SIC
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Memoria (70500)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página TUPO de Controlador Sic programable
AT28HC256-90LM/883-696 Microchip Technology AT28HC256-90LM/883-696 -
RFQ
 ECAD 5039 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tubo Activo -55 ° C ~ 125 ° C (TC) Montaje en superficie 32-Clcc AT28HC256 Eeprom 4.5V ~ 5.5V 32-LCC (11.43x13.97) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A001A2C 8542.32.0051 34 No Volátil 256 kbit 90 ns Eeprom 32k x 8 Paralelo 10 ms
MB85R8M1TABGL-G-JAE1 Kaga FEI America, Inc. MB85R8M1TABGL-G-JAE1 14.3327
RFQ
 ECAD 6270 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-vfbga MB85R8 Fram (Carnero Ferroeléctrico) 1.8v ~ 3.6V 48-FBGA (8x6) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 865-MB85R8M1TABGL-G-JAE1 EAR99 8542.32.0071 480 No Volátil 8mbit 120 ns Fram 512k x 16 Paralelo 120ns
MTFC64GASAONS-IT TR Micron Technology Inc. Mtfc64gasaons-it tr 34.2750
RFQ
 ECAD 5351 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 153-TFBGA Flash - Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 153-TFBGA (11.5x13) - 557-MTFC64GASAONS-ITTR 2,000 52 MHz No Volátil 512 GBIT Destello 64g x 8 UFS2.1 -
CY7C1474BV25-167BGC Cypress Semiconductor Corp Cy7c1474bv25-167bgc 138.6700
RFQ
 ECAD 103 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Nobl ™ Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 209-BGA CY7C1474 Sram - Sincónnico, SDR 2.375V ~ 2.625V 209-FBGA (14x22) descascar Rohs no conforme 3A991B2A 8542.32.0041 84 167 MHz Volante 72Mbit 3.4 ns Sram 1m x 72 Paralelo - Sin verificado
CY7C131-25JXC Cypress Semiconductor Corp CY7C131-25JXC -
RFQ
 ECAD 6343 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 52-lcc (J-Lead) CY7C131 Sram - Puerto Dual, Asínncrono 4.5V ~ 5.5V 52-PLCC (19.13x19.13) descascar ROHS3 Cumplante EAR99 8542.32.0041 3 Volante 8 kbits 25 ns Sram 1k x 8 Paralelo 25ns Sin verificado
U-MEM-32GB-DDR4-2400-C ProLabs U-MEM-32GB-DDR4-2400-C 120.0000
RFQ
 ECAD 4843 0.00000000 Prolabs * Paquete minorista Activo - Cumplimiento de Rohs 4932-U-MEM-32GB-DDR4-2400-C EAR99 8473.30.5100 1
C-160D3N/2G ProLabs C-160D3N/2G 17.5000
RFQ
 ECAD 1105 0.00000000 Prolabs * Paquete minorista Activo - Cumplimiento de Rohs 4932-C-160D3N/2G EAR99 8473.30.5100 1
CY7C1515KV18-250BZI Infineon Technologies Cy7c1515kv18-250bzi 150.0975
RFQ
 ECAD 5335 0.00000000 Infineon Technologies - Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 165 lbGa CY7C1515 Sram - Sincónnico, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B2A 8542.32.0041 680 250 MHz Volante 72Mbit Sram 2m x 36 Paralelo -
CY7C1413KV18-250BZI Cypress Semiconductor Corp CY7C1413KV18-250BZI 42.8800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 165 lbGa CY7C1413 Sram - Sincónnico, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) descascar 7 250 MHz Volante 36 mbit Sram 2m x 18 Paralelo - Sin verificado
CAT25320YGI-26711 onsemi Cat25320ygi-26711 0.2700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) Cat25320 Eeprom 1.8v ~ 5.5V 8-TSOP descascar Rohs no conforme Vendedor indefinido 2156-cat25320ygi-26711-488 EAR99 8542.32.0071 1 10 MHz No Volátil 32 kbits 40 ns Eeprom 4k x 8 SPI 5 ms
S80KS2564GACHV040 Infineon Technologies S80KS2564GACHV040 16.7900
RFQ
 ECAD 253 0.00000000 Infineon Technologies Hyperram ™ Banda Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 49-vbga Psram (pseudo sram) 1.7v ~ 2v 49-FBGA (8x8) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 260 200 MHz Volante 256Mbit 35 ns Psram 16m x 16 Hiperbus 35ns
M95020-RMN6TP STMicroelectronics M95020-RMN6TP 0.3000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Stmicroelectronics - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) M95020 Eeprom 1.8v ~ 5.5V 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0051 2.500 20 MHz No Volátil 2 kbits Eeprom 256 x 8 SPI 5 ms
CY7C12501KV 18-400BZXC Cypress Semiconductor Corp CY7C12501KV 18-400BZXC 53.3300
RFQ
 ECAD 136 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - Una granela Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 165 lbGa CY7C12501 Sram - Síncrono, DDR II+ 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) descascar No Aplicable 3 (168 Horas) Vendedor indefinido 3A991B2A 8542.32.0041 1 400 MHz Volante 36 mbit Sram 1m x 36 Paralelo -
CY7C1007B-15VXC Cypress Semiconductor Corp CY7C1007B-15VXC 13.8600
RFQ
 ECAD 498 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - Una granela Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 28-BSOJ (0.300 ", 7.62 mm de Ancho) CY7C1007 Sram - Asínncrono 4.5V ~ 5.5V 28-SOJ descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B2B 8542.32.0041 1 Volante 1 mbit 15 ns Sram 1m x 1 Paralelo 15ns
IS25WP040E-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP040E-JBLE-TR 0.3889
RFQ
 ECAD 3193 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) Flash - Nor (SLC) 1.7V ~ 1.95V 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 706-IS25WP040E-JBLE-TR 2,000 104 MHz No Volátil 4mbit 8 ns Destello 512k x 8 SPI - Quad I/O, QPI 40 µs, 1.2 ms
S25FL512SDSBHMC13 Infineon Technologies S25FL512SDSBHMC13 12.9500
RFQ
 ECAD 2464 0.00000000 Infineon Technologies FL-S Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa S25FL512 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 24-BGA (8x6) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2.500 80 MHz No Volátil 512Mbit Destello 64m x 8 SPI - Quad I/O -
CAT93C57S Catalyst Semiconductor Inc. CAT93C57S 0.0600
RFQ
 ECAD 5985 0.00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - Una granela Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) CAT93C57 Eeprom 1.8v ~ 5.5V 8-Soico descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0051 1 1 MHz No Volátil 2 kbits Eeprom 256 x 8, 128 x 16 Microondas -
01AG618-C ProLabs 01AG618-C 113.5000
RFQ
 ECAD 6651 0.00000000 Prolabs * Paquete minorista Activo - Cumplimiento de Rohs 4932-01AG618-C EAR99 8473.30.5100 1
SM662GEF BFSS Silicon Motion, Inc. SM662GEF BFSS 178.9800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Silicon Motion, Inc. Ferri-EMMC® Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 100 lbGa Flash - nand (slc), flash - nand (tlc) - 100-BGA (14x18) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 1984-SM662GEFBFSS 3A991B1A 8542.32.0071 980 No Volátil - Destello EMMC -
MEM-DR480L-SL01-ER24-C ProLabs MEM-DR480L-SL01-ER24-C 110.0000
RFQ
 ECAD 7423 0.00000000 Prolabs * Paquete minorista Activo - Cumplimiento de Rohs 4932-MEM-DR480L-SL01-ER24-C EAR99 8473.30.5100 1
25AA160CT-I/SN Microchip Technology 25AA160CT-I/SN 0.7200
RFQ
 ECAD 1121 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) 25AA160 Eeprom 1.8v ~ 5.5V 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0051 3,300 10 MHz No Volátil 16 kbits Eeprom 2k x 8 SPI 5 ms
24AA02UIDT-I/OT Microchip Technology 24AA02UIDT-I/OT 0.3000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie SC-74A, SOT-753 24AA02 Eeprom 1.7V ~ 5.5V Sot-23-5 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0051 3.000 400 kHz No Volátil 2 kbits 900 ns Eeprom 128 x 8 x 2 I²C 5 ms
CY62148DV30L-55ZSXI Cypress Semiconductor Corp CY62148DV30L-55ZSXI 4.7300
RFQ
 ECAD 727 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp MOBL® Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 32-SOIC (0.445 ", 11.30 mm de ancho) CY62148 Sram - Asínncrono 2.2V ~ 3.6V 32-SOICO descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Vendedor indefinido 3A991B2A 8542.32.0041 1 Volante 4mbit 55 ns Sram 512k x 8 Paralelo 55ns
SST39WF400B-70-4I-VA Microchip Technology SST39WF400B-70-4I-VA -
RFQ
 ECAD 2381 0.00000000 Tecnología de Microchip SST39 MPF ™ Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Morir SST39WF400 Destello 1.65V ~ 1.95V Objeto descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 5,000 No Volátil 4mbit 70 ns Destello 256k x 16 Paralelo 40 µs
5962-9161704MYA Renesas Electronics America Inc 5962-9161704mya -
RFQ
 ECAD 8239 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - Banda Obsoleto -55 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 84 Pañales 5962-9161704 Sram - Puerto Dual, Sincónnico 4.5V ~ 5.5V 84 paquetes descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 800-5962-9161704mya Obsoleto 6 Volante 128 kbit 55 ns Sram 8k x 16 Paralelo 55ns
MB85RS2MTAPNF-G-AWERE2 Kaga FEI America, Inc. MB85RS2MTAPNF-G-AWERE2 4.7133
RFQ
 ECAD 2635 0.00000000 Kaga Fei America, Inc. - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) MB85RS2 Fram (Carnero Ferroeléctrico) 1.7V ~ 3.6V 8-SOP - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 865-MB85RS2MTAPNF-G-AWERE2 EAR99 8542.32.0071 1.500 40 MHz No Volátil 2 mbit 9 ns Fram 256k x 8 SPI 400 µs
CY7C1570V18-400BZC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1570V18-400BZC 103.2800
RFQ
 ECAD 994 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 165 lbGa CY7C1570 Sram - Síncrono, DDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (15x17) descascar Rohs no conforme 3A991B2A 8542.32.0041 3 400 MHz Volante 72Mbit Sram 2m x 36 Paralelo - Sin verificado
STK14C88-NF25 Simtek STK14C88-NF25 -
RFQ
 ECAD 3385 0.00000000 Simtek - Una granela Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 32-SOIC (0.295 ", 7.50 mm de Ancho) Stk14c88 Nvsram (sram no volátil) 4.5V ~ 5.5V 32-SOICO descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Vendedor indefinido EAR99 8542.32.0041 1 No Volátil 256 kbit 25 ns Nvsram 32k x 8 Paralelo 25ns
NDS76PT5-16AT TR Insignis Technology Corporation NDS76PT5-16AT TR 2.6335
RFQ
 ECAD 4158 0.00000000 Insignis Technology Corporation * Tape & Reel (TR) Activo - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 1982-NDS76PT5-16ATTR 1,000
DP8440VLJ-25 National Semiconductor Dp8440vlj-25 44.0000
RFQ
 ECAD 213 0.00000000 Semiconductor nacional DP8440-25 Una granela Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 100 bqfp 4.75V ~ 5.25V 100-QFP (14x20) descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Vendedor indefinido EAR99 8542.39.0001 1 Ram Dinámico (DRAM)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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