2k x 16 | Paralelo | 20ns | ||||
 | 71V432S7PFG | 1.6600 | | 661 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | 71v432 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.63V | 100-TQFP (14x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Volante | 1 mbit | 7 ns | Sram | 32k x 32 | Paralelo | - | ||||
 | AS4C2M32D1-5TCN | - | | 3543 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Banda | Descontinuado en sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | - | AS4C2M32 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP II | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 1450-1317 | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 200 MHz | Volante | 64 Mbbit | 700 PS | Dracma | 2m x 32 | Paralelo | 15ns | ||
 | IDT71016S12PH | - | | 3029 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | IDT71016 | Sram - Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 44-TSOP II | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 71016S12PH | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 26 | Volante | 1 mbit | 12 ns | Sram | 64k x 16 | Paralelo | 12ns | |||
| AA335284-C | 360.0000 | | 4362 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-AA335284-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | IS43R83200F-5TL | 3.0705 | | 1726 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | IS43R83200 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 108 | 200 MHz | Volante | 256Mbit | 700 PS | Dracma | 32m x 8 | Paralelo | 15ns | |||
 | 71V67603S133PFGI | 29.6592 | | 8848 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | 71v67603 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 133 MHz | Volante | 9 MBIT | 4.2 ns | Sram | 256k x 36 | Paralelo | - | |||
| C-3200D4SR4RN/16G | 185.0000 | | 9489 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-C-3200D4SR4RN/16G | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | AS4C8M16SA-7TCNTR | 2.6470 | | 1530 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | AS4C8M16 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 143 MHz | Volante | 128 Mbbit | 5.4 ns | Dracma | 8m x 16 | Paralelo | 14ns | |||
 | Cy7C1420UV18-300BZXC | 53.7900 | | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Bolsa | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C1420 | Sram - Síncrono, DDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (13x15) | - | No Aplicable | 3A991B2A | 6 | 300 MHz | Volante | 36 mbit | Sram | 1m x 36 | Paralelo | - | Sin verificado | ||||||
| S26HL01GTFPBHB033 | 25.5675 | | 5910 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Semper ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-VBGA | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 24-FBGA (8x8) | descascar | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 166 MHz | No Volátil | 1 gbit | 6.5 ns | Destello | 128m x 8 | Hiperbus | 1.7ms | ||||||
 | IS25LQ080B-JBLE-TR | - | | 9400 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | IS25LQ080 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | No Volátil | 8mbit | Destello | 1m x 8 | SPI - Quad I/O | 1 m | ||||
 | 93C76A-E/SN | - | | 2373 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | 93C76 | Eeprom | 4.5V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 3 MHz | No Volátil | 8 kbits | Eeprom | 1k x 8 | Microondas | 2 ms |
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