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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS25LP016D-JLLE | 0.8679 |  | 8108 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | IS25LP016 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 8-wson (8x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS25LP016D-JLLE | EAR99 | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | No Volátil | 16mbit | Destello | 2m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 800 µs | |||
 | MT46V32M16P-5B: J TR | 6.4700 | | 9 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | MT46V32M16 | SDRAM - DDR | 2.5V ~ 2.7V | 66-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 200 MHz | Volante | 512Mbit | 700 PS | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
 | CY7C1021CV33-12VC | 1.8100 | | 11 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-BSOJ (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | CY7C1021 | Sram - Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 44-SOJ | descascar | Rohs no conforme | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 166 | Volante | 1 mbit | 12 ns | Sram | 64k x 16 | Paralelo | 12ns | Sin verificado | |||||
 | MT53D1024M32D4NQ-062 WT ES: D TR | - | | 3805 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-vfbga | MT53D1024 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14.5) | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 1g x 32 | - | - | |||||
 | 70V3379S4PRF | - | | 1304 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 128-LQFP | 70V3379 | Sram - Puerto Dual, Sincónnico | 3.15V ~ 3.45V | 128-TQFP (14x20) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 6 | Volante | 576 kbit | 4.2 ns | Sram | 32k x 18 | Paralelo | - | ||||
 | 25AA010AT-I/MNY | 0.5550 | | 5666 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-WFDFN PADERA EXPUESTA | 25AA010 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | 8-TDFN (2x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 10 MHz | No Volátil | 1 kbit | Eeprom | 128 x 8 | SPI | 5 ms | ||||
 | AT49LV002T-70PI | - | | 2031 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | A Través del Aguetero | 32-DIP (0.600 ", 15.24 mm) | AT49LV002 | Destello | 3V ~ 3.6V | 32 PDIP | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 12 | No Volátil | 2 mbit | 70 ns | Destello | 256k x 8 | Paralelo | 50 µs | ||||
 | S29WS128N0PBFA0A0 | - | | 7486 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
| MT29F1T08EELEJ4-QJ: E TR | 26.4750 | | 8581 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT29F1T08EELEJ4-QJ: ETR | 2,000 | ||||||||||||||||||||||
 | IS61NLP102418B-200B3LI | 20.7400 | | 9334 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165-TBGA | IS61NLP102418 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 165-TFBGA (13x15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 200 MHz | Volante | 18mbit | 3 ns | Sram | 1m x 18 | Paralelo | - | |||
 | Cav24c256ye-gt3 | 1.3700 | | 6272 | 0.00000000 | onde | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Cav24c256 | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3.000 | 1 MHz | No Volátil | 256 kbit | 400 ns | Eeprom | 32k x 8 | I²C | 5 ms | |||
 | HM1-6518-5 | 12.3300 | | 105 | 0.00000000 | Harris Corporation | * | Una granela | Activo | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
| N25Q032A11EF440F TR | - | | 8556 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-udfn almohadilla exposición | N25Q032A11 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 8-UPDFN (4x3) (MLP8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 4.000 | 108 MHz | No Volátil | 32Mbit | Destello | 8m x 4 | SPI | 8 ms, 5 ms | |||||
 | AT25DF081A-SSH-B | 1.5100 | | 23 | 0.00000000 | Adesto tecnologías | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | AT25DF081 | Destello | 2.7V ~ 3.6V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 98 | 100 MHz | No Volátil | 8mbit | Destello | 256 bytes x 4096 Páginas | SPI | 7 µs, 3 ms | ||||
| MT29F2T08EELCHD4-M: C | 41.9550 | | 3409 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT29F2T08EELCHD4-M: C | 1 | ||||||||||||||||||||||
| Mx60uf8g18ac-xki | 11.4570 | | 2595 | 0.00000000 | Macronix | Mx60uf | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | Flash - Nor (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | 63-vfbga (9x11) | - | 3 (168 Horas) | 1092-MX60UF8G18AC-XKI | 220 | No Volátil | 8 gbit | 22 ns | Destello | 1g x 8 | Onde | 25ns, 600 µs | ||||||||
| FT25C16A-UTR-B | - | | 8463 | 0.00000000 | Fremont Micro Devices Ltd | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | FT25C16 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1219-1183 | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 20 MHz | No Volátil | 16 kbits | Eeprom | 2k x 8 | SPI | 5 ms | |||
 | W9812G6KH-5 TR | 1.5720 | | 7035 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | W9812G6 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 128 Mbbit | 4.5 ns | Dracma | 8m x 16 | Paralelo | - | |||
| 70825L35PFGI | - | | 2365 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 80-LQFP | Sram | 4.5V ~ 5.5V | 80-tqfp (14x14) | - | 800-70825L35PFGI | 1 | 25 MHz | Volante | 128 kbit | 35 ns | Sram | 8k x 16 | Paralelo | 35ns | ||||||||
 | IS49NLC36800-25EBL | - | | 5867 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 144-TFBGA | IS49NLC36800 | RDRAM 2 | 1.7V ~ 1.9V | 144-FCBGA (11x18.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0028 | 104 | 400 MHz | Volante | 288Mbit | 15 ns | Dracma | 8m x 36 | Paralelo | - | |||
 | MR45V256AMAZAAT-L | 5.2249 | | 3081 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | MR45V256 | Fram (Carnero Ferroeléctrico) | 3V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 2.500 | 15 MHz | No Volátil | 256 kbit | Fram | 32k x 8 | SPI | - | ||||
 | CY7C1518KV18-333BZXC | 190.9250 | | 7804 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C1518 | Sram - Síncrono, DDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (13x15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.360 | 333 MHz | Volante | 72Mbit | Sram | 4m x 18 | Paralelo | - | ||||
 | S29JL064J60TFA000 | - | | 2157 | 0.00000000 | Extensión | Jl-j | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | S29JL064 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP | descascar | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | No Volátil | 64 Mbbit | 60 ns | Destello | 8m x 8, 4m x 16 | Paralelo | 60ns | |||||||
 | BR93G76FV-3AGTE2 | 0.7000 | | 5258 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-LSSOP (0.173 ", 4,40 mm de Ancho) | BR93G76 | Eeprom | 1.7V ~ 5.5V | 8-SSOP-B | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 3 MHz | No Volátil | 8 kbits | Eeprom | 512 x 16 | Microondas | 5 ms | ||||
| CY7C11701KV18-400BZXC | - | | 2434 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C11701 | Sram - Síncrono, DDR II+ | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (13x15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 400 MHz | Volante | 18mbit | Sram | 512k x 36 | Paralelo | - | ||||
 | C-2400D4SR8S/4G | 21.7500 | | 1482 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-C-2400D4SR8S/4G | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | AT28C256EF-15JU | - | | 2690 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 32 LCC (J-Lead) | AT28C256 | Eeprom | 4.5V ~ 5.5V | 32-PLCC (13.97x11.43) | descascar | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 32 | No Volátil | 256 kbit | 150 ns | Eeprom | 32k x 8 | Paralelo | 10 ms | ||||
 | AS4C32M16SB-7TCN | 13.3800 | | 6937 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | AS4C32 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 1450-1387 | EAR99 | 8542.32.0028 | 108 | 143 MHz | Volante | 512Mbit | 5.4 ns | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | 14ns | ||
 | 71V256SA12YI | - | | 7530 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 28-BSOJ (0.300 ", 7.62 mm de Ancho) | 71v256 | Sram - Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 28-SOJ | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Volante | 256 kbit | 12 ns | Sram | 32k x 8 | Paralelo | 12ns | ||||
 | Mtfc32gjved-4m it tr trom | - | | 2313 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 169-vfbga | Mtfc32g | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 169-vfbga | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | MMC | - |
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