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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 7133SA70J8 | - |  | 6068 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 68 LCC (J-Lead) | 7133SA | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 68-PLCC (24.21x24.21) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 250 | Volante | 32 kbits | 70 ns | Sram | 2k x 16 | Paralelo | 70ns | |||
 | 71V65603S133BQGI | 28.5570 | | 5978 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165-TBGA | 71v65603 | Sram - Sincónnico, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3.465V | 165-Cabga (13x15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 133 MHz | Volante | 9 MBIT | 4.2 ns | Sram | 256k x 36 | Paralelo | - | ||
| 5962-8700208TA | - | | 9760 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-FLATPACK | 5962-8700208 | Sram - Puerto Dual, Sincónnico | 4.5V ~ 5.5V | 48 paquetes | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 800-5962-8700208TA | Obsoleto | 9 | Volante | 16 kbits | 55 ns | Sram | 2k x 8 | Paralelo | 55ns | ||||
| Gd25uf64eqigr | 1.0390 | | 6007 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25UF | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.14V ~ 1.26V | 8-Uson (4x4) | - | 1970-gd25uf64eqigrtr | 3.000 | 120 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O, DTR | - | ||||||||
 | MT46V32M16CV-5B: J TR | - | | 1580 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | MT46V32M16 | SDRAM - DDR | 2.5V ~ 2.7V | 60-FBGA (8x12.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0024 | 2,000 | 200 MHz | Volante | 512Mbit | 700 PS | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
 | CAT24C04WI-G | - | | 6127 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | CAT24C04 | Eeprom | 1.7V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Cat24c04wig | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | No Volátil | 4 kbits | 900 ns | Eeprom | 512 x 8 | I²C | 5 ms | |
 | IS25LP512MG-RMLE-TR | 6.9200 | | 360 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | IS25LP512 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 166 MHz | No Volátil | 512Mbit | 5.5 ns | Destello | 64m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 50 µs, 1 ms | ||
 | 70V9269L9PRFG | - | | 9026 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 128-LQFP | 70v9269 | Sram - Puerto Dual, Sincónnico | 3V ~ 3.6V | 128-TQFP (14x20) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 6 | Volante | 256 kbit | 9 ns | Sram | 16k x 16 | Paralelo | - | |||
| MT61K512M32KPA-24: U TR | 33.4650 | | 8915 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 180-TFBGA | SGRAM - GDDR6 | 1.3095V ~ 1.3905V | 180-FBGA (12x14) | - | 557-MT61K512M32KPA-24: UTR | 2,000 | 12 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 512m x 32 | POD_135 | - | ||||||||
 | CY14B256PA-SFXIT | 9.2750 | | 1590 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | CY14B256 | Nvsram (sram no volátil) | 2.7V ~ 3.6V | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 40 MHz | No Volátil | 256 kbit | Nvsram | 32k x 8 | SPI | - | |||
 | RC28F640P30TF65A | - | | 8205 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64-TBGA | RC28F640 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 64-Easybga (10x13) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 864 | 52 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 65 ns | Destello | 4m x 16 | Paralelo | 65ns | ||
 | 11LC010-E/SN | 0.3600 | | 5550 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | 11LC010 | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 100 kHz | No Volátil | 1 kbit | Eeprom | 128 x 8 | Alambre Único | 5 ms | |||
 | W29GL032CT7A | - | | 3507 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFBGA | W29GL032 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 48-TFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | No Volátil | 32Mbit | 70 ns | Destello | 4m x 8, 2m x 16 | Paralelo | 70ns | |||
 | IDT71V3577YS65PFG | - | | 1285 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | IDT71V3577 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 71v3577ys65pfg | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | Volante | 4.5Mbit | 6.5 ns | Sram | 128k x 36 | Paralelo | - | |||
| CG10081AF | 3.7641 | | 8716 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 135 | |||||||||||||||||||||
 | CY7C1339S-133AXC | 6.5800 | | 5526 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | CY7C1339 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.15V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x14) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 133 MHz | Volante | 4mbit | 4 ns | Sram | 128k x 32 | Paralelo | - | ||
 | 7143SA55PF | - | | 4315 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | 7143SA | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 100-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 45 | Volante | 32 kbits | 55 ns | Sram | 2k x 16 | Paralelo | 55ns | |||
 | AS4C512M16D3LB-12BCNTR | 23.3250 | | 7654 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | AS4C512 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (13.5x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 1450-AS4C512M16D3LB-12BCNTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 800 MHz | Volante | 8 gbit | 20 ns | Dracma | 512m x 16 | Paralelo | 15ns | |
 | S29gl01gp11ffir10 | 18.0000 | | 34 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | GL-P | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | S29GL01 | Flash - Ni | 3V ~ 3.6V | 64-FBGA (11x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 2832-S29GL01GP11FFIR10 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 28 | No Volátil | 1 gbit | 110 ns | Destello | 128m x 8 | Paralelo | 110ns | ||||
 | IS43DR86400D-3DBLI-TR | 5.8650 | | 2503 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | IS43DR86400 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-TWBGA (8x10.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0028 | 2,000 | 333 MHz | Volante | 512Mbit | 450 ps | Dracma | 64m x 8 | Paralelo | 15ns | ||
 | W631GG6MB-12 | 3.6000 | | 3 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-vfbga | W631GG6 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-vfbga (7.5x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 256-W631GG6MB-12 | EAR99 | 8542.32.0032 | 198 | 800 MHz | Volante | 1 gbit | 20 ns | Dracma | 64m x 16 | Paralelo | - | |
 | Cy7C1327G-133axi | 8.3300 | | 8899 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | CY7C1327 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.15V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 133 MHz | Volante | 4.5Mbit | 4 ns | Sram | 256k x 18 | Paralelo | - | ||
 | IS43TR16128BL-125KBLI-TR | - | | 8648 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | IS43TR16128 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-TWBGA (9x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.500 | 800 MHz | Volante | 2 GBIT | 20 ns | Dracma | 128m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
 | S-93L46AD0I-T8T1U | 0.4400 | | 50 | 0.00000000 | ABLIC Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | S-93L46 | Eeprom | 1.6v ~ 5.5V | 8-TSOP | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8542.32.0051 | 4.000 | 2 MHz | No Volátil | 1 kbit | Eeprom | 64 x 16 | SPI | 8ms | |||||
| 71V3577S65PFG | 6.8420 | | 8902 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | 71v3577 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 133 MHz | Volante | 4.5Mbit | 6.5 ns | Sram | 128k x 36 | Paralelo | - | ||
| IDT71V3578S133PFI8 | - | | 7088 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | IDT71V3578 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 71V3578S133PFI8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 133 MHz | Volante | 4.5Mbit | 4.2 ns | Sram | 256k x 18 | Paralelo | - | |
 | 71321SA20PF | - | | 1056 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64-LQFP | 71321SA | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 64-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 45 | Volante | 16 kbits | 20 ns | Sram | 2k x 8 | Paralelo | 20ns | |||
| Gd5f4gq6ueyigy | 6.6500 | | 4052 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x8) | descascar | 1970-gd5f4gq6ueyigy | 4.800 | 104 MHz | No Volátil | 4 gbit | 9 ns | Destello | 512m x 8 | SPI - Quad I/O | 600 µs | |||||||
 | RM24EP128A-BSNC-T | - | | 2774 | 0.00000000 | Adesto tecnologías | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | RM24EP128 | CBRAM | 2.7V ~ 3.6V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4.000 | 1 MHz | No Volátil | 128 kbit | CBRAM® | Tamaña de Página de 64 bytes | I²C | 100 µs, 5 ms | |||
 | Mtfc4gmvea-4m it | - | | 3351 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Una granela | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-WFBGA | Mtfc4 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 153-WFBGA (11.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1,000 | No Volátil | 32 GBIT | Destello | 4g x 8 | MMC | - |
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